一种片式二极管及其制备方法技术

一种片式二极管，以基板为基础，在基板一面的两端附有背电极、在基板的另一面依次附有底层导电膜、绝缘保护膜、上层导电膜、表层保护层以及基片两端的端电极，所述的底层导电膜与上层导电膜之间有２个半导体芯片，半导体芯片相互间有间隙，形成半导体芯片以并联方式连接。该二极管在一些触发的高、低电平电路中广泛应用。利用厚膜丝网印刷技术制备上述二极管，该方法工艺先进、成本低廉、绿色环保。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其涉及一种芯片并联方式、 共阴极、共阳极、共阴阳极的片式二极管及其制备方法。
技术介绍
中国专利CN1150336公开了一种陶瓷片型半导体二极管及制造方法，是在 预制的陶瓷板状壳体上设有一个半导体二极管芯片的安装座，该芯片藉玻璃 构接在安装座上，芯片的两个电极层须作电气回路连接的部位应不被玻璃覆 盖，在芯片的两个电极层分别设有一个导电件，并延伸至壳体两端，形成外 接端子，在芯片部位上设有玻璃绝缘覆盖层，由此制成外形为片形的半导体 二极管。中国专利CN1722469公开了一种二极管及其制备方法，在本专利技术的二极管 中，表层电极、极性标记位于基片的上表层，而底层电极、芯片、上层电极 等位于基片的下表层，这样的产品弯板后焊点可靠。上述产品的制备方法都用了片式电阻的丝网印刷厚膜技术，制得片式二 极管，但这些二极管芯片只有一个，在一些触发(高、低电平)电路中， 一般 采用两粒4148二极管产品以共阴的形式连接在电路中，形成或门关系，如图 1所示。由于此种电路是采用两粒二极管产品以焊接连接方式形成，因此存 在占用电路板空间大、操作麻烦等缺点。
技术实现思路
本专利技术需解决的技术问题是提供一种适用于触发(高、低电平)电路中的 片式二极管，本专利技术需解决的另一技术问题是提供这种二极管的制备方法。本专利技术的技术方案是 一种片式二极管，以基板为基础，在基板一面的 两端附有背电极、在基板的另一面依次附有底层导电膜、绝缘保护膜、上层导电膜、表层保护层以及基片两端的端电极，所述的底层导电膜与上层导电膜之间有2个半导体芯片，半导体芯片相互间有间隙，形成半导体芯片以并联 方式连接。该二极管在一些触发(高、低电平)电路中广泛应用。进一步在上述的片式二极管中，所述的端电极由三层导电金属层组成， 位于二极管的阴极端电极最内导电金属层是阴极端面层和位于二极管的阳极 端电极最内导电金属层是阳极端面层；半导体芯片的阴极通过银胶层粘接在 整张底层导电膜上，由底层导电膜引出并与阴极端面层相连；所述的阳极端 面层的中间有阳极凹口，阳极凹口将阳极端面层分隔为两部份，半导体芯片 阳极由二条隔开的上层导电膜引出并分别与阳极凹口隔开的两部份阳极端面 层相连，实现半导体芯片共阴极连接。或者所述的阴极端面层的中间有阴极凹口，阴极凹口将阴极端面层分 隔为两部份，半导体芯片的阴极通过银胶层分别粘接在二条隔开的底层导电 膜上，由底层导电膜引出并分别与阴极凹口隔开的两部份阴极端面层相连； 半导体芯片阳极由整片上层导电膜引出并与阳极端面层相连，实现半导体芯 片共阳极连接。或者所述的阴极端面层的中间有阴极凹口，阴极凹口将阴极端面层分 隔为两部份，所述的阳极端面层的中间有阳极凹口，阳极凹口将阳极端面层 分隔为两部份；半导体芯片的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜 上，由底层导电膜引出并分别与阴极凹口分隔开的两部份阴极端面层相连， 半导体芯片阳极由二条隔开的上层导电膜引出并分别与阳极凹口隔开的两部 份阳极端面层相连；在一条底层导电膜搭接一条附加底层导电膜二，附加底层 导电膜二另一端搭接另一半导体芯片阳极对应的部份阳极端面层，通过阳极 端面层实现半导体芯片共阴阳式连接。或者所述的阴极端面层的中间有阴极凹口，阴极凹口将阴极端面层分 隔为两部份，所述的阳极端面层的中间有阳极凹口，阳极凹口将阳极端面层 分隔为两部份；半导体芯片的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜 上，由底层导电膜引出并分别与阴极凹口分隔开的两部份阴极端面层相连， 半导体芯片阳极由二条隔开的上层导电膜引出并分别与阳极凹口隔开的两部 份阳极端面层相连；在一条上层导电膜搭接一条附加上层导电膜二，附加导电膜二另一端搭接另一半导体芯片阴极对应的部份阴极端面层，通过阴极端面 层实现半导体芯片共阴阳式连接。或者所述的阴极端面层的中间有阴极凹口，阴极凹口将阴极端面层分 隔为两部份，所述的阳极端面层的中间有阳极凹口，阳极凹口将阳极端面层 分隔为两部份；半导体芯片的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜 上，半导体芯片阳极由二条隔开的上层导电膜引出；其中一条底层导电膜连 接阳极凹口隔开的对应部份阳极端面层，对应的半导体芯片阳极上的一条上 层导电膜连接阴极凹口隔开的对应部份阴极端面层；另一条底层导电膜连接 由阴极凹口隔开的两部份阴极端面层，对应的半导体芯片阳极上另一条上层 导电膜连接阳极凹口隔开的对应部份阳极端面层，通过阴极端面层实现半导 体芯片共阴阳式连接。或者所述的阴极端面层的中间有阴极凹口，阴极凹口将阴极端面层分 隔为两部份，所述的阳极端面层的中间有阳极凹口，阳极凹口将阳极端面层 分隔为两部份；半导体芯片的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜 上，半导体芯片阳极由二条隔开的上层导电膜引出；其中一条底层导电膜连 接阳极凹口隔开的两部份阳极端面层，对应的半导体芯片阳极上的一条上层 导电膜连接阴极凹口隔开的对应部份阴极端面层；另一条底层导电膜连接由 阴极凹口隔开的对应部份阴极端面层，对应的半导体芯片阳极上另一条上层 导电膜连接阳极凹口隔开的对应部份阳极端面层，通过阳极端面层实现半导 体芯片共阴阳极连接。或者所述的阴极端面层的中间有阴极凹口，阴极凹口将阴极端面层分 隔为两部份，所述的阳极端面层的中间有阳极凹口，阳极凹口将阳极端面层 分隔为两部份；半导体芯片的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜 上，半导体芯片阳极由二条隔开的上层导电膜引出；其中一条底层导电膜连 接阳极凹口隔开的对应部份阳极端面层，对应的半导体芯片阳极上的一条上 层导电膜连接阴极凹口隔开的两部份阴极端面层；另一条底层导电膜连接由 阴极凹口隔开的对应部份阴极端面层，对应的半导体芯片阳极上另一条上层 导电膜连接阳极凹口隔开的对应部份阳极端面层，通过阴极端面层实现半导 体芯片共阴阳式连接。或者所述的阴极端面层的中间有阴极凹口，阴极凹口将阴极端面层分 隔为两部份，所述的阳极端面层的中间有阳极凹口，阳极凹口将阳极端面层 分隔为两部份；半导体芯片的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜 上，半导体芯片阳极由二条隔开的上层导电膜引出；其中一条底层导电膜连 接阳极凹口隔开的对应部份阳极端面层，对应的半导体芯片阳极上的一条上 层导电膜连接阴极凹口隔开的对应部份阴极端面层；另一条底层导电膜连接 由阴极凹口隔开的对应部份阴极端面层，对应的半导体芯片阳极上另一条上 层导电膜连接阳极凹口隔开的两部份阳极端面层，通过阳极端面层实现半导 体芯片共阴阳式连接。再进一步所述底层导电膜层与上层导电膜层之间的剩余空间由绝缘保 护膜填隙。所述的端电极由三层导电金属层组成，由内向外依次是镍铬金属层、镍金属层、锡金属层；所述的阴极端面层和阳极端面层是镍铬金属层； 或者所述的端电极由三层导电金属层组成，由内向外依次是银金属层、镍 金属层、锡金属层；所述的阴极端面层和阳极端面层是银金属层。本专利技术的另一技术方案是 一种制备上述片式二极管的方法，基板上有 划槽面，在基板的划槽面上形成背电极、在基板另一面形成芯体、折条后形 成端面层，折粒后镀金属层的过程，所述的芯体形成步骤为，A、 在陶瓷基板设定面用丝网印刷的方法印上树脂浆料，再在180 210 'C的温度下固化，根据不同的网框结构形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片式二极管，以基板为基础，在基板（１）一面的两端附有背电极（２）、在基板（１）的另一面依次附有底层导电膜（３）、绝缘保护膜（５）、上层导电膜（６）、表层保护层（７）以及基片两端的端电极，其特征在于：所述的底层导电膜（３）与上层导电膜（６）之间有２个半导体芯片，半导体芯片（４）相互间有间隙，形成半导体芯片（４）以并联方式连接。

【技术特征摘要】
1.一种片式二极管，以基板为基础，在基板(1)一面的两端附有背电极(2)、在基板(1)的另一面依次附有底层导电膜(3)、绝缘保护膜(5)、上层导电膜(6)、表层保护层(7)以及基片两端的端电极，其特征在于所述的底层导电膜(3)与上层导电膜(6)之间有2个半导体芯片，半导体芯片(4)相互间有间隙，形成半导体芯片(4)以并联方式连接。2、 根据权利要求l所述的片式二极管，其特征在于所述的端电极由三 层导电金属层组成，位于二极管的阴极端电极最内导电金属层是阴极端面层(8)和位于二极管的阳极端电极最内导电金属层是阳极端面层(9)。3、 根据权利要求2所述的片式二极管，其特征在于半导体芯片(4)的 阴极通过银胶层粘接在整张底层导电膜(3)上，由底层导电膜(3)引出并 与阴极端面层(8)相连；所述的阳极端面层(9)的中间有阳极凹口 (121)，阳极凹口 (121)将阳 极端面层(9)分隔为两部份，半导体芯片(4)阳极由二条隔开的上层导电 膜(6)引出并分别与阳极凹口隔开的两部份阳极端面层(9)相连，实现半 导体芯片(4)共阴极连接。4、 根据权利要求2所述的片式二极管，其特征在于所述的阴极端面层 (8)的中间有阴极凹口 (12)，阴极凹口 (12)将阴极端面层(8)分隔为两部份，半导体芯片(4)的阴极通过银胶层分别粘接在二条隔开的底层导电膜 (3)上，由底层导电膜(3)引出并分别与阴极凹口隔开的两部份阴极端面 层(8)相连；半导体芯片(4)阳极由整片上层导电膜(6)引出并与阳极端 面层(9)相连，实现半导体芯片(4)共阳极连接。5、 根据权利要求2所述的片式二极管，其特征在于所述的阴极端面层 (8)的中间有阴极凹口 (12),阴极凹口 (12)将阴极端面层(9)分隔为两部份，所述的阳极端面层(9)的中间有阳极凹口 (121)，阳极凹口 (121)将 阳极端面层(9)分隔为两部份；半导体芯片(4)的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜(3) 上，由底层导电膜(3)引出并分别与阴极凹口 (12)分隔开的两部份阴极端 面层(8)相连，半导体芯片(4)阳极由二条隔开的上层导电膜(6)引出并 分别与阳极凹口 (121)隔开的两部份阳极端面层(9)相连；在一条底层导电膜(3)搭接一条附加底层导电膜二 (32)'，附加底层导 电膜二 (32)另一端搭接另一半导体芯片(4)阳极对应的部份阳极端面层 (9)，通过阳极端面层(9)实现半导体芯片(4)共阴阳式连接；或者，在一条上层导电膜(6)搭接一条附加上层导电膜二 (62),附加 导电膜二 (62)另一端搭接另一半导体芯片(4)阴极对应的部份阴极端面 层(8)，通过阴极端面层(8)实现半导体芯片(4)共阴阳式连接。6、根据权利要求2所述的片式二极管，其特征在于所述的阴极端面层(8) 的中间有阴极凹口 (12)，阴极凹口 (12)将阴极端面层(9)分隔为两 部份，所述的阳极端面层(9)的中间有阳极凹口 (121)，阳极凹口 (121)将 阳极端面层(9)分隔为两部份；半导体芯片(4)的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜(3) 上，半导体芯片(4)阳极由二条隔开的上层导电膜(6)引出；其中一条底层导电膜连接阳极凹口 U21)隔开的对应部份阳极端面层(9) ,对应的半导体芯片阳极上的一条上层导电膜连接阴极凹口 (12)隔开 的对应部份阴极端面层(8);另一条底层导电膜连接由阴极凹口 (12)隔开 的两部份阴极端面层(8)，对应的半导体芯片阳极上另一条上层导电膜连接 阳极凹口 (121)隔开的对应部份阳极端面层，通过阴极端面层实现半导体芯 片(4)共阴阳式连接；或者其中一条底层导电膜连接阳极凹口...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志坚，张远生，杨晓平，杨理强，林伯流，兰昌云，赖燕琼，
申请(专利权)人：广东风华高新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]