一种点状支撑的PVD子载板制造技术

本实用新型专利技术提供了一种点状支撑的PVD子载板，其包含PVD子载板框、一圈宽度尺寸较窄的周长全支撑圈和8个凸点支撑。所述宽度尺寸较窄的周长全支撑圈和8个凸点支撑设置在PVD子载板框的内边框上；所述8个凸点支撑分散分布在宽度尺寸较窄的周长全支撑圈上。周长全支撑圈的宽度尺寸可减小到0.5mm以下并用8个凸点来支撑硅片，这样既使正反面之间形成一道镀膜空白区域作为绝缘屏障，以保证暗电流不会过高，保证了PVD镀膜时不会产生绕镀，同时减少了整体镀膜面积的遮挡。因此，本实用新型专利技术提供的点状支撑的PVD子载板很好的保证硅片平整地完成镀膜，既能降低破片率又能有效地降低镀膜后的暗电流不良。暗电流不良。暗电流不良。

【技术实现步骤摘要】
一种点状支撑的PVD子载板


[0001]本技术涉及PVD载板领域，尤其涉及一种点状支撑的PVD子载板。

技术介绍

[0002]PVD子载板用于放置待PVD镀膜的硅片，为了防止硅片在镀膜过程中掉落，如图3所示，现有技术是在子载板框边缘周围设置一整圈的边缘周长全支撑圈，该支撑方式，如果支撑圈的尺寸太宽，如0.7mm，遮档太多会减少整体镀膜面积；而支撑圈的尺寸太窄，如0.6mm，又容易掉片或卡片，造成硅片破片率大。此外，采用一整圈的边缘周长全支撑圈的支撑方式，遮档面积过大，还会造成镀膜后暗电流不良率偏高。因此，现有技术存在不足。

技术实现思路

[0003]为解决现有技术存在的问题，本技术提供了一种点状支撑的PVD 子载板，其特征在于，所述点状支撑的PVD子载板包含PVD子载板框、一圈宽度尺寸较窄的周长全支撑圈和8个凸点支撑。所述宽度尺寸较窄的周长全支撑圈和8个凸点支撑设置在PVD子载板框的内边框上；所述8个凸点支撑分散分布在宽度尺寸较窄的周长全支撑圈上。
[0004]优选的，所述宽度尺寸较窄的周长全支撑圈宽度小于0.5mm；
[0005]优选的，所述PVD子载板框根据不同硅片尺寸设置不同的尺寸；
[0006]优选的，所述8个凸点分别设置在PVD子载板框的四个角落位置和四个边长的中间位置；
[0007]优选的，所述8个凸点分别两两的设置在PVD子载板框四个边长位置上；
[0008]优选的，所述8个凸点的长度和为PVD子载板框周长的3％
‑
5％；
>[0009]优选的，所述8个凸点的凸出尺寸为PVD子载板框边长的0.6％
‑
1％。
[0010]和现有技术相比，本技术具有如下有益效果：
[0011]本技术提供的点状支撑的PVD子载板，通过PVD子载板框的内边框上设置宽度尺寸较窄的周长全支撑圈和8个凸点支撑。周长全支撑圈的宽度尺寸减小到0.5mm以下并用8个凸点来支撑硅片，这样既使正反面之间形成一道镀膜空白区域作为绝缘屏障，以保证暗电流不会过高，保证了PVD镀膜时不会产生绕镀，减少了整体镀膜面积的遮挡。因此，本技术提供的点状支撑的PVD子载板很好的保证硅片平整地完成镀膜，既能降低破片率又能有效地降低镀膜后的暗电流不良。
附图说明
[0012]构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
[0013]图1为本技术提供的点状支撑的PVD子载板实施例的一种结构示意图；
[0014]图2为本技术提供的点状支撑的PVD子载板实施例的一种结构示意图；
[0015]图3为现有技术边缘周长全支撑圈PVD子载板的结构示意图。
具体实施方式
[0016]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0017]如图1和2所示，本技术提供了一种点状支撑的PVD子载板，所述点状支撑的PVD子载板包含PVD子载板框1、一圈宽度尺寸较窄的周长全支撑圈2和8个凸点支撑3。所述宽度尺寸较窄的周长全支撑圈2和8个凸点支撑3设置在PVD子载板框1的内边框上；所述8个凸点支撑3分散分布在宽度尺寸较窄的周长全支撑圈2上。
[0018]其中，所述宽度尺寸较窄的周长全支撑圈2宽度小于0.5mm；所述PVD 子载板框的尺寸是针对158.75mm尺寸硅片；所述8个凸点3分别设置在 PVD子载板框1的四个角落位置和四个边长的中间位置(如图1所示)；所述8个凸点3分别两两的设置在PVD子载板框1四个边长位置上；所述 8个凸点的长度为5mm；凸出尺寸为1.2mm。
[0019]本技术提供的点状支撑的PVD子载板，通过PVD子载板框1的内边框上设置宽度尺寸较窄的周长全支撑圈2和8个凸点支撑3。周长全支撑圈的宽度尺寸减小到0.5mm以下并用8个凸点来支撑硅片，这样既使正反面之间形成一道镀膜空白区域作为绝缘屏障，以保证暗电流不会过高，保证了PVD镀膜时不会产生绕镀，减少了整体镀膜面积的遮挡。因此，本技术提供的点状支撑的PVD子载板很好的保证硅片平整地完成镀膜，既能降低破片率又能有效地降低镀膜后的暗电流不良。
[0020]以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种点状支撑的PVD子载板，其特征在于：所述点状支撑的PVD子载板包含PVD子载板框、一圈宽度尺寸较窄的周长全支撑圈和8个凸点支撑；所述宽度尺寸较窄的周长全支撑圈和8个凸点支撑设置在PVD子载板框的内边框上；所述8个凸点支撑分散分布在宽度尺寸较窄的周长全支撑圈上。2.根据权利要求1所述的点状支撑的PVD子载板，其特征在于：所述宽度尺寸较窄的周长全支撑圈宽度小于0.5mm。3.根据权利要求1所述的点状支撑的PVD子载板，其特征在于：所述PVD子载板框根据不同硅片尺寸设置不同的尺寸。4.根据权利要求1所述的点状支撑的P...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志华，
申请(专利权)人：福建钜能电力有限公司，
类型：新型
国别省市：