【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有选择栅、浮栅、控制栅以及擦除栅的非易失性闪速存储单元,其中所述擦除栅具有与浮栅呈一定尺寸比例的突出部 分。本专利技术还涉及该闪速存储单元的阵列,以及该单元和阵列的制造方法。
技术介绍
具有选择栅、浮栅、控制栅以及擦除栅的分裂栅非易失性闪速 存储单元在本领域中是公知的,例如参见美国专利6,747,310。本领域中还 公知的是在浮栅上具有突出部分的擦除栅,例如参见美国专利5,242,848。 通过全部引用而将上述两个在先^^开包含于此。迄今为止,在现有技术中并未教导或/>开过擦除栅的相对浮棚-的突出部分能够在一定限度内提高擦除效率。因此,本专利技术的目的之一是通过擦除栅和浮栅之间的某种尺寸 关系来提高这种存储单元的擦除效率。
技术实现思路
在本专利技术中,分裂栅非易失性存储单元被制造在第一导电类型的 基本上单晶的衬底中。所述存储单元具有第二导电类型的第一区域、第二 导电类型的第二区域、以及在所述衬底中所述第 一 区域和所述第二区域之 间的沟道区。所述存储单元具有与所述沟道区的第 一部分绝缘且相间隔的 选择栅。所述存储单元还具有与所述沟道区的第二部分绝缘且相间隔的浮 栅。所述浮栅具有最接近于所述选择栅的第一末端,以及最远离于所述选 择栅的第二末端。与所述衬底绝缘且相隔离的擦除栅,其最接近于所述浮 栅的第二末端。与所述浮栅、所述选择栅以及所述擦除栅绝缘且相间隔的 控制栅,其被布置于所述浮栅上方,并在所述擦除栅和所述选择栅之间。 所述擦除栅还具有两个电连接的部分横向邻近且绝缘于所述浮栅的第二末端的第一部分,以及叠加在所述浮栅上方且与之相绝缘 ...
【技术保护点】
一种在第一导电类型的基本上单晶的衬底中的非易失性存储单元,具有第二导电类型的第一区域、第二导电类型的第二区域、以及在所述衬底中所述第一区域和所述第二区域之间的沟道区;与所述沟道区的第一部分绝缘且相间隔的选择栅;与所述沟道区的第二部分绝缘且相间隔的浮栅,所述浮栅具有最接近于所述选择栅的第一末端,以及最远离于所述选择栅的第二末端;与所述衬底绝缘且相隔离的擦除栅,其最接近于所述浮栅的第二末端;与所述浮栅、所述选择栅以及所述擦除栅绝缘且相间隔的控制栅,其被布置于所述浮栅之上,并在所述擦除栅和所述选择栅之间,其中所做的改进包括: 所述擦除栅具有两个电连接的部分:横向邻近且绝缘于所述浮栅的第二末端的第一部分,以及覆在所述浮栅上方并与之相绝缘且邻近所述控制栅的第二部分; 其中所述擦除栅的第二部分与所述浮栅间隔有第一距离,所述第一距离是在基本上与从第一区域指向第二区域的方向相垂直的方向上测量的; 其中所述擦除栅的第二部分具有最接近于所述控制栅的末端,并且所述擦除栅的第一部分具有最接近于所述浮栅的末端; 其中所述擦除栅的第二部分以第二距离叠加所述浮栅上方,所述第二距离是在大体上与第一距离的方向相垂直的方 ...
【技术特征摘要】
US 2007-8-6 11/8345741.一种在第一导电类型的基本上单晶的衬底中的非易失性存储单元,具有第二导电类型的第一区域、第二导电类型的第二区域、以及在所述衬底中所述第一区域和所述第二区域之间的沟道区;与所述沟道区的第一部分绝缘且相间隔的选择栅;与所述沟道区的第二部分绝缘且相间隔的浮栅,所述浮栅具有最接近于所述选择栅的第一末端,以及最远离于所述选择栅的第二末端;与所述衬底绝缘且相隔离的擦除栅,其最接近于所述浮栅的第二末端;与所述浮栅、所述选择栅以及所述擦除栅绝缘且相间隔的控制栅,其被布置于所述浮栅之上,并在所述擦除栅和所述选择栅之间,其中所做的改进包括所述擦除栅具有两个电连接的部分横向邻近且绝缘于所述浮栅的第二末端的第一部分,以及覆在所述浮栅上方并与之相绝缘且邻近所述控制栅的第二部分;其中所述擦除栅的第二部分与所述浮栅间隔有第一距离,所述第一距离是在基本上与从第一区域指向第二区域的方向相垂直的方向上测量的;其中所述擦除栅的第二部分具有最接近于所述控制栅的末端,并且所述擦除栅的第一部分具有最接近于所述浮栅的末端;其中所述擦除栅的第二部分以第二距离叠加所述浮栅上方,所述第二距离是在大体上与第一距离的方向相垂直的方向上,从最接近于所述控制栅的所述擦除栅的第二部分的末端到最接近于所述浮栅的所述擦除栅的第一部分的末端进行测量的;以及其中所述第二距离与第一距离的比值大约在1.0和2.5之间。2. 权利要求1的存储单元,其中所述擦除栅的两个部分是整体形成的。3. 权利要求1的存储单元,其中所述擦除栅的两个部分是电连接在一 起的两个分开的部分。4. 权利要求2的存储单元,其中所述浮栅具有尖角,所述角位于所述 浮栅的第二末端,并最接近于所述擦除栅的第一部分。5. 权利要求4的存储单元,其中所述角能够在擦除操作期间促进电子 从所述浮栅流向所述擦除栅。6. 权利要求2的存储单元,其中所述浮栅绝缘并相间隔于所述第二区 域的 一部分,并且所述擦除栅与所述第二区域绝缘并留有间隔。7. 权利要求6的存储单元,其中所述沟道区的第一部分紧接所述第一 区域,所述沟道区的第 一部分的上方是与其绝缘且相间隔的选择栅。8. 权利要求2的存储单元,其中所述选择栅和所述浮栅的第一末端被 复合绝缘材料所分开。9. 权利要求8的存储单元,其中所述复合绝缘材料为二氧化硅和氮化硅。10. 权利要求2的存储单元,其中所述选择栅与所述浮栅的第一末端 被均质绝缘材料所分开。11. 权利要求10的存储单元,其中所述均质绝缘材料为二氧化硅。12. —种非易失性存储单元的阵列,包括 为第一导电类型的基本上单晶材料的衬底;多个非易失性...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘娴,A李维,A康托夫,Y托卡谢弗,V马科夫,JY贾,CS苏,胡耀文,
申请(专利权)人:美商矽储科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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