三维存储器的制作方法技术

本申请提供一种三维存储器的制作方法，包括：提供衬底并在所述衬底上形成堆叠层；所述堆叠层包括在纵向上交替设置的层间绝缘层和电介质层，且所述堆叠层包括沟道区及与所述沟道区相邻的栅线缝隙区；在所述堆叠层的背离所述衬底的表面上形成一第一掩膜层；所述第一掩膜层覆盖所述沟道区及所述栅线缝隙区；对与所述栅线缝隙区位置相对的所述第一掩膜层进行减薄，以形成沟槽；在所述堆叠层的所述沟道区形成纵向延伸的沟道孔；在所述沟道孔内形成沟道结构；及在所述栅线缝隙区形成栅线缝隙结构。本申请提供的三维存储器的制作方法能够避免外排孔在刻蚀过程中出现刻蚀不足现象。免外排孔在刻蚀过程中出现刻蚀不足现象。免外排孔在刻蚀过程中出现刻蚀不足现象。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器的制作方法


[0001]本申请涉及半导体器件
，尤其涉及一种三维存储器的制作方法。

技术介绍

[0002]在3D NAND(三维存储器)的工艺中，深孔刻蚀是一道非常重要的工艺，现有的技术在超深层深孔刻蚀后，需要内外排孔具有非常均匀的刻蚀临界尺寸与刻蚀深度，从而保证良好的电学性能。
[0003]目前，常用的沟道孔刻蚀工艺是采用双次堆叠刻蚀，以降低刻蚀过程中的深宽比。在现在的工艺过程中，由于刻蚀过程中，沟道区与栅线缝隙区的留存的掩膜层存在高度差，如此高度差会对外排孔产生严重的遮蔽效应，外排孔在刻蚀过程中会出现刻蚀不足现象。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请提供一种能够避免外排孔在刻蚀过程中出现刻蚀不足现象的三维存储器的制作方法。
[0005]为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
[0006]本申请提供一种三维存储器的制作方法，包括：
[0007]提供衬底并在所述衬底上形成堆叠层；所述堆叠层包括在纵向上交替设置的层间绝缘层和电介质层，且所述堆叠层包括沟道区及与所述沟道区相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底并在所述衬底上形成堆叠层；所述堆叠层包括在纵向上交替设置的层间绝缘层和电介质层，且所述堆叠层包括沟道区及与所述沟道区相邻的栅线缝隙区；在所述堆叠层的背离所述衬底的表面上形成一第一掩膜层；所述第一掩膜层覆盖所述沟道区及所述栅线缝隙区；对与所述栅线缝隙区位置相对的所述第一掩膜层进行减薄，以形成沟槽；在所述堆叠层的所述沟道区形成纵向延伸的多数沟道孔；及在所述沟道孔内形成沟道结构。2.如权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述沟槽自所述第一掩膜层的背离所述堆叠层的表面向所述第一掩膜层内部凹陷形成。3.如权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，于所述在所述堆叠层的所述沟道区形成纵向延伸的沟道孔的步骤之后，所述第一掩膜层的对应所述沟道区和所述栅线缝隙区的部分被减薄成第二掩膜层；所述第二掩膜层的高度与所述沟槽的底壁的高度相同。4.如权利要求3所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述堆叠层还包括阶梯区；所述减薄步骤还包括：减薄所述阶梯区上的第一掩膜层，使在所述阶梯区上的所述第一掩膜层成为第三掩膜层。5.如权利要求3所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，定义所述沟槽的纵向深度为D1，定义对应所述沟道区的所述第一掩膜层...

【专利技术属性】
技术研发人员：张浩，郑亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：