实施等离子体-支持工艺的装置制造方法及图纸

实施一种等离子体－支持工艺的装置，特别是实施一种等离子体－支持的气相化学淀积的装置，其在一个真空腔中具有至少一个电磁管－电极，该电极是不平衡型号的电极并且具有一个平的电磁管－前面（２０）以及与一个交变电压相连，所述电磁管－前面具有磁性相互对置的外围磁极和中间磁极。该装置还具有一个定位机构，在它的帮助下使一个基片（２５）定位使其以一个待处理上表面面对电磁管－前面，此外，该装置具有一个气体输入机构来把过程气体或者过程气体混合物输入到在电磁管－前面（２０）和待加工上表面之间的空腔内。为了获得最合适的工艺－效率（例如淀积速度），在电磁管－前面（２０）和待处理上表面之间的距离与由电磁管－电极（３２）产生的磁场相互匹配，使得由在电磁管－前面的外围磁极至中间磁极延伸的磁场线形成的暗的通道和待处理的上表面之间分布一条可视的等离子带，其中该等离子带具有最小的宽度并且向着待处理的上表面有着均匀的亮度。在待处理的上表面和电磁管－前面之间的距离最好大于通道的高度２％至２０％。本装置例如可以以二氧化硅把塑料薄膜涂层以改善薄膜的防护特性。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种按照独立权利要求前序部分的装置。本装置用于实施一种等离子体-支持工艺，特别是一种等离子体-支持的气相化学淀积(等离子体加强化学气相沉积)。本装置例如用于对薄膜材料的幅面的一个侧面进行涂层，特别是以二氧化硅把塑料薄膜涂层来改善塑料薄膜的防护性能。例如在出版物EP-299754(BOC)中已知，在使用一种等离子体-支持的气相化学淀积的情况下在一个基片上淀积一薄层二氧化硅。按照该出版物，电绝缘的基片置于一个真空腔中使其面对一个供给交变电压的电磁管的一个前表面。由一种有机硅-化合物、氧气和一种惰性气体(例如氩或者氦)构成的一种过程气体导入电磁管的前面和基片之间的空腔内并且源于这种过程气体的等离子体例如保持6帕斯卡的压力。在出版物EP-0299754中所述的电磁管是一种平衡或者不平衡型号的扁平电磁管。扁平电磁管的不平衡度取决于磁极强度或者设置在于电磁管的前面上分布的磁道两侧中的任意一侧上的磁极，也就是说取决于在从北极至南极的磁道上分布的磁场线数量和不是这样分布的磁场线数量之间的比例关系。不平衡的电磁管可以以已知的方式没有捕获所有等离子体的电子和离子，从而使得使有限数量的本文档来自技高网...

【技术保护点】
实施一种等离子体－支持工艺的装置，特别是实施一种等离子体－支持的气相化学淀积的装置，其在一个真空腔中具有一个电磁管－电极（３２）、一个定位机构和一个气体输入机构，其中电磁管－电极（３２）具有一个平的电磁管－前面（２０）和一个产生高频交变电场的机构，所述电磁管－前面具有磁性相互对置的外围磁极和中间磁极，其中装备定位机构使一个基片（２５）定位使其以一个待处理的上表面指向电磁管－前面（２０），并且装备气体输入机构使一种过程气体或者一种过程气体混合物输入到电磁管－前面（２０）和待处理基片之间的空腔中，其特征在于，电磁管－电极是不平衡型号的电磁管－电极并且电磁管－前面（２０）和定位机构之间的距离与由电磁...

【技术特征摘要】
CH 2002-10-3 1653/021.实施一种等离子体-支持工艺的装置，特别是实施一种等离子体-支持的气相化学淀积的装置，其在一个真空腔中具有一个电磁管-电极(32)、一个定位机构和一个气体输入机构，其中电磁管-电极(32)具有一个平的电磁管-前面(20)和一个产生高频交变电场的机构，所述电磁管-前面具有磁性相互对置的外围磁极和中间磁极，其中装备定位机构使一个基片(25)定位使其以一个待处理的上表面指向电磁管-前面(20)，并且装备气体输入机构使一种过程气体或者一种过程气体混合物输入到电磁管-前面(20)和待处理基片之间的空腔中，其特征在于，电磁管-电极是不平衡型号的电磁管-电极并且电磁管-前面(20)和定位机构之间的距离与由电磁管-电极产生的磁场相匹配，使得由在电磁管-前面的外围磁极和中间磁极之间延伸的磁场线形成的暗的通道(11)和待处理的上表面之间分布一条可视的等离子带，该等离子带具有最小的宽度但是向着待处理的上表面有着均匀的亮度。2.按照权利要求1的装置，其特征在于，在待处理的上表面和电磁管-前面(20)之间的距离(A-C)至少比通道(11)的可视高度(A-B)大2％。3.按照权利要求1或者2的装置，其特征在于，在待处理的上表面和电磁管-前面(20)之间的距离(A-C)最多比...

【专利技术属性】
技术研发人员：P法耶特，B亚库德，
申请(专利权)人：利乐拉瓦尔集团及财务有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]