一种钛合金封接工艺制造技术

一种钛合金封接工艺，包括以下步骤：（1）将经过金属化并镀镍的陶瓷绝缘子与引线和钛合金外壳组装在一起；（2）将封接位置放入焊料；（3）将组装好的产品放入真空炉中；（4）调节真空炉温度至800~810℃进行封接，保温时间10分钟；（5）取出产品检查焊接质量。相对于现有技术，本发明专利技术取得的有益技术效果为：该钛合金封接工艺从工艺上解决了钛合金封接晶粒变大问题；避免了因氧化变色进行表面处理，提升生产效率；提升了钛合金与绝缘子以及引线之间的密封性能及绝缘性能，适合推广使用。适合推广使用。适合推广使用。

【技术实现步骤摘要】
一种钛合金封接工艺


[0001]本专利技术涉及钛合金封接
，特别涉及一种钛合金封接工艺。

技术介绍

[0002]随着军用产品技术要求的不断提高，产品性能标准越来越严格，目前，多数同行在进行钛合金封接时使用玻璃封接，因玻璃封接温度为999~1100℃，超过了钛合金的相变温度，导致钛合金经高温封接后晶粒变大，机械性能下降。

技术实现思路

[0003]本专利技术主要目的是解决以上不足，提供了一种在钛合金与绝缘材料封装领域解决了钛合金产品在经过高温封装以后晶粒变大导致的机械性能下降问题，特别是在电池密封盖、连接器领域有较为突出的应用。
[0004]一种钛合金封接工艺，包括以下步骤：（1）将经过金属化并镀镍的陶瓷绝缘子与引线和钛合金外壳组装在一起；（2）将封接位置放入焊料；（3）将组装好的产品放入真空炉中；（4）调节真空炉温度至800~810℃进行封接，保温时间10分钟；（5）取出产品检查焊接质量。
[0005]进一步，该钛合金封接工艺的步骤（2）的放入焊料为银铜焊料。
[0006]进一步，该钛合金封接工艺的步骤（4）真空炉封接后对产品进行退火处理。
[0007]进一步，该钛合金封接工艺的步骤（4）调节真空炉温度至810℃进行封接，所述封接时采用制氮机制氮。
[0008]相对于现有技术，本专利技术取得的有益技术效果为：该钛合金封接工艺从工艺上解决了钛合金封接晶粒变大问题；避免了因氧化变色进行表面处理，提升生产效率；提升了钛合金与绝缘子以及引线之间的密封性能及绝缘性能，适合推广使用。
附图说明
[0009]图1为本专利技术的晶粒度检测图。
[0010]图2为本传统工艺的晶粒度检测图。
具体实施方式
[0011]以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。
[0012]一种钛合金封接工艺，包括以下步骤：（1）将经过金属化并镀镍的陶瓷绝缘子与引线和钛合金外壳组装在一起；（2）将封接位置放入焊料；（3）将组装好的产品放入真空炉中；（4）调节真空炉温度至800~810℃进行封接，保温时间10分钟；（5）取出产品检查焊接质量。
[0013]为使提高封接质量，确保封接可靠到位。该钛合金封接工艺的步骤（2）的放入焊料为银铜焊料。
[0014]为提高产品性能，保障产品质量。该钛合金封接工艺的步骤（4）真空炉封接后对产品进行退火处理，为使能提供烧结及真空炉在封接产品时所需的氮气气氛保护，提高封接质量。该钛合金封接工艺的步骤（4）调节真空炉温度至810℃进行封接，所述封接时采用制氮机制氮。所述封接时采用(高真空钎焊)制氮机制氮。
[0015]选取2组不同工艺的钛合金封装产品进行表面观察，气密性检测和绝缘性能检测以及晶粒度，结果如下：第一组（采用传统工艺）：外观观察：表面呈蓝黑色，有明显色斑；密封性能：2.1*10
‑
8Pa
·
cm
³
/s(He)；绝缘性能：500V（DC） 512MΩ。
[0016]第二组（采用本专利技术工艺）：外观观察：表面银白色金属光泽；密封性能：2.0*10
‑
12Pa
·
cm
³
/s(He)；绝缘性能：500V（DC） 2.5GΩ。
[0017]以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钛合金封接工艺，其特征在于：所述钛合金封接工艺包括以下步骤：（1）将经过金属化并镀镍的陶瓷绝缘子与引线和钛合金外壳组装在一起；（2）将封接位置放入焊料；（3）将组装好的产品放入真空炉中；（4）调节真空炉温度至800~810℃进行封接，保温时间10分钟；（5）取出产品检查焊接质量。2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨小宽，欧旦，
申请(专利权)人：贵州航箭电子产品有限公司，
类型：发明
国别省市：