一种改善薄片抛光波纹不良方法技术

本发明专利技术提供了一种改善薄片抛光波纹不良方法，括如下步骤；步骤一，在硅片的上表面涂蜡，且涂蜡量为0.7ml/枚；步骤二，采用吸盘将硅片进行吸取，吸盘的吸力控制在15mm/Hg以下；所述硅片的厚度为300um以下；步骤三，吸盘将硅片吸附到陶瓷板上进行贴附；步骤四，硅片进行抛光。本专利通过三个方向改善了硅片厚度为300um以下产品的抛光波纹不良的问题。300um以下产品的抛光波纹不良的问题。300um以下产品的抛光波纹不良的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种改善薄片抛光波纹不良方法


[0001]本专利技术涉及硅片处理
，具体涉及一种改善薄片抛光波纹不良方法。

技术介绍

[0002]在硅片抛光领域对于薄片(300um以下厚度的硅片)，在抛光中易造成波纹不良。主要原因是硅片自身厚度比常规产品要薄，在抛光各工序的加工过程中容易受到外力过大造成产品形变，形变后在抛光完成后就会造成产品的波纹不良。
[0003]波纹不良是指波纹终检目视时，硅片平放在检查台三角支架上，身体前后移动目视观察硅片局部位置发生表面波纹(硅片局部轻微连续高低起伏)。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种改善薄片抛光波纹不良方法，已解决以上至少一个技术问题。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术所采用的技术方案如下：
[0006]本专利技术提供了一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于，包括如下步骤；
[0007]步骤一，在硅片的上表面涂蜡，且涂蜡量为0.7ml/枚；
[0008]步骤二，采用吸盘将硅片进行吸取，吸盘的吸力控制在15mm/Hg以下；
[0009]所述硅片的厚度为300um以下；
[0010]步骤三，吸盘将硅片吸附到陶瓷板上进行贴附；
[0011]步骤四，硅片进行抛光。
[0012]本专利通过三个方向改善了硅片厚度为300um以下产品的抛光波纹不良的问题。
[0013]通过控制吸盘的吸力减少在贴付反转吸头吸力过大造成薄片形变。
[0014]涂蜡量将传统的0.9ml/枚更改为0.7ml/枚。主要防止硅片比较薄涂蜡量较多蜡膜不均匀抛光中发生形变造成波纹不良。
[0015]进一步优选地，步骤四中，抛光采用三阶段抛光，分别为前后设置的粗抛、中抛以及精抛。
[0016]进一步优选地，粗抛参数压力为3
‑
4Kg/cm2，抛光头转速为50
‑
60rpm，抛光液PH值为10
‑
11，抛光液流量为2
‑
3L/min，抛光时定盘的温度为32
‑
50℃，去除量为14
‑
16um，时间为20
‑
40分钟。
[0017]进一步优选地，中抛参数压力为1.0
‑
1.5Kg/cm2，抛光头转速为40
‑
45rpm；
[0018]首先采用抛光液抛光，抛光液的PH值为8
‑
9，抛光液流量为2
‑
3L/min，抛光时定盘的温度为27
‑
35℃，时间为5分钟，然后，研磨液抛光结束再增加纯水抛光5分钟；中抛时，去除量为1
‑
2um。
[0019]进一步优选地，精抛参数压力为01
‑
1.5Kg/cm2，抛光头转速40
‑
45rpm，抛光液的PH值为8
‑
9，抛光液流量为0.5
‑
0.7L/min，抛光时定盘的温度为30
‑
40℃，去除量无，抛光时间10分钟。
[0020]步骤二中，吸盘采用15mm/Hg的吸力加速上升37
‑
38mm，吸盘翻转，吸盘加速下降，
吸盘减速加压2s后，吸盘停止吸气，吸盘向下加压保持2.5s。
[0021]吸盘减速加压设定为2s，将吸盘吸附时间从原设定的2.5s更改为2.0s，最大程度上保证在硅片贴付中接触到陶瓷板的瞬间进行放气完成，防止接触的陶瓷板后放气不及时造成硅片形变。
[0022]进一步优选地，步骤二中，吸盘的上升速度为3000mm/min。
[0023]进一步优选地，吸盘减速加压的速度为50
‑
60mm/min。
[0024]进一步优选地，步骤一，涂蜡时，硅片放置在研磨盘上，将0.7ml/枚蜡滴在硅片表面且距离硅片中心为5～7mm。涂蜡时蜡首先滴在硅片距离中心偏离5～7mm，通过旋转使蜡均匀分布在整个硅片面上，为后续硅片贴付在陶瓷板上做准备。若是滴在硅片的中心，旋转时便会缺少离心力导致中心部的蜡膜的厚度太厚，抛光后发生中心凹陷。通过调整涂覆的旋转速度来控制蜡膜厚度其均一性，从而保证硅片平整度。
[0025]进一步优选地，所述研磨盘的上方安装有用于对硅片外边缘进行定位的硅片边缘定位机构。便于对硅片摆放位置的限位。
附图说明
[0026]图1为本专利技术的流程图；
[0027]图2为本专利技术的硅片边缘定位机构的一种俯视图；
[0028]图3为本专利技术的硅片边缘定位机构的图2结构的仰视图。
具体实施方式
[0029]下面结合本专利技术的附图和实施例对本专利技术的实施作详细说明，以下实施例是在以本专利技术技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体操作过程，但本专利技术的保护范围不限于下述的实施例。
[0030]参见图1，一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于，包括如下步骤；
[0031]步骤一，在硅片的上表面涂蜡，且涂蜡量为0.7ml；
[0032]步骤二，采用吸盘将硅片进行吸取，吸盘的吸力控制在15mm/Hg以下；
[0033]所述硅片的厚度为300um以下；
[0034]步骤三，吸盘将硅片吸附到陶瓷板上进行贴附；
[0035]步骤四，硅片进行抛光。
[0036]步骤四中，抛光采用三阶段抛光，分别为前后设置的粗抛、中抛以及精抛。
[0037]粗抛参数压力为3
‑
4Kg/cm2，抛光头转速为50
‑
60rpm，抛光液PH值为10
‑
11，抛光液流量为2
‑
3L/min，抛光时定盘的温度为32
‑
50℃，去除量为14
‑
16um，时间为20
‑
40分钟。
[0038]中抛参数压力为1.0
‑
1.5Kg/cm2，抛光头转速为40
‑
45rpm；
[0039]首先采用抛光液抛光，抛光液的PH值为8
‑
9，抛光液流量为2
‑
3L/min，抛光时定盘的温度为27
‑
35℃，时间为5分钟，然后，研磨液抛光结束再增加纯水抛光5分钟
[0040]中抛时，去除量为1
‑
2um。
[0041]精抛参数压力为01
‑
1.5Kg/cm2，抛光头转速为40
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45rpm，抛光液的PH值为8
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9，抛光液流量为0.5
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0.7L/min，抛光时定盘的温度为30
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40℃，去除量无，抛光时间10分钟。
[0042]本专利通过三个方向改善了硅片厚度为300um以下产品的抛光波纹不良的问题。
[0043]通过控制吸盘的吸力减少在贴付反转吸头吸力过大造成薄片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于，包括如下步骤；步骤一，在硅片的上表面涂蜡，且涂蜡量为0.7ml/枚；步骤二，采用吸盘将硅片进行吸取，吸盘的吸力控制在15mm/Hg以下；所述硅片的厚度为300um以下；步骤三，吸盘将硅片吸附到陶瓷板上进行贴附；步骤四，硅片进行抛光。2.根据权利要求1所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：步骤四中，抛光采用三阶段抛光，分别为前后设置的粗抛、中抛以及精抛。3.根据权利要求2所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：粗抛参数压力为3
‑
4Kg/cm2，抛光头转速为50
‑
60rpm，抛光液PH值为10
‑
11，抛光液流量为2
‑
3L/min，抛光时定盘的温度为32
‑
50℃，去除量为14
‑
16um，时间为20
‑
40分钟。4.根据权利要求2所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：中抛参数压力为1.0
‑
1.5Kg/cm2，抛光头转速为40
‑
45rpm；首先采用抛光液抛光，抛光液的PH值为8
‑
9，抛光液流量为2
‑
3L/min，抛光时定盘的温度为27
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35℃，时间为5分钟，然后，研磨液抛...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚散散，贺贤汉，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：