本发明专利技术提供一种用于真空镀膜的雾化装置，包括壳体和设于壳体内的雾化器本体，雾化器本体的两端分别设有通液接口和雾化喷头，通液接口用于通入供雾化器本体进行雾化的液态有机镀膜材料，雾化器本体上设有用于增压的增压接头。本发明专利技术先对液态有机镀膜材料的雾化，而后可以再对雾化后液态有机镀膜材料进行汽化，汽化后的有机镀膜材料可均匀地附着并涂覆于基材的表面上，成膜的过程在真空环境下完成，其适用范围广，可以获得较薄的镀膜层，也可以满足厚膜的需要，其均匀性容易控制，效率高，并且可以获得均匀性高和更高膜层性能的薄膜。可以获得均匀性高和更高膜层性能的薄膜。可以获得均匀性高和更高膜层性能的薄膜。
【技术实现步骤摘要】
一种用于真空镀膜的雾化装置
[0001]本专利技术涉及真空镀膜领域，尤其是一种用于真空镀膜的雾化装置。
技术介绍
[0002]目前在真空状态下常用的薄膜制备方法有磁控溅射、蒸发、等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)等，根据所用原材料的特性选取不同的镀膜方式。针对一些镀膜原材料为有机液态物的情况，在真空状态的镀膜方式一般采用PECVD的方式，也有一些采用在大气环境下在基材表面直接涂布的方式来制备薄膜。
[0003]在真空状态下采用PECVD的方式来制备薄膜，尤其是在柔性基材上进行镀膜时，此种薄膜的制备方式，对箱体(真空室)内部及传动系统都有一定的污染，从而导致基材在卷绕行走的过程造成损坏，另外其相对效率会也会降低。为了提高效率，增加一次成膜的厚度，就需要增加PECVD源，PECVD源数量的增加则会导致设备的卷绕系统变得复杂，使得薄膜在卷绕过程中容易出现褶皱，对于需要完成不同材料组成的叠加膜层，各源之间就会出现不同程度的相互干扰，而解决干扰问题带来的困扰同样也会使得设备变大，卷绕系统变得复杂，设备加工难度陡增。
[0004]如果在大气下通过涂布方式完成膜层的制备，膜层的整体性能达不到真空状态制备的膜层性能，如果采用在真空下涂布的方式，同样无法获得良好的膜层性能，且对腔体造成严重污染，效率低下，无法获得均匀且较薄的膜层。
技术实现思路
[0005]本专利技术要解决的技术问题是提供适用范围广且效率高的一种用于真空镀膜的雾化装置。
[0006]本专利技术的目的是这样实现的：
[0007]一种用于真空镀膜的雾化装置，包括壳体和设于所述壳体内的雾化器本体，所述雾化器本体的两端分别设有通液接口和雾化喷头，所述通液接口用于通入供所述雾化器本体进行雾化的液态有机镀膜材料，所述雾化器本体上设有用于增压的增压接头。
[0008]本专利技术采用上述结构，先对液态有机镀膜材料的雾化，而后可以再对雾化后液态有机镀膜材料进行汽化，汽化后的有机镀膜材料可均匀地附着并涂覆于基材的表面上，成膜的过程在真空环境下完成，其适用范围广，可以获得较薄的镀膜层，也可以满足厚膜的需要，其均匀性容易控制，效率高，并且可以获得均匀性高和更高膜层性能的薄膜。基材传送装置对涂覆有有机镀膜材料的基材进行冷却，使得有机镀膜材料冷却成型于基材上，从而完成薄膜的涂覆。雾化器本体可将液态有机镀膜材料雾化为微小颗粒，增压接头接入高压气，使得微小颗粒状的液态有机镀膜材料经过雾化喷头喷出并在加热装置内迅速扩散以提高其在加热装置内的汽化效率。采用本专利技术解决了以往薄膜制备方式效率低、膜层厚度受限、腔体污染及为提高效率导致系统复杂等技术问题，可以更高效的获得性能优良的膜层。
[0009]如上所述的一种用于真空镀膜的雾化装置，所述壳体包括外壳体和内壳体，所述
外壳体与所述内壳体之间形成有第一冷却空间，所述外壳体上设有与所述第一冷却空间相连通且与冷却液体相连通的水冷进口和水冷出口，从而实现水冷以有效对雾化装置进行降温，防止其温度过高。
[0010]如上所述的一种用于真空镀膜的雾化装置，所述雾化器本体内设有第二冷却空间，所述雾化器本体的外侧设有与所述第二冷却空间相连通且与冷却气体相连通的气冷进口和气冷出口，从而实现气冷以进一步提高对雾化装置的冷却效果，保证雾化装置可在较低的温度下正常工作。
[0011]如上所述的一种用于真空镀膜的雾化装置，所述雾化器本体为超声雾化器，其外侧设有电连接头，从而使得雾化器本体可将泵入的液态有机镀膜材料雾化为<20μm的微小颗粒。
【附图说明】
[0012]下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细说明，其中：
[0013]图1为本专利技术的剖视结构示意图；
[0014]图2为本专利技术的立体结构示意图；
[0015]图3为本专利技术与加热装置的装配结构示意图；
[0016]图4为本专利技术的使用状态参考图。
【具体实施方式】
[0017]一种用于真空镀膜的雾化装置，包括壳体211和设于壳体211内的雾化器本体212，雾化器本体212的两端分别设有通液接口2121和雾化喷头2122，通液接口2121用于通入供雾化器本体212进行雾化的液态有机镀膜材料，雾化器本体212上设有用于增压的增压接头213。
[0018]为实现水冷以有效对雾化装置进行降温并防止其温度过高，壳体211包括外壳体2111和内壳体2112，壳体211包括外壳体2111和内壳体2112，外壳体2111与内壳体2112之间形成有第一冷却空间2113，外壳体2111上设有与第一冷却空间2113相连通且与冷却液体相连通的水冷进口214和水冷出口215。外部冷却液通过水冷进口214进入至第一冷却空间2113，并从水冷出口215回流，从而实现循环水冷，保证雾化器本体21可以在80℃以下的环境温度下正常工作。
[0019]为实现气冷以进一步提高对雾化装置的冷却效果，雾化器本体212内设有第二冷却空间，雾化器本体212的外侧设有与第二冷却空间相连通且与冷却气体相连通的气冷进口216和气冷出口217。通过水冷和气冷可对雾化装置进行双重的冷却保护。
[0020]为保证雾化器本体212可将泵入的液态有机镀膜材料雾化为微小的颗粒，雾化器本体212为超声雾化器，其外侧设有电连接头2120。
[0021]本专利技术使用时，抽真空装置101首先对真空室100进行抽真空，使得镀膜工艺处于真空的状态下进行。随后外部泵体驱动液态有机镀膜材料通过通液接口2121泵入雾化器本体212内，雾化器本体212将泵入的液态有机镀膜材料雾化为<20μm的微小颗粒，增压接头213接入外部高压气，使得微小颗粒状的液态有机镀膜材料经过雾化喷头2122增压喷出并在加热装置22内迅速扩散以提高其在加热装置22内的汽化效率，此时加热装置22对微小颗
粒状的液态有机镀膜材料进行加热，使其内迅速汽化并将其快速蒸发为具有压力的气体分子(雾化后的有机镀膜材料的蒸发率高，且效率快)，并均匀的附着于基材10的表面上，基材传送装置1对基材10进行冷却，使得附着于基材10表面上的气态有机镀膜材料发生液化后固化或直接发生凝华，从而成型于基材10上。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于真空镀膜的雾化装置，其特征在于包括壳体(211)和设于所述壳体(211)内的雾化器本体(212)，所述雾化器本体(212)的两端分别设有通液接口(2121)和雾化喷头(2122)，所述通液接口(2121)用于通入供所述雾化器本体(212)进行雾化的液态有机镀膜材料，所述雾化器本体(212)上设有用于增压的增压接头(213)。2.根据权利要求1所述的一种用于真空镀膜的雾化装置，其特征在于所述壳体(211)包括外壳体(2111)和内壳体(2112)，所述外壳体(2111)与所述内壳体(2112)之间形成有第...
【专利技术属性】
技术研发人员：李小彭，姜翠宁，
申请(专利权)人：洛阳生波尔真空装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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