【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种等离子体显示面板和一种用于驱动和制造等离子体 显示面板的方法。
技术介绍
等离子体显示面板包括位于由障壁分割的放电单元内的荧光物层和 多个电极。驱动信号通过所述多个电相^L提供给放电单元,由此在放电单元内产 生放电。在放电的产生期间,被填充在放电单元内的放电气体产生真空紫 外线,该真空紫外线使荧光物层发光,于是产生可见光。通过可见光在等 离子体显示面板的屏幕上显示图像
技术实现思路
附图说明图1示出了根据一种实施方式的等离子体显示面板的结构; 图2示出了图l的结构内的荧光物层; 图3示出了荧光物层的结构;图4示出了在亮度、处理难度和氧化物粒子的大小之间的关系;图5示出了 一种示例性的用于制造荧光物层的方法;图6和7示出了另一种示例性的用于制造荧光物层的方法;图8示出了根据一种实施方式用于在等离子体显示面板中实现图像 的支变级的帧;图9示出了在帧的一个子场期间、根据一种实施方式的等离子体显示 面板的驱动方法的一个示例;图IO示出了光发射和扫描信号的波形;图11和12示出了上升信号的斜率及其与寻址放电稳定性的关系;图13和14是扫描电极上的电压波形;图15是扫描电极上的另一电压波形;图16和17是在不同的子场期间的上升信号的波形;图18示出了上升信号的另一波形;图19示出了扫描电极和寻址电极上的电压波形;图20示出了用于维持时段的波形;图21示出了被提供给寻址电极、扫描电极和维持电极的信号的波形;图22和23是在复位时段期间提供的信号波形和在复位时段期间产生 的放电形式的示意图24示出了被提供给扫描电极和维持电极的信号波形;以及图25示出了在复位 ...
【技术保护点】
一种等离子体显示面板,包括: 前基板; 后基板,该后基板与所述前基板相对设置;以及 荧光物层,位于所述前基板和所述后基板之间,所述荧光物层包括荧光材料粒子和氧化物材料粒子,所述氧化物材料粒子以所述氧化物材料粒子不阻隔来自所述荧光物层中的至少一个荧光材料粒子的在前表面处的照明的方式而被设置于所述荧光物层中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2007-3-2 10-2007-0021100;KR 2007-3-7 10-2007-001.一种等离子体显示面板,包括前基板;后基板,该后基板与所述前基板相对设置;以及荧光物层,位于所述前基板和所述后基板之间,所述荧光物层包括荧光材料粒子和氧化物材料粒子,所述氧化物材料粒子以所述氧化物材料粒子不阻隔来自所述荧光物层中的至少一个荧光材料粒子的在前表面处的照明的方式而被设置于所述荧光物层中。2. 根据权利要求i所述的等离子体显示面板,其中,所述氧化物材 料粒子被设置于所述荧光材料粒子之间。3. 根据权利要求2所述的等离子体显示面板,其中,至少一个氧化 物粒子与其他的氧化物材料粒子隔离开。4. 根据权利要求i所述的等离子体显示面板,其中,至少一个氧化 物材料粒子被完全阻隔。5. 根据权利要求l所述的等离子体显示面板,其中,所述氧化物材料粒子中的至少一个被设置于所述荧光材料粒子中的至少 一个以下。6. 根据权利要求l所述的等离子体显示面板,其中,所述氧化物材 料粒子形成具有不均匀的厚度的氧化物材料粒子层。7. 根据权利要求l所述的等离子体显示面板,其中,所述氧化物材 料包括下列中的至少一个氧化镁(MgO )、氧化锌(ZnO )、氧化硅(Si02 )、 氧化钛(Ti02 )、氧化钇(Y203 )、氧化铝(A1203 )、氧化镧(La203 )、氧 化铁、氧化铕(EuO )或者氧化钴。8. 根据权利要求7所述的等离子体显示面板,其中,所述氧化物材 料包括下列中的至少一个氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)或氧化钛(Ti02 )。9. 根据权利要求l所述的等离子体显示面板,其中,氧化物材料粒 子的大小与荧光材料粒子的大小的比率的范围为从0.005到1.0。10. 根据权利要求9所述的等离子体显示面板,其中,氧化物材料粒 子的大小与荧光材料粒子的大小的比率的范围为从0.05到0.25。11. 根据权利要求l所述的等离子体显示面板,其中,所述氧化物材料粒子的大小的范围为从20 nm到3,000 nm。12. —种用于驱动等离子体显示面板的方法,包括在帧的至少一个子场的复位时段期间,向所述等离子体显示面板的扫 描电极提供具有逐渐上升的电压的第一上升信号;以及在所述复位时段期间,向所述等离子体显示面板的维持电极提供具有 逐渐上升的电压的第二上升信号,该第二上升信号与所述第一上升信号重 叠,其中,所述等离子体显示面板包括前基板,该前基板包括彼此平行 设...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑文植,安泳准,徐周源,姜凤求,李树昌,全明帝,
申请(专利权)人:LG电子株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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