一种用于制造掺氮单晶硅的设备及方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种用于制造掺氮单晶硅的设备及方法，所述设备可以包括：石英坩埚，所述石英坩埚用于容纳掺氮硅熔体；第一输气装置，所述第一输气装置用于将一氧化碳气体输送至所述掺氮硅熔体的液面处；拉晶装置，所述拉晶装置用于利用所述掺氮硅熔体通过直接法拉制单晶硅棒。法拉制单晶硅棒。法拉制单晶硅棒。

【技术实现步骤摘要】
一种用于制造掺氮单晶硅的设备及方法


[0001]本专利技术涉及半导体硅片制造领域。尤其涉及一种用于制造掺氮单晶硅的设备及方法。

技术介绍

[0002]用于生产集成电路等半导体电子元器件的硅片，主要通过将直拉(Czochralski)法拉制的单晶硅棒切片而制造出。Czochralski法包括使由石英制成的坩埚中的多晶硅熔化以获得硅熔体，将单晶晶种浸入硅熔体中，以及连续地提升晶种移动离开硅熔体表面，由此在移动过程中在相界面处生长出单晶硅棒。
[0003]在上述生产过程中，提供这样的一种硅片是非常有利的：该硅片具有从正面开始向体内延伸的无晶体缺陷区域(Denuded Zone，DZ)以及与DZ邻接并且进一步向体内延伸的含有体微缺陷(Bulk Micro Defect，BMD)的区域，这里的正面指的是硅片的需要形成电子元器件的表面。上述的DZ是重要的，因为为了在硅片上形成电子元器件，要求在电子元器件的形成区域内不存在晶体缺陷，否则会导致电路断路等故障的产生，使电子元器件形成在DZ中便可以避免晶体缺陷的影响；而上述的BMD的作用在于，能够对金属杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造掺氮单晶硅的设备，其特征在于，所述设备包括：石英坩埚，所述石英坩埚用于容纳掺氮硅熔体；第一输气装置，所述第一输气装置用于将一氧化碳气体输送至所述掺氮硅熔体的液面处；拉晶装置，所述拉晶装置用于利用所述掺氮硅熔体通过直接法拉制单晶硅棒。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：加热器，所述加热器用于对所述石英坩埚进行加热以将容纳在所述石英坩埚中的氮化硅和多晶硅熔化并获得所述掺氮硅熔体。3.根据权利要求1或2所述的设备，其特征在于，所述第一输气装置包括：第一气体供应器，所述第一气体供应器用于供应一氧化碳气体；导流筒，所述导流筒用于将所述第一气体供应器供应的一氧化碳气体引导至所述掺氮硅熔体的液面处。4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：第二气体供应器，所述第二气体供应器用于供应惰性气体，其中，所述导流筒还用于将所述第二气体供应器供应的惰性气体引...

【专利技术属性】
技术研发人员：衡鹏，徐鹏，张婉婉，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：