等离子显示面板及其制造方法技术

技术编号:3152626 阅读:125 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开一种等离子显示面板(PDP)及其制造方法。该PDP包括:前面板,其中在透明电极上形成包括黑色材料的总线电极;和后面板,其附着到前面板,以预定间隔与之彼此分开。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子显示设备,更具体地,涉及等离子显示面板(PDP)及其制造方法。
技术介绍
在等离子显示面板(PDP)中,将主要的放电气体(例如Ne、He和Ne+He)及包括少量氙的惰性气体注入到前面板和后面板之间的放电空间中。当通过高频电压产生放电时,放电空间中的惰性气体产生真空紫外(UV)线,而该真空UV线通过荧光体发光,从而实现图像。图1图示了通常的PDP的结构。如图1所示,按照该PDP,前面板100和后面110彼此以均匀的间隔平行地组合在一起,其中前面板100通过布置由成对的扫描电极102和维持电极103形成的维持电极对而获得,而后面板110通过布置与该多个维持电极对交叉的寻址电极113而获得。在前面板100中,在前玻璃101上形成用于在一个放电单元中相互放电的扫描电极102和维持电极103来维持单元的发射。扫描电极102和维持电极103包括由透明材料制成的透明电极102a和103a以及由金属材料比如Ag制成的总线电极102b和103b。构成总线电极的金属材料例如Ag不透射由放电产生的光,而且反射外部的光以降低对比度。为解决这一问题,在透明电极102a和103a以及总线电极102b和103b之间形成黑色层104以提高对比度。扫描电极102和维持电极103覆盖有上介质层105,用于限制放电电流并用于使电极对彼此绝缘。为便于放电,在整个上介质层105的表面上形成其上淀积氧化镁(MgO)的保护层106。在后面板110中,在后玻璃111上形成寻址电极113,以便通过在扫描电极102和寻址电极113之间产生的写入放电来写入数据。此外,寻址电极113覆盖有下介质层115,以便限制放电电流。在下介质层115上彼此平行地布置用于形成多个放电单元的阻挡条112。此外,在下介质层115和阻挡条112之间填充有用于在放电期间发射可见光用于显示图像的R、G和B荧光体114。将参考图2描述具有上述结构的PDP前面板的制造方法。图2顺序地图示了制造常规PDP前面板的工艺过程。如图2中所示,首先,在步骤(a)中,在前玻璃101上形成由氧化铟和氧化锡制成的铟锡氧化物(ITO)的透明电极102a。接着,在步骤(b)中,在形成透明电极的前玻璃101上涂印用于形成黑色层104的黑色膏,并使其干化。在步骤(c)中,在干化的黑色膏上设置具有预定图案的光掩模M,并用UV线照射使其干化。在步骤(d)中,为在黑色层104上形成总线电极102b,将经过光刻处理的黑色层104涂覆Ag膏,而将Ag膏涂印在黑色层104上以使其干化。然后,在步骤(e)中,在涂覆在黑色层104的Ag膏上设置具有预定图案的光掩模M以进行光刻处理。在光刻处理之后,在步骤(f)中,形成没有被硬化的部分,并且将其在退火炉(未示出)中退火,以形成总线电极102b。之后,在步骤(g)中,在形成扫描电极和维持电极的前玻璃上形成介质层105。最后,在步骤(h)中,由MgO构成的保护层106形成在介质层105的表面上,以完成PDP的前面板。在制造PDP的前面板的工艺过程中,重复进行涂印、干化和光刻处理,使得处理时间增加,而使生产率降低,并增加了制造成本。而且,在透明电极上形成的黑色层104和总线电极102之间产生了对准误差。
技术实现思路
因此,本专利技术的一个目的是至少解决现有技术中的问题和缺点。本专利技术的一个目的是提供一种等离子显示面板(PDP),其能够减少制造成本。本专利技术的另一目的是提供一种制造PDP的方法,其能够减少制造PDP的过程的数目,以提高生产率。根据本专利技术第一实施例的PDP包括前面板,其中在透明电极上形成包括黑色材料的总线电极;和后面板,其附着到前面板,以预定间隔与之彼此分开。根据本专利技术的第二实施例的PDP包括前面板,其中在基片上形成包括黑色材料的总线电极;和后面板,其附着到前面板,以预定的间隔与之彼此分开。根据本专利技术的制造等离子显示面板的方法,包括以下步骤在玻璃上形成透明电极;将包括黑色材料和Ag的总线电极膏涂敷到透明电极上;在总线电极膏上进行光刻来形成图案。根据本专利技术,其能够防止在PDP的黑色层和总线电极层之间产生的对准误差。根据本专利技术,其能够减少制造PDP的处理数目,提高生产率,并减少制造成本。附图说明下面将参考附图详细说明本专利技术,在附图中,相同的附图标记表示相同的部分。图1图示了通常的等离子显示面板(PDP)的结构;图2顺序地图示了制造常规PDP的前面板的工艺过程;图3图示了根据本专利技术第一实施例的PDP的结构;图4图示了根据本专利技术的PDP的总线电极的结构;图5顺序地图示了制造根据本专利技术第一实施例的PDP的工艺过程;和图6图示了根据本专利技术第二实施例的PDP的结构;图7顺序地图示了制造根据本专利技术第二实施例的PDP的工艺过程中制造前面板的方法。具体实施例方式下面将参考附图更详细地说明本专利技术的优选实施例。根据本专利技术第一实施例的等离子显示面板(PDP)包括前面板,其中在透明电极上形成包括黑色材料的总线电极;和后面板,其附着到前面板,以预定的间隔与之彼此分开。该总线电极包括银(Ag)、铜(Cu)和铬(Cr)的至少一种。该总线电极包括Ag微粒和黑色材料,并且用黑色材料将Ag微粒覆盖。该黑色材料是导电的。当该黑色材料导电时,使用其覆盖Ag微粒的该黑色材料的厚度范围从0.1μm至5μm。该黑色材料是非导电的。当该黑色材料不导电时,使用其覆盖Ag微粒的该黑色材料的厚度范围从0.1μm至1μm。下面,将参考附图说明根据本专利技术第一实施例的PDP。<第一实施例> 图3图示了根据本专利技术第一实施例的PDP的结构。参考图3,在根据本专利技术第一实施例的PDP中,前面板300和后面板310彼此结合,以均匀一致的间隔彼此平行走向,其中通过布置由成对的扫描电极302和维持电极303形成的多个维持电极对而获得该前面板300,并通过布置由多个寻址电极313电极以与多个维持电极对交叉而获得该后面板310。在前面板300中,在前玻璃301上形成扫描电极302和维持电极303,其用于在一个单元内相互放电以维持单元的发射。扫描电极302和维持电极303包括由透明材料制成的透明电极302a和303a,以及包括黑色材料的总线电极302b和303b。透明电极302a和303a由氧化铟和氧化锡的铟锡氧化物(ITO)制成。总线电极302b和303b主要包括银(Ag),并可以包括铜(Cu)和铬(Cr)的一种。而且,总线电极302b和303b可以包括通过将Ag、Cu和Cr的两种或更多彼此混合而得到的混合物。扫描电极302和维持电极303覆盖有上介质层304,用于限制放电电流并用于使电极对彼此绝缘。在上介质层304的整个表面上,形成其上淀积有氧化镁(MgO)的保护层305,以有利于放电。在后面板310中,在后玻璃311上形成寻址电极313,以便通过在扫描电极302和寻址电极313之间产生的写入放电来写入数据。此外,寻址电极313覆盖有下介质层315,以限制放电电流。在下介质层315上布置有多个彼此平行的用于形成放电单元的条形的阻挡条312。而且在下介质层315和阻挡条312之间填充用于在放电期间发射可见光而显示图像的R、G和B荧光体314。在根据本专利技术第一实施例的具有上述结构的PDP中,总线电极本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种等离子显示面板,包括:前面板,其包括总线电极,该总线电极包括形成在透明电极上的黑色材料;和后面板,其附着到前面板,其间具有预定的间隔。

【技术特征摘要】
KR 2005-2-1 10-2005-00092641.一种等离子显示面板,包括前面板,其包括总线电极,该总线电极包括形成在透明电极上的黑色材料;和后面板,其附着到前面板,其间具有预定的间隔。2.如权利要求1所述的等离子显示面板,其中该总线电极包括银(Ag)、铜(Cu)和铬(Cr)的至少一种。3.如权利要求1所述的等离子显示面板,其中该总线电极包括银的微粒和黑色材料;其中该黑色材料覆盖Ag微粒。4.如权利要求1所述的等离子显示面板,其中该黑色材料包括导电材料。5.如权利要求3所述的等离子显示面板,其中该黑色材料包括导电材料。6.如权利要求5所述的等离子显示面板,其中该黑色材料的厚度范围从0.1μm至5μm。7.如权利要求1所述的等离子显示面板,其中该黑色材料包括非导电材料。8.如权利要求3所述的等离子显示面板,其中该黑色材料包括非导电材料。9.如权利要求8所述的等离子显示面板,其中该黑色材料的厚度范围从0.1μm至1μm。10.一种等离子显示面板,包括前面板,其包括总线电极,该总线电极包括形成在基片上的黑色材料;和后面板...

【专利技术属性】
技术研发人员:张铭洙
申请(专利权)人:LG电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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