【技术实现步骤摘要】
技术介绍
本专利技术总的涉及用于处理基片的设备和方法,其中基片包括用于集成电路制造的半导体基片或用于平板显示器应用的玻璃板。更具体的,本专利技术涉及改进的等离子体处理系统,其能够在基片表面以高处理均匀性处理基片。等离子体处理系统已经存在了一段时间。这些年来,使用电感性耦合等离子体源、电子回旋加速器谐振(ECR)源、电容性源或类似物的等离子体处理系统已经被不同程度地引入和使用,以处理不同对象,诸如半导体基片和玻璃板。在处理中,通常使用多个沉积和/或蚀刻步骤。在沉积过程中,材料被沉积到基片表面上(诸如玻璃板或晶片的表面)。例如,可以在基片的表面形成诸如不同形态的硅、二氧化硅、氮化硅、金属和类似物的沉积层。相反地,可以使用蚀刻来从基片表面上预定的区域选择性地去除材料。例如,可以在基片的层中形成诸如过孔、触点或沟槽等蚀刻特征。一种特定的等离子体处理的方法使用电感性源来产生等离子体。图1示出了用于等离子体处理的现有技术的电感性等离子体处理反应器200。典型的电感性等离子体处理反应器包括腔室202,天线或感应线圈210设置在绝缘窗212上方。典型的,天线210可操作地连接到第一射频(rf)电源214。另外,在腔室202的壁208内设置气体端口215,其设置为用于将气态的源材料,例如,蚀刻剂源气体,释放到绝缘窗212和基片206之间的射频感应等离子体区域204中。基片206引入腔室202并且放置在卡盘216上,卡盘216通常作为电极并且可操作地连接到第二射频电源218。为了产生等离子体,处理气体通过气体端口215输入腔室202内。随后使用第一射频电源214向感应线圈210施 ...
【技术保护点】
一种用于在等离子体处理设备的处理腔室的腔室壁内的等离子体产生区域中产生射频场分布的天线装置,其包括;射频电感天线,射频电源连接到其上,以供应射频电流来产生延伸进入等离子体产生区域内的第一射频场;及无源天线,第一无源天线电感性耦合到射频电感天线并且配置为产生第二射频场来修改第一射频场,使得在等离子体产生区域的射频场分布与没有无源天线时相比增加了处理设备的处理均匀性。
【技术特征摘要】
US 2002-7-22 10/200,8331.一种用于在等离子体处理设备的处理腔室的腔室壁内的等离子体产生区域中产生射频场分布的天线装置,其包括;射频电感天线,射频电源连接到其上,以供应射频电流来产生延伸进入等离子体产生区域内的第一射频场;及无源天线,第一无源天线电感性耦合到射频电感天线并且配置为产生第二射频场来修改第一射频场,使得在等离子体产生区域的射频场分布与没有无源天线时相比增加了处理设备的处理均匀性。2.如权利要求1所述的天线装置,其中,第二射频场修改了第一射频场,使得在等离子体产生区域的射频场分布具有与没有无源天线时不同的对称性。3.如权利要求2所述的天线装置,其中,无源天线改变了在等离子体产生区域的射频场分布的方位角对称性。4.如权利要求3所述的天线装置,其中,与没有无源天线时相比,射频场分布的方位角对称性增加。5.如权利要求1所述的天线装置,包括多个无源天线,每个天线电感性地耦合到射频电感天线并且配置为分别产生射频场以进一步修改第一射频场,使得与没有无源天线时相比,在等离子体产生区域的射频场分布增加处理设备的处理均匀性。6.如权利要求1所述的天线装置,其中,无源天线提供电传导路径,感应电流可以在该路径上流动,以产生至少一部分第二射频场。7.如权利要求6所述的天线装置,其中,无源天线沿电感天线的至少一部分长度延伸。8.如权利要求6所述的天线装置,其中,无源天线具有至少部分地围绕电感天线的一部分延伸的通道形状。9.如权利要求6所述的天线装置,其中,无源天线包围电感天线的一部分。10.如权利要求9所述的天线装置,其中,无源天线沿电感天线的大致全部长度包围电感天线。11.如权利要求6所述的天线装置,其中,无源天线的截面形状大致与在第一射频场的对称性没有任何不理想的情况下第一射频场在无源天线的位置处具有的磁场线的形状匹配。12.如权利要求6所述的天线装置,其中,无源天线具有带有边缘的端部区域,而且该无源天线的端部区域的边缘的截面形状大致与没有该无源天线时第一射频场在该无源天线的端部边缘的位置处具有的磁场线的形状匹配。13.如权利要求9所述的天线装置,进一步包括多个无源天线,其中,第一无源天线和多个无源天线围绕射频电感天线有角度地布置。14.如权利要求13所述的天线装置,其中,第一无源天线和多个无源天线围绕电感天线大致等角度地布置。15.如权利要求1所述的天线装置,其中,第二射频场改变了在等离子体产生区域中的射频场分布的径向分布。16.如权利要求15所述的天线装置,其中,第二射频场改变了在等离子体产生区域中的射频场分布的方位角分布。17.如权利要求1所述的天线装置,进一步包括用于保持无源天线的支撑件,其中,该支撑件是可移动的,使得无源天线相对于...
【专利技术属性】
技术研发人员:AM霍瓦尔德,A库蒂,MH维尔科克森,AD拜利三世,
申请(专利权)人:兰姆研究有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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