纳米碳管场发射显示器制造技术

一种纳米碳管场发射显示器，包括一阴极基板与一阳极基板。阳极基板配置于阴极基板上方，且包括一第一基板、一萤光材料层、一阳极电极以及多个彩色滤光薄膜。第一基板具有一第一表面与一第二表面，且第一表面面对阴极基板。阳极电极配置于第一基板的第一表面上。萤光材料层配置于阳极电极与阴极基板之间。彩色滤光薄膜配置于萤光材料层与第一基板之间或第一基板的第二表面上。依据上述，本发明专利技术提出一种显示品质较佳的纳米碳管场发射显示器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种显示器，且特别是有关于一种纳米碳管场发射显示器(carbon nanotube field emitting display，CNT-FED)。
技术介绍
场发射显示器具有质轻、耗电量低、无视角差等优点，是目前广为研究的一种显示器。场发射显示器的发光原理，是在真空环境下利用强电场使材料尖端的电子游离出，而离开阴极基板(cathode substrate)的场发射电子受阳极基板正电压的加速吸引，撞击至阳极基板的萤光材料而发光(Luminescence)。即阴极基板作为场电子发射源，而阳极基板(anodesubstrate)作为发光源，由阴极基板射出的电子撞击阳极基板上的萤光层而发光。请参阅图1所示，绘示习知一种纳米碳管场发射显示器(carbonnanotube field emitting display)的结构示意图。请参照图1所示，习知纳米碳管场发射显示器30包括一阴极基板10与一阳极基板20。阴极基板10的下基板11上有多条阴极线12、多个纳米碳管13以及多条闸极线(gateline)14。纳米碳管13则是配置于阴极线12上，且每一纳米碳管13与对应的阴本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米碳管场发射显示器，其特征在于其包括：一阴极基板；以及一阳极基板，配置于该阴极基板上方，该阳极基板包括：一第一基板，具有一第一表面与一第二表面，该第一表面面对该阴极基板；一阳极电极，配置于该第一基板的该第一表面上；一萤光材料层，配置于该阳极电极与该阴极基板之间；及多个彩色滤光薄膜，配置于该萤光材料层与该第一基板之间或该第一基板的该第二表面上。

【技术特征摘要】
1.一种纳米碳管场发射显示器，其特征在于其包括一阴极基板；以及一阳极基板，配置于该阴极基板上方，该阳极基板包括一第一基板，具有一第一表面与一第二表面，该第一表面面对该阴极基板；一阳极电极，配置于该第一基板的该第一表面上；一萤光材料层，配置于该阳极电极与该阴极基板之间；及多个彩色滤光薄膜，配置于该萤光材料层与该第一基板之间或该第一基板的该第二表面上。2.根据权利要求1所述的纳米碳管场发射显示器，其特征在于其中该些彩色滤光薄膜配置于该萤光材料层与该阳极电极之间。3.根据权利要求1所述的纳米碳管场发射显示器，其特征在于其中该些彩色滤光薄膜配置于该阳极电极与该第一基板之间。4.根据权利要求1所述的纳米碳管场发射显示器，其特征在于其中该些彩色滤光薄膜包括红光滤光薄膜、绿光滤光薄膜以及蓝光滤光薄膜。5.根据权利要求1所述的纳米碳管场发射显示器，其特征在于其中该阳极基板更包括一黑矩阵层，配置于该些彩色滤光薄膜之间，且该些彩色滤光薄膜部份覆盖该黑矩阵层。6.根据权利要求1所述的纳米碳管场发射显示器，其特征在于其中该阴极基板包括一第二基板；多条阴极线，配置于该第二基板上；多个场发射元件，配置于该第二基板上，每一场发射元件分别与该些阴极线之一电性相连；多条闸极线，配置于该些阴极线上方，每一闸极线具有多个开孔，且每一开孔分别暴露该些场发射元件之一，而每一场发射元件分别对应于该些彩色滤光薄膜之一。7.根据权利要求6所述的纳米碳管场发射显示器，其特征在于其中该些场发射元件包括纳米碳管。8.根据权利要求6所述的纳米碳管场发射显示器，其特征在于其中该阴极基板更包括一绝缘层，配置于该些阴极线与该些闸极线之间，而该些闸极线的该些开孔更延...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈铭如，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]