DDR芯片极限性能测试方法、测试装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种DDR芯片极限性能测试方法、测试装置、设备及存储介质，涉及半导体测试领域。方法包括对DDR芯片进行兼容性测试，得到兼容性测试结果，兼容性测试包括电压测试和时序测试；对DDR芯片进行环境适用性测试，得到环境适用性测试结果，环境适用性测试包括温度测试、酸碱环境测试和压力测试；对DDR芯片进行模拟稳定性测试，得到模拟稳定性测试结果，模拟稳定性测试包括跌落测试和晃动测试；根据兼容性测试结果、环境适用性测试结果、模拟稳定性测试结果以及预设的分级标准确定DDR芯片的级别。本发明专利技术能对DDR芯片的质量和可靠性进行全面测试，能补全对DDR本身性能的检测，使得用户能够得到DDR在不同极限情况下的数据，从而能够更加全面评估DDR的性能。够更加全面评估DDR的性能。够更加全面评估DDR的性能。

【技术实现步骤摘要】
DDR芯片极限性能测试方法、测试装置、设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及半导体测试领域，尤其涉及一种DDR芯片极限性能测试方法、测试装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]随着互联网和半导体芯片制造业的飞速发展，IC产品质量和可靠性问题日益提上日程，成为较多半导体芯片制造商竟相研究的课题之一。
[0003]传统的抽样检查、可靠性寿命试验、现场采集数据分析等检测方法已经不能满足IC品质鉴别的需求。因此，急需找到一种新的测试方法，对IC芯片的质量和可靠性进行预测和评估，将有问题的IC剔除，防止不良品进入市场及后续一系列不良反应。
[0004]出厂前的测试是进入市场的最后一道防线，只有坚守最后一道防线，才能达到实现保证高品质、高质量、高水准的芯片进入到市场。一颗芯片，由晶圆到最后的成品芯片，若用简单的话说，芯片的制造过程依次包括晶棒(硅锭)制造，硅晶圆片生产，晶圆涂膜，晶圆显影和蚀刻，晶圆掺杂，晶圆针测，晶圆切割，晶粒封装，芯片测试等步骤。而最后的芯片就是最后一道防线，在前面的过程中，可能由于极小的乃至于微米纳米的误差导致出现异常，而这些异常不经过芯片测试，是我们无法识别的，因此最后的芯片测试就非常重要了，但是常规的测试方式只是通过对DDR芯片本身发送激励信号，通过一系列读写操作及向量操作，来得到一个终端信号，用预期的值与终端信号相匹配，匹配上即位测试成功，匹配不上即位测试失败，虽然大大增加了检测力度，但是，对于DDR芯片本身的性能来说，还是没有达到真正检测的意义，因此，本专利技术是一种新型的检测方法，进而补全对DDR本身性能的检测，达到对DDR在不同情况下极限的掌控，真正了解掌控芯片所能发挥的最强性能。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种DDR芯片极限性能测试方法、测试装置、设备及存储介质，以解决传统的抽样检查、可靠性寿命试验、现场采集数据分析等检测方法不能满足IC品质鉴别的需求问题。
[0006]第一方面，本专利技术提供了一种DDR芯片极限性能测试方法，所述方法包括：
[0007]对DDR芯片进行兼容性测试，得到兼容性测试结果，所述兼容性测试包括电压测试和时序测试；
[0008]对DDR芯片进行环境适用性测试，得到环境适用性测试结果，所述环境适用性测试包括温度测试、酸碱环境测试和压力测试；
[0009]对DDR芯片进行模拟稳定性测试，得到模拟稳定性测试结果，所述模拟稳定性测试包括跌落测试和晃动测试；
[0010]根据所述兼容性测试结果、所述环境适用性测试结果、所述模拟稳定性测试结果以及预设的分级标准确定DDR芯片的级别。
[0011]第二方面，本专利技术提供一种监测装置，所述监测装置包括用于执行如第一方面任
一项实施例所述的DDR芯片极限性能测试方法的单元。
[0012]第三方面，本专利技术提供一种上位机，所述上位机包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信；
[0013]存储器，用于存放计算机程序；
[0014]处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，执行如第一方面任一项实施例所述的DDR芯片极限性能测试方法。
[0015]第四方面，本专利技术提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如第一方面任一项所述的DDR芯片极限性能测试方法的步骤。
[0016]本专利技术实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
[0017]本专利技术实施例提供的测试方法，从测试的分类来说更加全面细致的对DDR芯片进行一个综合的测试并且进行分类分级，能对DDR芯片的质量和可靠性进行全面测试，能补全对DDR本身性能的检测，使得用户能够得到DDR在不同极限情况下的数据，从而能够更加全面评估DDR的性能。
附图说明
[0018]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本专利技术实施例提供的一种DDR芯片极限性能测试方法的流程示意图；
[0021]图2为本专利技术实施例提供的一种DDR芯片极限性能测试方法的分级流程示意图；
[0022]图3为本专利技术实施例提供的一种DDR芯片极限性能测试装置的结构框图；
[0023]图4为本专利技术实施例提供的一种测试设备的结构示意图。
具体实施方式
[0024]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0025]参见图1，图1为本专利技术实施例提供的一种DDR芯片极限性能测试方法的流程示意图。本流程示意图提供了一种DDR芯片极限性能测试方法，该方法可以应用于半导体测试领域中。具体的，在本专利技术实施例中，测试方法分为兼容性测试、环境适用性测试、模拟稳定性测试。该方法具体包括如下步骤：
[0026]S101，对DDR芯片进行兼容性测试，得到兼容性测试结果，所述兼容性测试包括电压测试和时序测试。
[0027]具体实施中，DDR芯片是双倍速率同步动态随机存储器，属于内存的其中一种。对DDR芯片进行兼容性测试的目的是为了找出DDR芯片电压、频率和时序的上下限、适用范围
及最佳适用值，上下限差值越大，且适用范围越大则芯片兼容性越强，最佳适用值则可以发挥出DDR芯片本身的性能，能够更加详细的判断DDR芯片的好坏，以及测试出DDR芯片的极限工作时间，以达到对DDR芯片的筛选以及分类定级。兼容性测试包括电压测试和时序测试，其中电压测试包括高压测试和低压测试，时序测试包括频率测试和延时时序。
[0028]在一实施例中，兼容性测试中，电压测试包括如下步骤：
[0029]S201，控制DDR芯片的输入电压从预设的标准电压逐步提高，并实时测量DDR芯片的运行速率。
[0030]具体实施中，输入电压可采用标准值例如1.2V不断进行累加，每次累加的幅度固定在0.5V，同时用一测试仪器实时测试出DDR芯片的运行速率，并记录DDR芯片的运行速率。
[0031]S202，判断DDR芯片的运行速率是否等于预设的第一速率阈值。
[0032]具体实施中，第一速率阈值是指在输入电压上升时，能满足用户最低使用需求的频率值，若DDR芯片运行速率低于第一速率阈值则说明该DDR芯片无法满足使用需求。需要说明的是，第一速率阈值可由用户设定，本专利技术实施例对此不做具体限定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DDR芯片极限性能测试方法，其特征在于，所述方法包括：对DDR芯片进行兼容性测试，得到兼容性测试结果，所述兼容性测试包括电压测试和时序测试；对DDR芯片进行环境适用性测试，得到环境适用性测试结果，所述环境适用性测试包括温度测试、酸碱环境测试和压力测试；对DDR芯片进行模拟稳定性测试，得到模拟稳定性测试结果，所述模拟稳定性测试包括跌落测试和晃动测试；根据所述兼容性测试结果、所述环境适用性测试结果、所述模拟稳定性测试结果以及预设的分级标准确定DDR芯片的级别。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对DDR芯片进行兼容性测试包括：控制DDR芯片的输入电压从预设的标准电压逐步提高，并实时测量DDR芯片的运行速率；判断DDR芯片的运行速率是否等于预设的第一速率阈值；若DDR芯片的运行速率等于预设的第一速率阈值，将所述第一速率阈值对应的输入电压作为DDR芯片的输入电压上限值；控制DDR芯片的输入电压从预设的标准电压逐步降低，并实时测量DDR芯片的运行速率；判断DDR芯片的运行速率是否等于预设的第二速率阈值；若DDR芯片的运行速率等于预设的第二速率阈值，将所述第二速率阈值对应的输入电压作为DDR芯片的输入电压下限值；根据所述输入电压上限值以及所述输入电压下限值确定DDR芯片的电压适用值范围；获取DDR芯片在所述电压适用值范围内的最大运行速率，并将所述电压适用值范围内的最大运行速率对应的输入电压作为DDR芯片的最佳运行电压。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对DDR芯片进行兼容性测试还包括：将DDR芯片的输入电压设定为所述最佳运行电压，并控制DDR芯片的频率从预设的标准频率逐步上调，并实时测量DDR芯片的运行速率；判断DDR芯片的运行速率是否等于预设的第三速率阈值；若DDR芯片的运行速率等于预设的第三速率阈值，将所述第三速率阈值对应的频率作为DDR芯片的频率上限值；将DDR芯片的输入电压设定为所述最佳运行电压，并控制DDR芯片的频率从预设的标准频率逐步下调，并实时测量DDR芯片的运行速率；判断DDR芯片的运行速率是否等于预设的第四速率阈值；若DDR芯片的运行速率等于预设的第四速率阈值，将所述第四速率阈值对应的频率作为DDR芯片的频率下限值；根据所述频率上限值以及所述频率下限值确定DDR芯片的频率适用范围；获取DDR芯片在所述频率适用范围内的最大运行速率，并将所述频率适用范围内的最大运行速率对应的频率作为DDR芯片的最佳运行频率。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对DDR芯片进行兼容性测试还包括：将DDR芯片的输入电压设定为所述最佳运行电压，并控制DDR芯片的延时时序从预设的
标准时序逐步上调，并实时测量DDR芯片的运行速率；判断DDR芯片的运行速率是否等于预设的第五速率阈值；若DDR芯片的运行速率等于预设的第五速率阈值，将所述第五速率阈值对应的时序作为DDR芯片的时序上限值；将DDR芯片的输入电压设定为所述最佳运行电压，并控制DDR芯片的延时时序从预设的标准时序逐步下调，并实时测量DDR芯片的运行速率；判断DDR芯片的运行速率是否等于预设的第六速率阈值；若DDR芯片的运行速率等于预设的第六速率阈值，将所述第六速率阈值对应的时序作为DDR芯片的时序下限值；根据所述时序上限值以及所述时序下限值确定DDR芯片的时序适用范围；获取DDR芯片在所述时序适用范围内的最大运行速率，并将所述时序适用范围内的最大运行速率对应的时序作为DDR芯片的最佳运行时序。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对DDR芯片进行环境适用性测试包括：控制DDR芯片的温度从预设的温度值逐渐上升，并实时测量DDR芯片的运行速率；判断DDR芯片的运行速率是否等于预设的第七速率阈值；若DDR芯片的运行速率等于预设的第七速率阈值，将所述第七速率阈值对应的温度作为DDR芯片的温度上限值；控制DDR芯片的温度从预设的温度值逐渐下降，并实时测量DDR芯片的运行速率；判断DDR芯片的运行速率是否等于预设的第八速率阈值；若DDR芯片的运行速率等于预设的第八速率阈值，将所述第八速率阈值对应的温度作...

【专利技术属性】
技术研发人员：李创锋，
申请(专利权)人：深圳市金泰克半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：