用于半导体处理的晶片定位基座制造技术

一种组件在用于在晶片上沉积膜的处理室中使用并且包括从中心轴延伸的基座。致动器配置用于控制基座的运动。中心轴在致动器和基座之间延伸，中心轴配置成沿着中心轴线移动基座。升降垫被配置为搁置在基座上并且具有垫顶表面，该垫顶表面被配置为支撑放置在其上的晶片。垫轴在致动器和升降垫之间延伸并控制升降垫的运动。垫轴定位在中心轴内，并且被配置成当基座处于向上位置时将升降垫与基座顶表面分离处理旋转位移。垫轴配置成在第一和第二角度方位之间相对于基座顶表面旋转。度方位之间相对于基座顶表面旋转。度方位之间相对于基座顶表面旋转。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体处理的晶片定位基座
本申请是申请号为201780076683.0、申请日为2017年9月5日、专利技术名称为“用于半导体处理的晶片定位基座”的专利技术专利申请的分案申请。


[0001]所提供的实施方案涉及半导体衬底处理方法和设备工具，更具体地，涉及用于在不同晶片到基座方位处理晶片的晶片定位基座。

技术介绍

[0002]改进的膜均匀性在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和等离子体原子层沉积(ALD)技术中是重要的。实现PECVD和ALD的室系统与导致不均匀膜沉积的硬件特征相关联。例如，硬件特征会与室不对称性和基座不对称性相关联。此外，许多工艺经历各种起源的方位角不均匀性。随着客户越来越倾向于将管芯定位成更靠近晶片边缘，这种方位角不均匀性对整体不均匀性的数值贡献增加。尽管尽最大努力使损伤和/或不均匀的沉积分布最小化，但传统的PECVD和等离子体ALD方案仍然需要改进。
[0003]特别地，执行PECVD和ALD的多站模块的特征在于大的开放式反应器，其会有助于方位角不均匀性(例如，θ方向上的NU)。例如，一些不均匀性可能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在用于在晶片上沉积膜的处理室中使用的组件，其包括：基座，其具有以中心轴线为中心的基座顶表面；凹部，其位于以中心轴线为中心的所述基座顶表面内，所述凹部具有凹部顶表面；升降垫，其被配置成支撑放置在所述升降垫的垫顶表面上的晶片；其中所述升降垫被配置成沿着所述中心轴线从所述基座分离。2.如权利要求1所述的组件，其中所述垫顶表面的直径小于所述晶片的直径。3.如权利要求1所述的组件，其中当所述升降垫放置在所述凹部表面上时，所述垫顶表面与所述基座顶表面共面。4.如权利要求1所述的组件，还包括：从所述升降垫的底部沿着所述中心轴线延伸的垫轴，所述垫轴被配置为使所述升降垫沿着所述中心轴线移动，其中，所述垫轴定位在沿所述中心轴线延伸穿过所述基座的行进空间中。5.如权利要求4所述的组件，其中，所述垫轴被配置为沿着所述中心轴线将所述升降垫与所述基座分离，使得所述垫顶表面与所述基座顶表面分离处理旋转位移。6.根据权利要求5所述的组件，其中，所述垫轴被配置成当其在至少第一角度方位和第二角度方位之间与所述基座分离时相对于所述基座顶表面旋转所述升降垫。7.如权利要求1所述的组件，其中所述升降垫被配置为与所述基座一起移动。8.根据权利要求1所述的组件，其中所述升降垫被配置为将所述升降垫与所述基座分开足够的距离以允许末端执行器接近。9.如权利要求1所述的组件，还包括：设置在所述基座顶表面的外边缘上的凸起边沿，所述凸起边沿被配置成阻挡放置在所述基座上的晶片的横向移动。10.一种在用于在晶片上沉积膜的处理室中使用的组件，其包括：升降垫，其被配置为支撑放置在所述升降垫的垫顶表面上的晶片，所述升降垫以中心轴线为中心，其中所述垫顶表面的直径小于所述晶片的直径；从所述升降垫的底部沿所述中心轴线延伸的垫轴，所述垫轴被配置成使所述升降垫沿所述中心轴线运动；从所述升降垫的底部延伸的环形圈，该环形圈被配置为与所述垫轴固定连接；基座，其具有以所述中心轴线为中心的基座顶表面，其中，所述垫轴定位在沿所述中心轴线延伸穿过所述基座的行进空间中；和在所述基座顶表面中的凹部，并且具有凹部表面，该凹部表面被配置为当所述升降垫搁置在所述凹部表面上时支撑所述升降垫，该凹部以所述中心轴线为中心，其中，所述垫轴被配置为沿着所述中心轴线将所述升降垫与所述基座分开。11.如权利要求10所述的组件，其中，所述环形圈被配置为围绕所述垫轴的端部。12.根据权利要求10所述的组件，其中，当所述升降垫搁置在所述凹部表面上时，所述垫顶表面与所述基座顶表面共面。13.根据权利要求10所述的组件，其中，所述垫轴被配置为将所述升降垫与所述基座分开，使得所述垫顶表面与所述基座顶表面分离处理旋转位移。14.根据权利要求10所述的组件，其中所述垫轴被配置为将所述升降垫与所述基座分开足够的距离以允许末端执行器接近。
15.如权利要求10所述的组件，还包括：从所述基座底部沿所述中心轴线延伸的中心轴，所述中心轴被配置为使所述基座沿所述中心轴线移动，其中，所述行进空间沿着所述中心轴线延伸穿过所述中心轴，并且其中所述垫轴定位在沿着所述中心轴线延伸穿过所述中心轴的所述行进空间中。16.如权利要求15所述的组件，其中所述升降垫被配置为与所述基座一起移动。17.根据权利要求15所述的组件，其中所述中心轴被配置为将所述基座移动到最上面的向上位置，并且其中当所述基座处于最上面的位置时，所述垫轴使得所述升降垫与所述基座分离处理旋转位移。18.根据权利要求15所述的组件，其中所述中心轴被配置为将所述基座移动到最底部向下的位置，并且其中所述垫轴被配置使得所述升降垫与所述基座沿着所述中心轴线分离足够大的位移使末端执行器臂能进入。19.根据权利要求10所述的组件，其中所述垫轴被配置成当其在至少第一角度方位和第二角度方位之间与所述基座分离时相对于所述基座顶表面旋转所述升降垫20.如权利要求10所述的组件，还包括：设置在所述基座顶表面上的多个最小接触区域(MCA)，其被配置为当升降垫搁置在所述凹部的表面上时支撑所述晶片，其中，所述升降垫相对于所述多个最小接触区域旋转。21.如权利要求10所述的组件，还包括：设置在所述基座顶表面的外边缘上的凸起边沿，所述凸起边沿被配置成阻挡放置在所述基座上的晶片的横向移动。22.如权利要求10所述的组件，还包括：包括多个升降销的升降销组件，所述升降销延伸穿过被配置在所述基座内的多个基座轴。23.一种在用于在晶片上沉积膜的处理室中使用的组件，其包括：升降垫，其被配置为支撑放置在所述升降垫的垫顶表面上的晶片，所述升降垫以中心轴线为中心，其中所述垫顶表面的直径小于所述晶片的直径；从所述升降垫的底部沿所述中心轴线延伸的垫轴，所述垫轴被配置成使所述升降垫沿所述中心轴线运动；基座，其具有以所述中心轴线为中心的基座顶表面，其中，所述垫轴定位在沿所述中心轴线延伸穿过所述基座的行进空间中；和在所述基座顶表面中的凹部，并且具有凹部表面，该凹部表面被配置为当所述升降垫搁置在所述凹部表面上时支撑所述升降垫，该凹部以所述中心轴线为中心，其中，所述垫轴被配置为沿着所述中心轴线将所述升降垫与所述基座分开。24.如权利要求23所述的组件，还包括：设置在所述基座顶表面的外边缘上的凸起边沿，所述凸起边沿被配置成阻挡放置在所述基座上的晶片的横向移动。25.一种用于在等离子体处理室中使用的组件，包括：基座，其具有以中心轴线为中心的基座顶表面；
中心轴，其从所述基座的底部延伸并被配置为沿着所述中心轴线移动所述基座；升降垫，其被配置为支撑搁置在该升降垫的垫顶表面上的晶片，所述升降垫以所述中心轴线为中心；和垫轴，其从所述升降垫的底部沿着所述中心轴线延伸，所述垫轴被配置为当所述基座处于最底部向下位置时沿着所述中心轴线将所述升降垫与所述基座分开。26.如权利要求25所述的组件，其中，所述中心轴被配置为将所述基座移动到最底部的向下位置。27.如权利要求25所述的组件，其中，所述垫轴被配置使得所述升降垫与所述基座沿着所述中心轴线分离足够大的位移以使末端执行器臂能进入28.如权利要求25所述的组件，其中，所述升降垫被配置为当所述基座处于最底部向下位置时相对于基座顶表面沿着所述中心轴线向上移动。29.如权利要求28所述的组件，其中，所述升降垫通过所述垫轴与所述基座顶表面分开足够大的位移以使末端执行器臂能进入。30.如权利要求25所述的组件，其中，所述垫轴被配置为使所述升降垫沿所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：保罗，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：