一种Lightning公头、数据线装置和充电系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及充电技术的技术领域，公开了一种Lightning公头、数据线装置和充电系统，包括主控单元、接口以及MOS管，MOS管分别与接口的地线引脚和接地端口连接，且其栅极与主控单元的控制端口连接以实现通断，MOS管为N沟道MOS管。本实用新型专利技术的有益效果是，通过在Lightning公头中采用N沟道MOS管，在使用相同的物料成本下，其中N沟道MOS管的内阻相对P沟道MOS管的内阻更低，使得使用N沟道MOS管的充电线的Lightning公头在大电流工作状态中的发热的情况减少，提高了充电线的Lightning公头的使用寿命。的使用寿命。的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种Lightning公头、数据线装置和充电系统


[0001]本技术涉及充电技术的
，具体而言，涉及一种Lightning公头、数据线装置和充电系统。

技术介绍

[0002]充电线通过自带的线头插入到外部的充电设备，以为外部的充电设备进行充电，其中苹果类型手机的充电线的线头为Lightning公头。
[0003]目前市面上充电线的线头，尤其是Lightning公头中，会在线头中加入开关MOS管以及主控单元来控制充电行为，防止过充或空载通电。
[0004]现有的Lightning公头的控制电路采用的开关三极管均采用P沟道MOS管，而P沟道MOS管的内阻较高，Lightning公头在大电流通电工作时，会发热严重。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种Lightning公头、数据线装置和充电系统，旨在解决现有技术中Lightning公头在大电流工作状态中的发热问题。
[0006]本技术是这样实现的，一种Lightning公头，包括主控单元、接口以及MOS管，所述MOS管分别与接口的地线引脚和接地端口连接，且其栅极与所述主控单元的控制端口连接以实现通断，所述MOS管为N沟道MOS管。
[0007]其中，优选的是，所述主控单元还包括供电端口，所述供电端口和接口的电源引脚均与电源端连接。
[0008]其中，优选的是，还包括滤波单元，所述主控单元还包括滤波端口，所述滤波端口与所述滤波单元连接以滤波。
[0009]其中，优选的是，所述滤波单元包括第一电容，所述第一电容的一端连接所述主控单元的滤波端口，其另一端接地。
[0010]其中，优选的是，所述MOS管的源极与接口的地线引脚连接，其漏极与接地端口连接。
[0011]其中，优选的是，所述Lightning公头还包括电路板，所述接口设置在所述电路板前端，所述MOS管、主控单元设置在所述电路板。
[0012]其中，优选的是，所述电路板设置第一电阻以及第二电阻，所述第一电阻分别与供电端口和接口的电源引脚连接，所述第二电阻分别与MOS管的源极和漏极连接。
[0013]其中，优选的是，包括外壳和接线端，所述外壳上固定所述接线端，所述接线端与外部数据线连接，所述接口的地线引脚、电源引脚与所述接线端对应连接。
[0014]第二方面，本技术提供一种数据线装置，包括如上所述的Lightning公头，还包括数据线以及Type
‑
C接头和/或USB接头，所述Type
‑
C接头和/或所述USB接头通过数据线连接所述Lightning公头。
[0015]第三方面，本技术提供一种充电系统，包括如上所述的数据线装置，还包括移
动设备以及充电适配座，所述数据线装置连接所述充电适配座，所述数据线装置连接所述移动设备，所述充电适配座连接市电以供移动设备充电。
[0016]与现有技术相比，本技术提供的一种Lightning公头、数据线装置和充电系统，通过在Lightning公头中采用N沟道MOS管，在使用相同的物料成本下，其中N沟道MOS管的内阻相对P沟道MOS管的内阻更低，使得使用N沟道MOS管的充电线的Lightning公头在大电流工作状态中的发热降低，提高了充电线的Lightning公头的使用寿命。
附图说明
[0017]下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中：
[0018]图1是本技术实施例提供的一种基于Lightning公头的控制电路的电路示意图；
[0019]图2是本技术实施例提供的一种Lightning公头的连接示意图；
[0020]图3是本技术实施例提供的一种数据线装置的连接示意图；
[0021]图4是本技术实施例提供的一种数据线装置的连接示意图；
[0022]图5是本技术实施例提供的一种数据线装置的连接示意图；
[0023]图6是本技术实施例提供的一种充电系统的连接示意图。
具体实施方式
[0024]现结合附图，对本技术的实施例作详细说明。
[0025]如图1所示，为本技术提供的一种基于Lightning公头120的控制电路的优选实施例。
[0026]一种Lightning公头120，包括主控单元10，接口20以及MOS管Q1，MOS管Q1分别与接口20的地线引脚和接地端口连接，且其栅极与主控单元10的控制端口连接；具体地，接口20的地线引脚连接MOS管Q1的源极，接口20的正极连接电源以及主控单元10，主控单元10的控制端口连接MOS管Q1的栅极，MOS管Q1为N沟道MOS管接口20,接口20与外部待充电设备160插接，MOS管Q1用于阻断或导通；通过在Lightning公头120中采用N沟道MOS管Q1，在使用相同的物料成本下，其中N沟道MOS管Q1的内阻相对P沟道MOS管Q1的内阻更低，使得使用N沟道MOS管Q1的充电线的Lightning公头120在大电流工作状态中的发热降低，提高了充电线的Lightning公头120的使用寿命；进一步地，本实施例中使用的N沟道MOS管Q1为N沟道增强型MOS管Q1，使用N沟道增强型MOS管Q1的充电线的Lightning公头120在空载状况下，不管高低压状况，MOS管Q1始终处于关闭状态，提高了充电线的Lightning公头120的使用寿命；主控单元10包括用于发出通断信号的门控端口GATE，门控端口GATE形成主控单元10的控制端口，以发出通断信号控制MOS管Q1导通或阻断，以实现接口20地线引脚和接地端口的导通或阻断，进一步地，N沟道MOS管Q1在源极存在高压的情况下，当栅极由主控单元10的门控端口GATE传输的一个通断信号的电流使电路导通才能导通，从而提升Lightning公头120的使用寿命。
[0027]本实例中，主控单元10还包括接地端口GND、供电端口USB5V以及数据传输端口DATA，接地端口GND接地，供电端口USB5V和接口20的电源引脚均与电源端连接，供电端口USB5V用于为主控单元10供电激活，数据传输端口DATA与外部数据源连接以传输数据。
[0028]本实施例中，Lightning公头还包括滤波单元90，主控单元10还包括滤波端口，滤波端口与滤波单元90连接以滤波，通过设置滤波单元90，用于滤掉电流中的杂乱信号，防止主控单元10受到影响，而且滤波单元90有利于减轻主控单元10的压力；滤波单元90包括第一电容，第一电容的一端连接主控单元10的滤波端口，其另一端接地，第一电容可以用于隔绝低频的信号，保证主控单元10不会被低频信号影响。
[0029]本实施例中，接口20包括地线引脚1、数据正极引脚2、数据负极引脚3以及电源引脚4，地线引脚1与MOS管Q1的源极连接，MOS管的源极与接口20的地线引脚连接，其漏极与接地端口连接，数据正极引脚2以及数据负极引脚3用于传输数据，其中数据正极引脚2以及数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Lightning公头，包括主控单元、接口以及MOS管，所述MOS管分别与接口的地线引脚和接地端口连接，且其栅极与所述主控单元的控制端口连接以实现通断，其特征在于，所述MOS管为N沟道MOS管。2.如权利要求1所述的Lightning公头，其特征在于，所述主控单元还包括供电端口，所述供电端口和接口的电源引脚均与电源端连接。3.如权利要求1或2所述的Lightning公头，其特征在于，还包括滤波单元，所述主控单元还包括滤波端口，所述滤波端口与所述滤波单元连接以滤波。4.如权利要求3所述的Lightning公头，其特征在于，所述滤波单元包括第一电容，所述第一电容的一端连接所述主控单元的滤波端口，其另一端接地。5.如权利要求1所述的Lightning公头，其特征在于，所述MOS管的源极与接口的地线引脚连接，其漏极与接地端口连接。6.如权利要求1所述的Lightning公头，其特征在于，所述Lightning公头还包括电路板，所述接口设置在所述电路板前端，所述MOS管、主控单元设置在...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞直友，
申请(专利权)人：深圳市质友精密电子有限公司，
类型：新型
国别省市：