电子发射元件、电子源及图像显示装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种电子发射元件、电子源及图像显示装置的制造方法。在该电子发射元件的制造方法中，在对在基板上形成的导电膜进行清洗处理并去除异物之后，对去除了该异物的导电膜实施通电而在该导电膜上形成电子发射部。所以，可提供防止由于异物存在引起的电子发射部的形成不良并具有良好的电子发射特性的电子发射元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子发射元件的制造方法，此外，还涉及具有多个该元件的电子源的制造方法、采用该电子源和图像形成部件的图像显示装置的制造方法。
技术介绍
近年来，提出了将自发光型的电子发射元件以矩阵状配置于背板上的图像显示装置。迄今已知的电子发射元件大致可分为采用热电子发射元件的及采用冷阴极发射元件的两种。在冷阴极电子发射元件中有电场发射型(以下称其为“FE型”)、金属/绝缘层/金属型(以下称其为“MIM型”)及表面传导型发射元件等。现在，在表面传导型电子发射元件中，一般在进行电子发射之前要预先对导电膜实施称为成形(forming)的通电处理。即，所谓的成形就是在上述导电膜的两端施加直流电压或非常缓慢上升的电压进行通电，使导电膜局部破坏、变形或变质，形成电气上高电阻状态的电子发射部。经过上述通电成形处理的表面传导型电子发射元件，就成为通过在上述导电膜上施加电压，使电流流过元件而使电子从上述电子发射部发射电子的元件。另外，采用这种表面传导型电子发射元件的图像显示装置披露在例如日本专利特开2002-216616号公报中。另外，在日本专利特开09-274847号公报(对应欧洲专利公开EPA1 789383)中披露了具有检查在上述导电膜的前体膜中是否存在异物的工序的电子发射元件的制造方法以及具有在上述导电膜上有异物附着时，在将此异物附着的导电膜从基板去除之后，在此基板上再次重新形成导电膜的工序的电子发射元件的制造方法。另一方面，在图像显示装置中，使从电子发射元件发射的电子加速，入射到由荧光体等构成的图像形成部件而获得辉度。因为在图像显示装置中，为了相应于输入信号进行应答，必须将各电子发射元件在电气上进行分离，所以通常使用绝缘基板，但是当在电子发射部附近露出绝缘基板表面时，该表面的电位不稳定，电子发射会变得不稳定。当在图像形成部件的荧光体上施加高电压时，在对置的电子发射元件的周围的绝缘表面上产生由真空和绝缘体的介电常数决定的电容分割确定的电位。此电位，绝缘性越好时间常数越长，保持带电状态不变。此外，在此状态下从电子发射元件发射电子时，电子撞击带电的绝缘表面。此时，通过使电子加速，在绝缘表面上有电子、离子等带电粒子注入时产生二次电子。特别是在高电场下，由于达到异常放电，元件的电子发射特性显著降低，在最坏时，元件遭到破坏。由于该绝缘表面的带电的影响，与电子发射点越接近越显著，在电子发射元件附近的带电就特别需要抑制。作为达到该目的的手段，在日本专利特开2002-358874号公报中披露了将在有机溶剂中分散有导电粒子的溶液进行喷涂而在电子发射元件的周围设置带电防止膜的方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可防止由于异物存在引起的电子发射部的形成不良并具有良好的电子发射特性的电子发射元件的制造方法。另外，本专利技术的目的还在于提供一种具有多个电子发射元件的电子源，以及具有该电子源的图像显示装置，可防止由于异物存在引起的电子发射特性的波动，进而防止显示图像的品质的降低，可靠性高。本专利技术的电子发射元件的制造方法，其特征在于在基板上形成导电膜，在从形成的上述导电膜上去除异物之后，对去除了该异物的导电膜实施通电而在该导电膜上形成电子发射部。本专利技术的电子发射元件的制造方法，其特征在于在基板上形成导电膜，通过对形成的上述导电膜喷射清洗液而对该导电膜进行清洗之后，对经过清洗的导电膜实施通电而在该导电膜上形成电子发射部。另外，本专利技术是一种在基板上具有多个电子发射元件的电子源的制造方法，其特征在于上述电子发射元件是以上述方法制造的。另外，本专利技术是一种包括在基板上具有多个电子发射元件的电子源、以及与上述电子源对置配置并由于受到从上述电子源发射的电子的照射而发光的发光部件的图像显示装置的制造方法，其特征在于上述电子发射元件是由上述方法制造的。附图说明图1A、1B、1C及1D为示出本专利技术的电子发射元件的制造方法的一实施方式的工序的示意图。图2A及2B为示出利用图1A、1B、1C及1D的制造方法的电子发射元件的构成的示意图。图3为本专利技术的电子发射元件电子发射特性的评价装置的示意图。图4为示出本专利技术的电子发射元件的电子发射特性的示意图。图5为利用图2A及2B的电子发射元件构成的电子源的示意图。图6为示出利用图5的电子源构成的图像显示装置的显示屏的构成的概略图。图7为示出本专利技术的实施例的结果的示图。具体实施例方式本专利技术的电子发射元件的制造方法，其特征在于在基板上形成导电膜，在从形成的上述导电膜上去除异物之后，对去除了该异物的导电膜实施通电而在该导电膜上形成电子发射部。另外，本专利技术的电子发射元件的制造方法，其特征在于在基板上形成导电膜，通过对形成的上述导电膜喷射清洗液而对该导电膜进行清洗之后，对经过清洗的导电膜实施通电而在该导电膜上形成电子发射部。在上述本专利技术的电子发射元件的制造方法中，包含下述的优选方式。从上述导电膜去除异物是通过对该导电膜喷射清洗液进行的。另外，上述清洗液的喷射，是在大于等于5MPa的液压下进行的。另外，上述清洗液的喷射，是在大于等于5MPa小于等于30MPa的液压下进行的。另外，从上述导电膜上去除异物是在上述基板上和上述导电膜上形成电阻膜之后进行的。另外，上述电阻膜的形成是通过将已分散有导电粒子的液体赋予上述基板上及上述导电膜上进行的另外，上述导电粒子以SnOx为主要成分。另外，本专利技术是一种在基板上具有多个电子发射元件的电子源的制造方法，其特征在于上述电子发射元件是以上述方法制造的。另外，本专利技术是一种包括在基板上具有多个电子发射元件的电子源及与上述电子源对置配置并由于从上述电子源发射的电子的照射而发光的发光部件的图像显示装置的制造方法，其特征在于上述电子发射元件是由上述方法制造的。以上的本专利技术是根据下述的认知完成的。在实施通电的导电膜中有异物时，有时该导电膜不具有所希望的适合上述通电的电阻。在另外的示例中，在对多个导电膜同时实施通电时，有时在具有异物的导电膜上形成电子发射部之前的时间过长，在规定的时间内电子发射部的形成不能完成。在这种场合就存在未形成该电子发射部的电子发射元件部成为位缺陷的问题。在另外的示例中，由于在导电膜中存在的异物的影响，有时所形成的多个电子发射元件的电子发射特性出现波动，并且进一步出现以这种波动为主要原因的整个图像显示装置的均一性能不能维持的问题。另外，本专利技术人等发现，特别是在形成电子发射元件的基板表面上设置电阻膜即防止基板表面带电的电阻膜的场合，在导电膜上附着异物，上述问题特别容易发生。根据本专利技术，可提供一种可防止由于异物存在引起的电子发射部的形成不良并具有良好的电子发射特性的电子发射元件的制造方法。另外，根据本专利技术，可提供一种具有多个电子发射元件的电子源，并且在具有该电子源的图像显示装置中，防止由于异物存在引起的电子发射特性的波动，进而防止显示图像的品质的降低的可靠性高的电子源和图像显示装置。下面参照附图对本专利技术的优选实施方式以示例方式详细说明。不过，在该实施方式中记述的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等等，特别是只要没有特定的记述，就没有将本专利技术的范围限定于它们的意思。图1A～1D为示出本专利技术的电子发射元件的制造工序的示意图。图中，1是基板；2、3是电极；5是电阻膜(带电防止膜)；6是电子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子发射元件的制造方法，其特征在于：在基板上形成导电膜，在从形成的上述导电膜上去除异物之后，对去除了该异物的导电膜实施通电而在该导电膜上形成电子发射部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宇田芳己，柳泽芳浩，石渡和也，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]