制造电子发射器件、电子源、以及图像形成装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供的一种电子发射器件的制造方法包括在形成在一个衬底上的一对电极之间形成一个聚合物薄膜的步骤，通过加热使聚合物薄膜具有导电性的步骤，以及在一对电极之间提供电位差的步骤。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到电子发射器件，布置有许多电子发射器件的一种电子束，以及制造一种图像形成装置的方法，例如是采用这样一种电子源构成的显示器。具体地说，本专利技术涉及到制造一种电子发射器件的方法，它包括一个衬底，在衬底上形成的一对电极，以及一个具有狭窄间隙并且连接在电极之间的薄膜。一般来说，已知有两类电子发射器件，即热电子发射器件和冷阴极电子发射器件。冷阴极电子发射器件被划分成电场发射型，金属/绝缘子/金属型和表面传导电子发射型。在日本专利申请公开7-235255号和日本专利2903295号中公开了表面传导电子发射器件的设计和制造方法。以下要简要描述上述文献中所披露的表面传导电子发射器件。如图8的截面图所示，这种表面传导电子发射器件包括设在衬底1上的一对相对的器件电极2，3，以及连接在电极之间并且具有一个电子发射区85的导电薄膜84。电子发射区85包括通过折断，变形或是损伤导电薄膜84的一部分并且使其产生一个间隙而形成的一个部位，并且在内部而且靠近间隙处的导电薄膜上利用被称为“激活”的工艺形成主要包括碳和/或碳化合物的淀积层86。有时候，彼此相对配置的淀积层会使一个间隙部位比上述的间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子发射器件的制造方法包括： 在形成在一个衬底上的一对电极之间形成一个聚合物薄膜的步骤； 通过加热为聚合物薄膜赋予导电性的步骤；以及 在一对电极之间提供电位差的步骤。

【技术特征摘要】
JP 2000-9-1 264968/20001.一种电子发射器件的制造方法包括在形成在一个衬底上的一对电极之间形成一个聚合物薄膜的步骤；通过加热为聚合物薄膜赋予导电性的步骤；以及在一对电极之间提供电位差的步骤。2.按照权利要求1的方法，其特征是通过加热为聚合物薄膜赋予导电性的步骤中包括用电子束照射至少一部分上述聚合物薄膜的步骤。3.按照权利要求1的方法，其特征是通过加热为聚合物薄膜赋予导电性的步骤中包括用光照射至少一部分上述聚合物薄膜的步骤。4.按照权利要求3的方法，其特征是上述的光是由作为光源的一个氙灯发射的光。5.按照权利要求3的方法，其特征是上述的光是由作为光源的一个卤灯发射的光。6.按照权利要求3的方法，其特征是上述的光是一个激光束。7.按照权利要求1的方法，其特征是上述聚合物薄膜是一种芳香族聚合物薄膜。8.按照权利要求1的方法，其特征是形成聚合物薄膜的步骤采用一种喷墨系统。9.一种电子发射器件的制造方法包括在形成在一个衬底上的一对电极之间形成一个聚合物薄膜的步骤；通过加热上述聚合物薄膜来降低上述聚合物薄膜的电阻的步骤；以及在上述一对电极之间提供电位差的步骤。10.按照权利要求9的方法，其特征是通过加热上述聚合物薄膜降低上述聚合物薄膜的电阻的步骤中包括用电子束照射至少一部分上述聚合物薄膜的步骤。11.按照权利要求9的方法，其特征是通过加热上述聚合物薄膜降低上述聚合物薄膜的电阻的步骤中包括用光照射至少一部分上述聚合物薄膜的步骤。12.按照权利要求11的方法，其特征是上述光是由作为光源的一个氙灯发射的光。13.按照权利要求11的方法，其特征是上述光是由作为光源的一个卤灯发射的光。14.按照权利要求11的方法，其特征是上述的光是一个激光束。15.按照权利要求11的方法，其特征是形成聚合物薄膜的步骤采用一种喷墨系统。16.一种电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩城孝志，水野祐信，柴田雅章，宫崎和也，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]