检测装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种检测装置，具有：配置在基板上的扫描线（１０）、检测线（１４）、第１电源线（１１ａ、１１ｂ）、第２电源线（１２）、及对应于扫描线（１０）与检测线（１４）的交叉点而设置的像素电路（４０）。像素电路（４０）具有向检测线（１４）供给与栅电极的电位对应的检测信号的放大晶体管（４５）；与放大晶体管（４５）的栅电极连接，使放大晶体管（４５）的栅极电位按照外界因素变化的检测元件；按照扫描线（１０）的电位进行动作的复位晶体管（４１）；保持放大晶体管（４５）的栅极电位的第１电容元件。扫描线（１０）形成在与放大晶体管（４５）的栅电极和复位晶体管（４１）的栅电极不同的层中，且配置为在俯视情况下与复位晶体管（４１）的栅电极的至少一部分重叠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及检测装置以及搭载了该检测装置的电子设备。技术背景作为在2维传感器、图像传感器、光学式触摸传感器等当中使用的 检测装置之一，公知有如下的检测装置。该检测装置构成为，具有作为 检测元件的光电转换元件、按照该光电转换元件的受光量改变蓄积电荷 量的电容元件、和晶体管，并且通过晶体管的导通/截止动作，读出电 容元件中的电荷蓄积量(例如，参照专利文献l)。另外，在上述结构中，如果把光电转换元件置换成蓄积电容，则上 述电容元件的蓄积电荷量，根据该蓄积电容容量的外界因素的增减而变 化。作为检测装置，也可以采用使用蓄积电容作为检测元件的结构。[专利文献l]特开平4-212458号公报上述的检测装置，越高密度地配置检测元件，其检测分辨率越高。 但是，高密度地配置晶体管、和与晶体管的端子连接的布线等各种构成 要素，会带来晶体管的特性恶化、使特性差异增大的问题。或者因布线 构造复杂而造成信号延迟、成品率下降的问题。
技术实现思路
本专利技术就是为了解决上述问题的至少一部分而提出的，能够以如下的 方式或应用例来实现。[应用例ll一种检测装置，具有配置在上述M上的多条扫 描线、多条检测线、多条第l电源线、多条第2电源线；以及对应于上述 扫描线与上述检测线的交叉点而设置的多个单位电路，上述单位电路具 有第1晶体管，其第1端子与上述检测线连接，第2端子与上述第1电 源线连接，并且向上述检测线供给与栅电极的电位对应的检测信号；检测6元件，其与上述第1晶体管的栅电极连接，使上述第1晶体管的栅极电位按照外界因素变化；第2晶体管，其第l端子与上述第l晶体管的栅电极 连接，第2端子与上述第2电源线连接，并且栅电极与上述扫描线连接； 以及第l电容元件，其保持上述第1晶体管的栅极电位，上述扫描线形成 在与上述第1晶体管的栅电极和上述第2晶体管的栅电极不同的层中，并 且被配置成:在俯视情况下与上述第2晶体管的栅电极的至少一部分重叠。根据这样的结构，由于第1晶体管向检测线输出与外界因素对应大小 的电流，所以通过顺序检测出由扫描线选择的单位电路的上述电流，可检 测出外界因素。这里，由于扫描线形成在与栅电极不同的层中，并且被配 置成从第2晶体管的栅电极的上方通过，所以可高密度地配置单位电路。 在上述说明中，所谓俯视情况下，，是指^^L的法线方向进行观察 的意思。在上述结构中，也可以把第1电源线和第2电源线电连接。即， 也可以共用第1电源线和第2电源线。这样，可简化检测装置的电路结构。 而且，可简化单位电路的层结构以及实现单位电路的高密度化。应用例21在上述检测装置中，扫描线和上述第2晶体管的栅电极， 在上述第2晶体管的栅电极上，通过在上述基板的法线方向所形成的接触 孔电连接。根据这样的结构，由于扫描线在J41的法线方向与栅电极连接，所以 不需要用于扫描线与第2晶体管之间的连接布线的区域。因此，可高密度 地配置单位电路。[应用例3在上述检测装置中，上述第1晶体管的沟道区域和上述第 2晶体管的沟道区域被配置成相对上述扫描线的延伸方向具有一定的角 度，上述扫描线被配置成在俯视情况下横跨上述第1晶体管的沟道区域和 上述第2晶体管的沟道区域。根据这样的结构，可高密度地配置单位电路。[应用例4在上述检测装置中，上述检测线和上述第2电源线形成在 不同的层中，上述检测线被配置成在俯视情况下沿着上述第2电源线的延 伸方向延伸，并且其至少一部分与上述第2电源线重叠。根据这样的结构，由于能够以较小的面积配置检测线和第2电源线，所以可缩小单位电路在行方向的配置间隔，从而可高密度地形成单位电路。另外，在上述的结构中，也可以把第1电源线和第2电源线电连接。 即，也可以共用第1电源线和第2电源线。这样，可简化检测装置的电路 结构。而且，可简化单位电路的层结构以及实现单位电路的高密度化。[应用例5在上述检测装置中，上述单位电路的行中沿着相邻的上述 行配置的2条上述第1电源线，形成在相互不同的层中。根据这样的结构，能够把第1电源线在俯视情况下配置在接近的位置。 因此，可缩小在列方向上的单位电路的配置间隔。[应用例6]在上述检测装置中，上述第1晶体管的沟道长度方向，是 沿着上述第2晶体管的沟道长度方向延伸的方向。根据这样的结构，由于第1晶体管的沟道长度方向是沿着第2晶体管 的沟道长度的方向，所以能够把第1晶体管的沟道区域和第2晶体管的沟 道区域集中配置在最小的区域内。这里，所谓沟道长JLA指，沟道区域中 从晶体管的第1端子向第2端子的方向延伸的长度。由此，可高密度地配 置第1晶体管和第2晶体管。另外，在上述结构中，也可以把第l电源线 与第2电源线电连接。即，也可以共用第1电源线和第2电源线。这样， 可简化检测装置的电路结构。而且，可简化单位电路的层结构以及实现单 位电路的高密度化。[应用例7在上述检测装置中，上述第1晶体管和上述第2晶体管被 配置成其沟道长度方向在俯视情况下与上述扫描线的延伸方向和上述检 测线的延伸方向交叉。根据这样的结构，由于可缩小第1晶体管和第2晶体管的沟道区域的 配置间隔，所以可缩小单位电路的配置间隔。由此，可提高检测装置的分 辨率。在上述中，所谓俯视情况下是指从基敗的法线方向观察的 意思。应用例81在上述检测装置中，在俯视情况下沿着上述扫描线的延伸 方向配置有上述第1晶体管的第1端子和上述第2晶体管的第1端子，在 俯视情况下沿着上述扫描线的延伸方向配置有上述第1晶体管的第2端子 和上述第2晶体管的第2端子。根据这样的结构，在沿着扫描线的方向上延伸的布线可配置成直线状。 因此，可防止因布线复杂而导致的信号延迟。[应用例9在上述检测装置中，上述第1晶体管和上述第2晶体管的 沟道长度方向在俯视情况下与上述扫描线的延伸方向垂直。根据这样的结构，可以把在与扫描线垂直的方向上延伸的布线与第1 晶体管和第2晶体管重叠，从而能够高密度地配置这些构成要素。[应用例10在上述检测装置中，上述第1电容元件具有第1电极和第 2电极，上述第1晶体管的沟道区域和上述第2晶体管的沟道区域在俯视 情况下被上述第1电极和上述第2电极的至少一方所覆盖。根据这样的结构，由于第1晶体管的沟道区域和笫2晶体管的沟道区 域在俯视情况下被第1电极和第2电极中的至少一方覆盖，所以能够利用 l个或2个遮光层遮挡沟道区域。因此，可降低第1晶体管和第2晶体管 的截止电流。在上述结构中，也可以把第1电源线与第2电源线电连接。 即，也可以共用第1电源线和第2电源线。这样，可筒化检测装置的电路 结构。而且，可简化单位电路的层结构以及实现单位电路的高密度化.[应用例11在上述检测装置中，上述第1电极被兼用做上述检测元件 的电极。根据这样的结构，可分别扩大第1电容元件和检测元件的占有面积。应用例12] —种检测装置，具有配置在上iC^l上的多条扫 描线、多条检测线、多条第l电源线、多条第2电源线；以Ut应于上述 扫描线与上述检测线的交叉点而设置的多个单位电路，上述单位电路具 有第1晶体管，其第1端子与上述检测线连接，第2端子与上述第1电 源线连接，并且向上述检测线供给与栅电极的电位对应的检测信号；检测 元件，其与上述笫1晶体管的栅电极连接，使上述第1晶体管的栅极电位 按照外界因素变化；第2晶体管，其第l端子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测装置，具有：基板；配置在上述基板上的多条扫描线、多条检测线、多条第１电源线、多条第２电源线；以及对应于上述扫描线与上述检测线的交叉点而设置的多个单位电路，其特征在于，　上述单位电路具有：　第１晶体管，其第１端子与上述检测线连接，第２端子与上述第１电源线连接，并且向上述检测线供给与栅电极的电位对应的检测信号；　检测元件，其与上述第１晶体管的栅电极连接，使上述第１晶体管的栅极电位按照外界因素而变化；　第２晶体管，其第１端子与上述第１晶体管的栅电极连接，第２端子与上述第２电源线连接，并且栅电极与上述扫描线连接；以及　第１电容元件，其保持上述第１晶体管的栅极电位，　上述扫描线，形成在与上述第１晶体管的栅电极和上述第２晶体管的栅电极不同的层中，并且被配置为在俯视情况下与上述第２晶体管的栅电极的至少一部分重叠。

【技术特征摘要】
JP 2007-6-22 2007-164686;JP 2007-6-22 2007-164687;1.一种检测装置，具有基板；配置在上述基板上的多条扫描线、多条检测线、多条第1电源线、多条第2电源线；以及对应于上述扫描线与上述检测线的交叉点而设置的多个单位电路，其特征在于，上述单位电路具有第1晶体管，其第1端子与上述检测线连接，第2端子与上述第1电源线连接，并且向上述检测线供给与栅电极的电位对应的检测信号；检测元件，其与上述第1晶体管的栅电极连接，使上述第1晶体管的栅极电位按照外界因素而变化；第2晶体管，其第1端子与上述第1晶体管的栅电极连接，第2端子与上述第2电源线连接，并且栅电极与上述扫描线连接；以及第1电容元件，其保持上述第1晶体管的栅极电位，上述扫描线，形成在与上述第1晶体管的栅电极和上述第2晶体管的栅电极不同的层中，并且被配置为在俯视情况下与上述第2晶体管的栅电极的至少一部分重叠。2. 根据权利要求l所述的检测装置，其特征在于，上述扫描线和上述第2晶体管的栅电极，在上述第2晶体管的栅电 极上，通过在上述基板的法线方向所形成的接触孔电连接。3. 根据权利要求l所述的检测装置，其特征在于，上述第1晶体管的沟道区域和上述第2晶体管的沟道区域被配置成 相对上述扫描线的延伸方向具有一定的角度，上述扫描线被配置为在俯视情况下横跨上述第1晶体管的沟道区域 和上述第2晶体管的沟道区域。4. 根据权利要求l所述的检测装置，其特征在于，上述检测线和上述第2电源线形成在不同的层中，上述检测线被配置成在俯视情况下沿着上述第2电源线的延伸方向 延伸，并且其至少一部分与上述第2电源线重叠。5. 根据权利要求l所述的检测装置，其特征在于， 上述单位电路的行中沿着相邻的上述行配置的2条上述第1电源线，形成在相互不同的层中。6. 根据权利要求l所述的检测装置，其特征在于，上述第1晶体管其沟道长度的方向，是沿着上述笫2晶体管的沟道 长度方向延伸的方向。7. 根据权利要求6所述的检测装置，其特征在于，上述第1晶体管和上述第2晶体管，被配置成其沟道长度方向在俯 视情况下与上述扫描线的延伸方向和上述检测线的延伸方向交叉。8. 根据权利要求6所述的检测装置，其特征在于，在俯视情况下沿着上述扫描线的延伸方向配置有上述第1晶体管的 第1端子和上述第2晶体管的第1端子，在俯视情况下沿着上述扫描线 的延伸方向配置有上述第1晶体管的第2端子和上述第2晶体管的第29. 根据权利要求6所述的检测装置，其特征在于，上述第1晶体管和上述第2晶体管其沟道长度方向在俯视情况下与 上述扫描线的延伸方向垂直。10. 根据权利要求l所述的检测装置，其特征在于， 上述第1电容元件具有第1电极和第2电极，上述第1晶体管的沟道区域和上述第2晶体管的沟道区域，在俯视 情况下被上述第1电极和上述第2电极中的至少一方所覆盖。11. 根据权利要求10所述的检测装置，其特征在于， 上述第1电极被兼用作上述检测元件的电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：神田荣二，野泽陵一，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]