【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开介绍了一种
,其中根据Herman von Helmholtz在 他1847年能量守恒学说中的能量守恒定理被忽略的例外情况来制造实 用电能如果...物体具有依赖于时间和速度的力,或者其作用在不 同于连接各对质点的直线的方向上...则这样物体的组合是可能,其中 力可以被无限地失去或者获得。横向感应力符合Helmholtz的无限定 理,但当该力被施加到正常质量电子时,由于它们唯一的荷质比,该 力本身并不足以产生大于输入能量的能量输出。然而,如在光导体或 光电导体、掺杂半导体、和超导体中发生的,小于正常的惯性质量的 传导电子的增加的加速度,与正常的电子质量除以低的电子质量的结 果成比例,并且可管理的感应能量放大与该更大的相对加速度成平方 比例。
技术介绍
磁力也满足能量守恒定理的Helmholtz的例外,因为磁力与引起它 的力成横向,且磁力是由电荷间相对速度(即,垂直于连接线)来确 定的。磁力和能量的放大,由E.leimer (1915)在他用镭照射无线电天 线导线时,在扬声器电话的线圈和检流计的线圈中被证明。将无镭的 无声无线电接收与有镭的可听到的无线电接收相比,10毫克、线性镭 源在天线导线中产生了可测量的2.6倍电流增量。这表示流过各自导线 线圈的电能的(2.6)2=7倍的增加。被归因于持有到导线的镭单元的人体 的这种增强的接收的可能性通过Ldmer另外的观察被排除,该观察是每当小的镭单元的方向被改变到相对于导线大约30度时,能量增强停 止。申请人已经推论出Leimer的能量放大很可能是由于通过a-辐射在 天线中被释放并且被变为传导性的低质量 ...
【技术保护点】
一种用于产生电流的设备,包括: 至少一个发射线圈,在所述发射线圈中电振荡引起来自所述发射线圈的感应光子的辐射; 至少一个能量放大线圈,其相对于所述发射线圈放置,以接收来自所述发射线圈的感应光子,所述能量放大线圈包括在条件下产生低 质量电子的材料,其中由所述能量放大线圈接收的所述感应光子给予所述低质量电子各自的横向力,所述横向力引起所述低质量电子在所述能量放大线圈中经受加速度,其中所述加速度大于其他情况下受到所述横向力的正常自由电子将受到的加速度,所述被加速的低质量电子产生感应力; 用于建立对应于所述能量放大线圈的条件的装置; 至少一个第一输出线圈,所述第一输出线圈感应地耦合到所述能量放大线圈,以响应由所述能量放大线圈产生的所述感应力来提供振荡电输出,所述振荡电输出可用于驱动负载;以及 从所述第一输出线圈到所述发射线圈的反馈连接,其为所述发射线圈提供来自所述振荡电输出的所述电振荡。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2006-3-6 11/369,4461. 一种用于产生电流的设备,包括至少一个发射线圈,在所述发射线圈中电振荡引起来自所述发射线圈的感应光子的辐射;至少一个能量放大线圈,其相对于所述发射线圈放置,以接收来自所述发射线圈的感应光子,所述能量放大线圈包括在条件下产生低质量电子的材料,其中由所述能量放大线圈接收的所述感应光子给予所述低质量电子各自的横向力,所述横向力引起所述低质量电子在所述能量放大线圈中经受加速度,其中所述加速度大于其他情况下受到所述横向力的正常自由电子将受到的加速度,所述被加速的低质量电子产生感应力;用于建立对应于所述能量放大线圈的条件的装置;至少一个第一输出线圈,所述第一输出线圈感应地耦合到所述能量放大线圈,以响应由所述能量放大线圈产生的所述感应力来提供振荡电输出,所述振荡电输出可用于驱动负载;以及从所述第一输出线圈到所述发射线圈的反馈连接,其为所述发射线圈提供来自所述振荡电输出的所述电振荡。2. 根据权利要求l所述的设备,其中所述能量放大线圈被放置于 与所述发射线圈相邻。3. 根据权利要求l所述的设备,其中所述发射线圈和所述第一输 出线圈套入所述能量放大线圈之内并与之轴向平行。4. 根据权利要求3所述的设备,进一步包括被放置于所述发射线 圈和所述第一输出线圈之间的反射金属非磁性分离器板。5. 根据权利要求4所述的设备,其中所述分离器板拥有具备几何焦点线的基本抛物线形的轮廓;以及所述发射线圈沿所述分离器板的所述几何焦点线轴向延长。6. 根据权利要求5所述的设备, 放大线圈的第二输出线圈。7. 根据权利要求l所述的设备,所述发射线圈基本上平行。8. 根据权利要求1所述的设备, 述能量放大线圈之内。进一步包括基本上围绕所述能量其中所述能量放大线圈的方向与其中所述第一输出线圈套入在所9. 根据权利要求l所述的设备,其中所述能量放大线圈中的所述 低质量电子的所述加速度引起由所述能量放大线圈所产生的所述感应 力,以获得比其它情况下在所述能量放大线圈中被所述横向力加速的 正常自由电子产生的感应力更大的量值。10. 根据权利要求1所述的设备,进一步包括用于从所述第一 输出线圈传导至少部分交流电输出至使用点的装置。11. 根据权利要求io所述的设备,其中所述的用于传导的装置包 括连接到所述第一输出线圈的工作回路。12. 根据权利要求l所述的设备,其中 所述能量放大线圈的材料包括超导材料;并且所述条件是温度,所述超导材料在该温度下表现以低质量电子产 生为特征的超导行为。13. 根据权利要求12所述的设备,其中所述能量放大线圈包括超 导导线的线圈。14. 根据权利要求12所述的设备,其中所述能量放大线圈包括由 超导材料的带状匝组成的线圈。15. 根据权利要求12所述的设备,其中所述用于建立所述条件的 装置包括用于为所述能量放大线圈的超导材料建立低温条件的装置。16. 根据权利要求l所述的设备,其中 所述能量放大线圈的材料包括光导材料;以及所述条件是所述光导材料被一波长的电磁辐射充分照射到足以引 起所述光导材料产生低质量电子的情况。17. 根据权利要求16所述的设备,其中所述光导材料是从由磷化 铟、锑化镓、镉锡砷化物、硫化镉、硒化镉、砷化镉、砷化镓、硒化 汞、砷化铟、碲化汞和锑化铟、以及其混合物所组成的群组中选择的。18. 根据权利要求16所述的设备,其中所述用于建立所述条件的 装置包括光导激励器,其被放置和配置为用所述波长的电磁辐射照射 所述能量放大线圈的至少一部分光导材料。19. 根据权利要求18所述的设备,其中所述光导材料包括一个或 多个光导化合物的制剂,在所述制剂中所述化合物具有适合所述光导 激励器产生的所述电磁辐射的所述波长的峰值响应波长。20. 根据权利要求18所述的设备,其中所述光导激励器包括至少 一个相对于所述能量放大线圈放置的发光二极管。21. 根据权利要求18所述的设备,其中所述光导材料以及所述光 导激励器包括至少一种类似材料,从而用与所述光导材料的光导激励 所需要的电磁辐射波长大致相同的电磁辐射波长来激励所述光导材 料。22. 根据权利要求18所述的设备,其中所述光导激励器包括至少 一个电磁辐射的白炽源。23. 根据权利要求18所述的设备,其中所述光导激励器包括至少 一个气体放电灯。24. 根据权利要求18所述的设备,其中电磁辐射的所述波长是从 无线电波延伸到紫外线的波长范围内选择的。25. 根据权利要求16所述的设备,其中所述能量放大线圈包括由 包括光导材料的带状匝组成的线圈。26. 根据权利要求25所述的设备,其中所述带状物包括用光导材 料在各侧覆盖的金属带。27. 根据权利要求16所述的设备,其中所述能量放大线圈包括由 形成在管状衬底上并围绕所述管状衬底延伸的光导材料膜的匝组成的 线圈。28. 根据权利要求1所述的设备,其中所述能量放大线圈的材料 包括掺杂半导体。29. 根据权利要求1所述的设备,其中在没有从外部源向所述设 备提供能量的情况下,所述反馈连接将充足的电功率传导到所述发射 线圈用于所述设备的自稳操作。30. 根据权利要求1所述的设备,进一步包括 多个能量放大线圈,其被相对于所述发射线圈安排为阵列,每个能量放大线圈被相对于所述发射线圈各自部分放置并被配置以接收从所述发射线圈辐射的所述感应光子的各自部分;以及被套入并感应地耦合到每个能量放大线圈的各自内部输出线圈。31. 根据权利要求30所述的设备,其中所述阵列中所述能量放大 线圈被安排为与所述发射线圈基本上平行。32. 根据权利要求30所述的设备,其中 所述能量放大线圈被串联地连接在一起;以及 所述内部输出线圈被串联地连接在一起。33. 根据权利要求30所述的设备,进一步包括与所述能量放大线 圈阵列成围绕关系的外部输出线圈,所述外部输出线圈相对于所述能 量放大线圈放置并感应地耦合到所述能量放大线圈,从而接收来自所 述能量放大线圈的光子辐射的各自部分。34. 根据权利要求33所述的设备,其中所述外部输出线圈与所述 内部输出线圈串联地电连接。35. 根据权利要求33所述的设备,其中 所述内部输出线圈被电连接到第一输出电路;以及 所述外部输出线圈被电连接到与所述第一个输出电路基本上独立的第二输出电路。36. 根据权利要求30所述的设备,其中所述内部输出线圈的至少一个被电连接到第一输出电路;以及 其它的所述外部输出线圈的至少一个被电连接到与所述第一输出 电路基本上独立的第二输出电路。37. 根据权利要求30所述的设备,其中所述能量放大线圈被缠绕, 从而在所述设备的操作期间的时间内,在任意特定瞬间从末端看所述线圈,电子流动处于同一方向、顺时针方向或者逆时针方向。38. 根据权利要求30所述的设备,其中 所述能量放大线圈被彼此电连接;以及所述能量放大线圈以便于从一个能量放大线圈到下一个能量放大 线圈的电接触的方式彼此相邻地安置。39. 根据权利要求38所述的设备,其中每个能量放大线圈包括 至少一个接触表面,用来制造在相邻的能量放大线圈上与相应接触表 面的电接触。40. 根据权利要求30所述的设备,其中所述能量放大线圈彼此串 联地电连接。41. 根据权利要求30所述的设备,其中所述内部输出线圈被彼此 串联地电连接。42. 根据权利要求30所述的设备,其中所述内部输出线圈被彼此 并联地电连接。43. 根据权利要求l所述的设备,其中所述发射线圈包括铁磁芯。44. 根据权利要求1所述的设备,其中所述发射线圈包括与所述 发射线圈同轴延伸的铁磁圆柱体。45. 根据权利要求44所述的设备,其中所述内部输出线圈包括铁 磁芯。46. 根据权利要求1所述的设备,进一步包括被配置为向所述发 射线圈或者所述反馈连接提供初始振荡的外部能量输入源,所述初始振荡足以触发所述设备的自激振荡,而无需来自所述外部能量输入源 的更多振荡。47. —种用于产生电流的设备,包括发射线圈,在所述发射线圈中电振荡引起来自所述发射线圈的感 应光子的辐射;多个能量放大线圈,其被安排为与所述发射线圈基本平行且与之 呈围绕关系,每个能量放大线圈被放置得与所述发射线圈足够邻近, 以接收辐射自所述发射线圈的感应光子的各自部分,每个能量放大线 圈包括在条件下产生低质量电子的材料,其中被每个能量放大线圈接 收的感应光子的各自部分向所述低质量电子给予各自横向力,所述横 向力引起所述低质量电子在各能量放大线圈中受到较大的加速度,所 述较大的加速度大于其他情况下受到所述各自横向力的正常自由电子 受到的加速度,所述被加速的各自低质量电子产生各自的感应力; 用于建立对应于所述能量放大线圈的条件的装置; 套入在所述能量放大线圈的每个之内的各自内部输出线圈,以响 应由所述各自能量放大线圈产生的所述各自感应力而提供各自振荡电 输出;以及从一个或多个所述内部输出线圈到所述发射线圈的反馈连接,从 而向所述发射线圈提供来自所述各自一个或多个振荡电输出的所述电 振荡。48. 根据权利要求47所述的设备,其中所述能量放大线圈的材料 包括掺杂半导体。49. 根据权利要求47所述的设备,其中 所述能量放大线圈的材料包括超导材料;以及 所述条件是温度,在所述温度所述超导材料表现以所述低质量电子产生为特征的超导行为。50. 根据权利要求47所述的设备,其中 所述能量放大线圈的材料包括光导材料;以及所述条件是所述光导材料被一波长的电磁辐射充分照射到足以引 起所述光导材料产生所述低质量电子的情况。51. 根据权利要求50所述的设备,其中用于建立的所述装置包括 被放置和配置为用所述波长的电磁辐射照射所述光导材料的光导激励器。52. 根据权利要求47所述的设备,其中在没有从外部源向所述设 备提供能量的情况下,所述反馈连接将足够的电功率传导到所述发射 线圈用于所述设备的自稳操作。53. 根据权利要求47所述的设备,其中 所述能量放大线圈被串联地连接在一...
【专利技术属性】
技术研发人员:威廉N巴巴特,
申请(专利权)人:莱维特尼克斯公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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