改善氮掺杂晶圆翘曲度的加工方法和系统技术方案

本发明专利技术实施例公开了一种改善氮掺杂晶圆翘曲度的加工方法和系统；该方法可以包括：基于氮含量分布将所述待切割的氮掺杂晶棒划分为多个待加工晶棒段；其中，每个待加工晶棒段均对应于一氮含量区间；根据氮含量区间与加工条件之间的对应关系确定每个待加工晶棒段各自对应的加工条件；其中，所述加工条件使得能够避免对应的待加工晶棒段经由线切割而发生翘曲现象；利用各所述待加工晶棒段对应的加工条件分别对各所述待加工晶棒段进行切割加工，获得由所述待切割的氮掺杂晶棒切割得到的晶圆。圆。圆。

【技术实现步骤摘要】
改善氮掺杂晶圆翘曲度的加工方法和系统


[0001]本专利技术实施例涉及晶圆制造
，尤其涉及一种改善氮掺杂晶圆翘曲度的加工方法和系统。

技术介绍

[0002]目前，在大尺寸的半导体级单晶硅片的工艺过程中，通常采用直拉(Czochralski)法拉制的单晶硅棒(也可以在一些示例中被称之为晶棒或硅棒)。直拉法包括使由石英制成的坩埚中多晶硅熔化以获得硅熔体，将单晶种浸入硅熔体中，以及连续地提升晶种移动离开硅熔体表面，由此在移动过程中相界面处生长出单晶硅棒。
[0003]在拉制单晶硅棒的常规方案中，通常会利用氮掺杂技术将微量氮掺入单晶硅晶体，从而能够抑制对集成电路质量产生严重影响的空洞型(COP)缺陷以提高集成电路的成品率；还能够促进直拉单晶硅棒中的氧沉淀和二次诱生缺陷，在后续切割所得到的硅片表面有源区生成高质量的洁净区，以利于集成电路器件制备过程中的金属杂质吸除；而且还可以提高硅片机械强度。
[0004]目前在利用氮掺杂技术拉制晶棒的过程中，由于氮的分凝系数很小，导致出现偏析现象，从而导致在沿晶棒轴向方向的各位置氮浓度不一致，举例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善氮掺杂晶圆翘曲度的加工方法，其特征在于，所述方法包括：基于氮含量分布将所述待切割的氮掺杂晶棒划分为多个待加工晶棒段；其中，每个待加工晶棒段均对应于一氮含量区间；根据氮含量区间与加工条件之间的对应关系确定每个待加工晶棒段各自对应的加工条件；其中，所述加工条件使得能够避免对应的待加工晶棒段经由线切割而发生翘曲现象；利用各所述待加工晶棒段对应的加工条件分别对各所述待加工晶棒段进行切割加工，获得由所述待切割的氮掺杂晶棒切割得到的晶圆。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据氮含量区间与加工条件之间的对应关系确定每个待加工晶棒段各自对应的加工条件，包括：针对每个待加工晶棒段，在线切割过程中分别采集设定的多个径向位置处的温度值；根据各待加工晶棒段在相同径向位置处的温度值确定各待加工晶棒段之间的温度差；基于各待加工晶棒段之间的温度差确定各待加工晶棒段对应的钢线进给量，以使得除位于所述待切割的氮掺杂晶棒首部以外的待加工晶棒段的加工温度与位于所述待切割的氮掺杂晶棒首部的待加工晶棒段的加工温度一致。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述各待加工晶棒段中，位于所述待切割的氮掺杂晶棒首部的待加工晶棒段对应的钢线进给量小于除位于所述待切割的氮掺杂晶棒首部以外的待加工晶棒段对应的钢线进给量。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于氮含量分布将所述待切割的氮掺杂晶棒划分为多个待加工晶棒段，包括：将所述待切割的氮掺杂晶棒基于氮含量分布切割为多个待加工晶棒段。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：检测待切割的氮掺杂晶棒的氮含量分布。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述检测待切割的氮掺杂晶棒的氮含量分布，包括：沿所述待切割的氮掺杂晶棒的轴向方向的...

【专利技术属性】
技术研发人员：倚娜，令狐嵘凯，张雯，路颖，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：