本发明专利技术提供了一种对准标记及其形成方法，具体为在一衬底上依次形成场氧化层、栅多晶硅层和金属前介质层，分别在场氧化层、栅多晶硅层和金属前介质层中依次形成相通的沟槽，将垒叠的多层沟槽作为该对准标记。本发明专利技术提供的对准标记及其形成方法使得金属前介质层的对准标记的沟槽深度加深，光刻时对准机台获取对准标记的光学信号变得更为容易，解决因对准标记过浅而产生的对准精度下降或无法对准的问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体管的制造方法的
，特别涉及一种新型的接触窗层 的对准标记及其形成方法。
技术介绍
普通的接触窗层对准标记，是做在切割道的有源区上，利用接触窗层的光 刻和蚀刻，在金属前介质层上产生沟槽形成对准标记。晶面金属层光刻对准时， 光刻对准机台通过获取接触窗层对准标记的光学信号来达到对准的目的。如图1 所示，公知技术中接触窗层对准标记的形成是在切割道区域的单晶硅衬底11上的金属前介质层12上，利用光罩来光刻和蚀刻场金属前介质层形成沟槽，得到 接触窗层对准标记。平面功率晶体管的制造工艺中，通常金属前介质层的厚度 约为l-l.lpm，所以接触窗层对准标记沟槽的深度也在1-1.1 Pm范围内，然而 晶面金属层的厚度一般在3um以上，这就使得在晶面金属层沉积上去后，接触 窗层对准标记沟槽处趋于平坦，造成光刻对准机台很难获取接触窗层对准标记 的光学信号，产生对准精度下降或无法对准的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新的对准标记及其形成方法，解决对准困难， 对准信号难以获取等问题，使对准的精度提高。本专利技术提供了一种对准标记，在一衬底上依次形成有场氧化层、栅多晶硅 层和金属前介质层，分别在场氧化层、栅多晶硅层和金属前介质层中依次形成 相通的沟槽，将垒叠的多层沟槽作为该对准标记。本专利技术提供了一种对准标记的形成方法，至少包括提供一衬底；形成场氧化层覆盖该衬底，在切割道上的对准标记区域的场氧化层上形成形成栅多晶硅层覆盖该场氧化层，在覆盖上述切割道处的对准标记区域的 上述栅多晶硅层上再形成沟槽；形成金属前介质层覆盖该栅多晶硅层，在覆盖上述切割道处的对准标记区 域的上述金属前介质层上再形成沟槽，以形成一对准标记。作为优选，该形成方法中利用光刻和蚀刻形成上述沟槽。作为优选，该形成方法中上述对准标记呈阶梯状。本专利技术提供的对准标记及其形成方法使得金属前介质层的对准标记的沟槽 深度加深，光刻时对准机台获取对准标记的光学信号变得更为容易，解决因对 准标记过浅而产生的对准精度下降或无法对准的问题。下面结合附图，对本专利技术的具体实施方式作进一步的详细说明。对于所属
的技术人员而言，从对本专利技术的详细说明中，本专利技术的上述和其他目 的、特征和优点将显而易见。附图说明图1为现有技术中的对准标记的示意图。图2A表示本专利技术一较佳实施例的有源层光罩。图2B为本专利技术一较佳实施例的光刻后的场氧化层的剖面图。图3A表示本专利技术一较佳实施例的叠对后的栅多晶硅层光罩和有源层光罩。图3B为本专利技术一较佳实施例的光刻后的场氧化层和栅多晶硅层的剖面图。图4A表示本专利技术一较佳实施例的叠对后的栅多晶硅层光罩、有源层光罩和 接触窗层光罩。图4B为本专利技术一较佳实施例的光刻后的场氧化层、栅多晶硅层和金属前介 质层的剖面图。具体实施例方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术所述的一种新型的接触窗层的对准标 记作进一步的详细说明。图2A和2B为本专利技术一较佳实施例的对准标记的第一步，利用有源层光罩 31对单晶硅衬底21上的场氧化层22进行光刻或蚀刻处理，在切割道上对准标 记区域开始蚀刻，形成沟槽，形状如图2B所示，在本实施例中，场氧化层22 的厚度为lPm，当然，场氧化层的厚度，沟槽个数和形状可以是任意的，不受 本实施例的限制。图3A和3B为本专利技术一较佳实施例的对准标记的第二步，首先在场氧化层 22上增加一层栅多晶硅层23，利用栅多晶硅层光罩32将栅多晶硅层23进行光 刻或蚀刻处理，在切割道上对准标记区域开始蚀刻，形成沟槽，如图3B所示， 其中，栅多晶硅层23的沟槽大于场氧化层22的沟槽，因此沟槽处呈阶梯状， 栅多晶硅层光罩32比有源层光罩31的开口大，在本实施例中，栅多晶硅层23 的厚度为0.6um,当然，栅多晶硅层的厚度，沟槽个数和形状可以是任意的， 不受本实施例的限制。图4A和4B为本专利技术一较佳实施例的对准标记的第三步，首先在栅多晶硅 层23上增加一层金属前介质层24，再利用光罩33将金属前介质层24进行光刻 或蚀刻处理，在切割道上对准标记区域开始蚀刻，形成沟槽，即对准标记，如 图4B所示，其中，金属前介质层24的沟槽大于栅多晶硅层23的沟槽，因此沟 槽处呈阶梯状，光罩33比栅多晶硅层光罩32的开口大，在本实施例中，金属 前介质层24的厚度为1-1.1 um，当然，金属前介质层的厚度，沟槽个数和形状 可以是任意的，不受本实施例的限制。现有技术中的对准标记的深度大约为金属前介质层的厚度，即约为1-1.1 li m，本实施例中形成的对准标记与现有技术中的对准标记相比，深度约为2.6-2.7 um，是原对准标记的深度的2.5倍左右，因此，在光刻对准时，对准精度下降 或无法对准的问题便可以得到解决。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并非用来限定本专利技术的实施范围；如 果不脱离本专利技术的精神和范围，对本专利技术进行修改或者等同替换的，均应涵盖 在本专利技术的权利要求的保护范围当中。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种对准标记，其特征在于在一衬底上依次形成场氧化层、栅多晶硅层和金属前介质层，分别在场氧化层、栅多晶硅层和金属前介质层中依次形成相通的沟槽，将垒叠的多层沟槽作为该对准标记。
【技术特征摘要】
1.一种对准标记，其特征在于在一衬底上依次形成场氧化层、栅多晶硅层和金属前介质层，分别在场氧化层、栅多晶硅层和金属前介质层中依次形成相通的沟槽，将垒叠的多层沟槽作为该对准标记。2. —种对准标记的形成方法，其特征在于至少包括-提供一衬底；形成场氧化层覆盖该衬底，在切割道上的对准标记区域的场氧化层上形成形成栅多晶硅层覆盖该场氧化...
【专利技术属性】
技术研发人员：石亮，黄清俊，王雪丹，施晓东，武斌，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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