温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供一种三维存储器的制作方法，包括：提供衬底并在所述衬底上形成堆叠层；所述堆叠层包括在纵向上交替设置的层间绝缘层和电介质层，且所述堆叠层包括沟道区及与所述沟道区相邻的栅线缝隙区；在所述堆叠层的背离所述衬底的表面上形成一第一掩膜层；所述...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。