一种用于制造掺氮单晶硅的设备及方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种用于制造掺氮单晶硅的设备及方法，所述设备包括：气压控制装置，所述气压控制装置用于将掺氮硅熔体的液面附近的气体的压强降低；拉晶装置，所述拉晶装置用于利用所述掺氮硅熔体通过直接法拉制单晶硅棒。晶硅棒。晶硅棒。

【技术实现步骤摘要】
一种用于制造掺氮单晶硅的设备及方法


[0001]本专利技术涉及半导体硅片制造领域。尤其涉及一种用于制造掺氮单晶硅的设备及方法。

技术介绍

[0002]用于生产集成电路等半导体电子元器件的硅片，主要通过将直拉(Czochralski)法拉制的单晶硅棒切片而制造出。Czochralski法包括使由石英制成的坩埚中的多晶硅熔化以获得硅熔体，将单晶晶种浸入硅熔体中，以及连续地提升晶种移动离开硅熔体表面，由此在移动过程中在相界面处生长出单晶硅棒。
[0003]在上述生产过程中，提供这样的一种硅片是非常有利的：该硅片具有从正面开始向体内延伸的无晶体缺陷区域(Denuded Zone，DZ)以及与DZ邻接并且进一步向体内延伸的含有体微缺陷(Bulk Micro Defect，BMD)的区域，这里的正面指的是硅片的需要形成电子元器件的表面。上述的DZ是重要的，因为为了在硅片上形成电子元器件，要求在电子元器件的形成区域内不存在晶体缺陷，否则会导致电路断路等故障的产生，使电子元器件形成在DZ中便可以避免晶体缺陷的影响；而上述的BMD的作用在于，能够对金属杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造掺氮单晶硅的设备，其特征在于，所述设备包括：气压控制装置，所述气压控制装置用于将掺氮硅熔体的液面附近的气体的压强降低；拉晶装置，所述拉晶装置用于利用所述掺氮硅熔体通过直接法拉制单晶硅棒。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：熔化装置，所述熔化装置用于将氮化硅和多晶硅熔化以获得所述掺氮硅熔体。3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：熔化装置，所述熔化装置利用氮化硅坩埚熔化多晶硅以获得所述掺氮硅熔体。4.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其特征在于，所述设备还包括供气装置，所述供气装置用于使惰性气体流经所述掺氮硅熔体的液面，其中，所述液面附近的气体为所述惰性气体。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：衡鹏，李阳，徐鹏，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：