多晶硅棒以及多晶硅棒的制造方法技术

发明专利技术涉及的多晶硅棒的晶界特征为：距离多晶硅棒的截面中心2/3的区域中除硅芯以外的区域的平均对应晶界比例超过20％，晶界宽度超过550mm/mm2，随机晶界宽度不超过800mm/mm2。。。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅棒以及多晶硅棒的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种用于改善単结晶制造缺陷率的原料多晶硅及其制造方法。

技术介绍

[0002]以往，在制造半导体器件时，对于单晶硅的制造工序来说，必须控制杂质和晶格缺陷等以维持生产效率。目前主流的单晶制作方法有FZ(浮动区)法和CZ(切克劳斯基)法，其中FZ法是通过高频加热直接加热多晶硅棒得到单结晶，与使用石英炉的CZ法相比，具备有利于控制杂质的特征。
[0003]在FZ法中，缺陷是指单晶生长受到阻碍，引起位错，从而在单晶棒上引发晶体缺陷。阻碍单晶生长的主要原因之一是多晶硅溶解后引起的残渣缺陷现象。
[0004]在该FZ法中，所使用的原料多晶硅棒的结晶特性与单晶制造中产生的FZ缺陷有着很大关系。
[0005]由于在FZ法的单晶生长过程中，FZ缺陷会显著降低生产率，因此成为亟待解决的重要课题。
[0006]作为FZ法原料的多晶硅棒的制造以西门子法为主流方法，西门子法是将作为原料的硅烷气体加热后在硅棒上析出的一种CVD法。
[0007]【先行技术文献】
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅棒，其特征在于：距离所述多晶硅棒的截面中心2/3的区域中除硅芯以外的区域的平均晶界特征为：对应晶界比例超过20％，且晶界宽度超过550mm/mm2，且随机晶界宽度不超过800mm/mm2。2.根据权利要求1所述的多晶硅棒，其特征在于：其中，对应晶界比例超过25％，且晶界宽度超过650mm/mm2，且随机晶界宽度不超过700mm/mm2。3.根据权利要求1或2所述的多晶硅棒，其特征在于：其中，对应晶界比例不超过90％，且晶界宽度不超过3000mm/mm2。4.一种多晶硅棒，其特征在于：整个所述多晶硅棒中除硅芯以外的区域的平均晶界特征为：对应晶界比例超过20％，且晶界宽度超过550mm/mm2，且随机晶界宽度不超过800mm/mm2。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田敦，星野成大，石田昌彦，青山武，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：