等离子显示面板制造技术

本发明专利技术涉及等离子显示面板，且更为具体地说，涉及等离子显示面板的结构。根据本发明专利技术的等离子显示面板具有在上介质层、保护膜和上基片的任意一个中包括的光学特性改进材料。结果，根据本发明专利技术，能够从前过滤器省去光特性改进膜，能够使得等离子显示面板薄且节省制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子显示面板，且更为具体地说，涉及等离子显示面板的结构。
技术介绍
通常，在等离子显示面板中，在上面板和下面板之间形成的阻挡条形成一个单位单元。每个单元填充有由主要放电气体，比如氖(Ne)、氦(He)或Ne+He，和小量氙(Xe)组成的混合气体。如果惰性气体以高频电压放电，其产生真空紫外线。激发在阻挡条之间形成的荧光材料以实现图像。更加具体地说，三电极AC表面放电类型等离子显示面板因为在放电情况下在表面上累积壁电荷且保护电极不受由放电产生的飞溅影响，而具有低电压驱动和较长产品寿命的优点。图1说明了现有技术中的等离子显示面板的结构。参考图1，现有技术中的等离子显示面板的放电单元包括在上基片10的下表面上形成的扫描电极Y和维持电极Z，以及在下基片18上形成的寻址电极X。扫描电极Y包括透明电极12Y，和具有小于透明电极12Y的行宽度的行宽度、且被设置在透明电极的一侧边缘的金属总线电极13Y。另外，维持电极Z包括透明电极12Z，和具有小于透明电极12Z的行宽度的行宽度、且被设置在透明电极的一侧边缘的金属总线电极13Z。透明电极12Y、12Z通常由铟锡氧化物(ITO)形成，且被形成在上基片10的下表面上。金属总线电极13Y、13Z通常由比如铬(Cr)的金属形成，且在透明电极12Y、12Z上形成。金属电极13Y、13Z用于减少由具有高阻抗的透明电极12Y、12Z引起的电压降。在其中扫描电极Y和维持电极Z彼此平行形成的上基片10的下表面上层压上介质层14和保护层16。在等离子放电期间产生的壁电荷在上介质层14上累积。保护层16用于防止上介质层14受到由等离子放电期间产生的飞溅的损坏，且还改进次级电子的辐射效率。氧化镁(MgO)通常用作保护层16。在其中形成寻址电极X的下基片18上形成下介质层22和阻挡条24。在下介质层22和阻挡条24的表面上涂覆荧光材料层26。形成寻址电极X以交叉扫描电极Y和维持电极Z。阻挡条24被平行于寻址电极X形成，且用于防止由放电产生的紫外线和可见光泄漏到相邻的放电单元。以在等离子放电期间产生的紫外线激发荧光材料层26以产生红色、绿色和蓝色可见光的任意一个。将惰性混合气体注入在上基片10和阻挡条24之间以及在下基片18和阻挡条24之间设置的放电空间。图2说明了在现有技术中实现等离子显示面板的图像的方法。如图2所示，在等离子显示面板中，将一帧周期划分为具有不同放电数目的多个子场。在对应于输入图像信号的灰度级值的子场周期中激发等离子显示面板，由此实现图像。每个子场被划分为用于均匀产生放电的复位周期，用于选择放电单元的寻址周期和用于根据放电数目实现灰度级的维持周期。例如，如果希望以256个灰度级显示图像，将对应于1/60秒的帧周期(16.67ms)划分为八个子场，如图2所示。八个子场SF1到SF8的每个被再次划分为复位周期、寻址周期和维持周期。在该情况中，在每个子场中维持周期以2n的比率增加(其中，n＝0，1，2，3，4，5，6，7)，能够表现图像的灰度级。在如上所述驱动的等离子显示面板中，在上基片10上设置通用的前过滤器。在现有技术中，使用前过滤器以达到比如电磁干扰(在下文中称为“EMI”)屏蔽，近红外线(在下文中，称为“NIR”)屏蔽，改进色彩纯度和防止反射外部光的目的。但是，因为现有技术的前过滤器由多个层组成，因为前过滤器具有预定或更高的厚度而存在问题。更为具体地说，难以仅使用光学特性改进材料形成在前过滤器中包括的光特性改进膜。因此，存在处理时间长和制造成本高的问题。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是至少解决
技术介绍
的问题和缺点。本专利技术的目的是提供其中能够节省制造成本和减少制造过程的等离子显示面板。本专利技术的另一目的是提供其中能够促进变薄的等离子显示面板。本专利技术的另一目的是提供其中改进光学特性的等离子显示面板。根据本专利技术的方面的等离子显示面板包括以在其间的预定距离连接的上基片和下基片，和包括在上基片上形成的光学特性改进材料的上介质层。根据本专利技术另一方面的等离子显示面板包括以在其间的预定距离连接的上基片和下基片，在上基片上形成的上介质层，和包括在上介质层上形成的光学特性改进材料的保护膜。根据本专利技术又一方面的等离子显示面板包括包括光学特性改进材料的上基片；和以在其间的预定距离和上基片连接的下基片。本专利技术的优点在于其节省了制造成本和能够减少制造过程。本专利技术的优点在于其能够促进等离子显示面板的变薄。本专利技术的优点在于其能够改进光学特性。附图说明将参考其中相似的标记表示相似的元件的附图详细描述本专利技术。图1说明了现有技术的等离子显示面板的结构；图2说明了现有技术中实现等离子显示面板的图像的方法；图3是说明了根据本专利技术实施例的等离子显示面板的透视平面图；图4是表示根据本专利技术实施例的如图3所示的前滤波器的截面图；图5是表示在混合氖切割材料和介质层情况下的制造方法的视图；图6A和6B是表示氖切割材料的视图；且图7是表示在混合氖切割材料和保护层情况下的制造方法的视图；具体实施方式将参考附图以更加详细的方式描述本专利技术的优选实施例。根据本专利技术的方面的等离子显示面板包括以在其间的预定距离连接的上基片和下基片，和包括在上基片上形成的光学特性改进材料的上介质层。介质层的1％到50％包括光学特性改进材料。光学特性改进材料是由氖切割材料制成的。氖切割材料包括phorpyrin染料(phorpyrin dye)或squarylium染料(squarylium dye)的至少其中之一。介质层包括下面介质层形成材料的至少两个Pbo，SiO2，B2O3，Al2O3，ZnO，BaO，CoO或CuO。上介质层的光学特性改进材料和介质形成材料以悬浮体或糊状物(a slurry or a paste)的状态混合，且被烧制以形成介质层。等离子显示面板进一步包括前过滤器，其在上基片的前表面上形成，且包括防反射膜、玻璃、EMI屏蔽膜和NIR屏蔽膜的至少一个。根据本专利技术另一实施例的等离子显示面板包括以在其间的预定距离连接的上基片和下基片，在上基片上形成的上介质层，和包括在上介质层上形成的光学特性改进材料的保护膜。保护膜的1％到50％包括光学特性改进材料。光学特性改进材料是由氖切割材料制成的。氖切割材料包括phorpyrin染料或squarylium染料的至少一个。保护膜包括MgO。保护膜的光学特性改进材料和保护膜形成材料以悬浮体或糊状物状态混合，且被烧制以形成保护膜。等离子显示面板进一步包括前过滤器，其在上基片的前表面上形成，且包括防反射膜、玻璃、EMI屏蔽膜或NIR屏蔽膜的至少一个。根据本专利技术又一实施例的等离子显示面板包括具有光学特性改进材料的上基片，和以在其间的预定距离和上基片连接的下基片。上基片的1％到50％包括光学特性改进材料。光学特性改进材料是由氖切割材料制成的。氖切割材料包括phorpyrin染料或squarylium染料的至少一个。上介质的光学特性改进材料和基片形成材料以悬浮体或糊状物状态混合，且被烧制以形成上基片。等离子显示面板进一步包括前过滤器，其在上基片的前表面上形成，且包括防反射膜、玻璃、EMI屏蔽膜或NIR屏蔽膜的至少一个。图3是表示根据本专利技术实施例的等离子显示面板的放电的透视图。参考图3，本专利技术的P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子显示面板，其包括：上基片和下基片，其以在其间的预定距离连接，和上介质层，其包括在上基片上形成的光学特性改进材料。

【技术特征摘要】
KR 2004-12-7 10-2004-01026901.一种等离子显示面板，其包括上基片和下基片，其以在其间的预定距离连接，和上介质层，其包括在上基片上形成的光学特性改进材料。2.如权利要求1所述的等离子显示面板，其中，该介质层的1％到50％包括光学特性改进材料。3.如权利要求1所述的等离子显示面板，其中，该光学特性改进材料是由氖切割材料制成的。4.如权利要求3所述的等离子显示面板，其中，该氖切割材料包括phorpyrin染料或squarylium染料的至少其中之一。5.如权利要求1所述的等离子显示面板，其中，该介质层包括下面介质层形成材料的至少两个Pbo，SiO2，B2O3，Al2O3，ZnO，BaO，CoO或CuO。6.如权利要求1所述的等离子显示面板，其中，该上介质层的光学特性改进材料和介质形成材料被以悬浮体或糊状物状态混合，且被烧制以形成介质层。7.如权利要求1所述的等离子显示面板，其进一步包括前过滤器，其在上基片的前表面上形成，且包括防反射膜、玻璃、EMI屏蔽膜和NIR屏蔽膜的至少一个。8.一种等离子显示面板，其包括上基片和下基片，其以在其间的预定距离连接；上介质层，其在上基片上形成；和保护膜，其包括在上介质层上形成的光学特性改进材料。9.如权利要求8所述的等离子显示面板，其中，该保护膜的1％到50％包括光学特性改进材料。10.如权利要求8所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴柳，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]