CMOS图像传感器的形成方法技术

本发明专利技术提供一种CMOS图像传感器的形成方法，通过对光电二极管区域的半导体衬底表面进行氮元素掺杂，掺杂的氮元素会在光电二极管区域的半导体衬底表面形成硅氮键，可以有效减少后续工艺带来的等离子体诱发损伤，减少暗电流和白色像素的产生，提高CIS的信噪比，提高产品良率和图像质量，改善图像传感器性能。此外，还可以在氮元素掺杂之后，再对光电二极管区域的半导体衬底表面进行氟元素掺杂，所形成的硅氟键可以进一步减少等离子体诱发损伤。键可以进一步减少等离子体诱发损伤。键可以进一步减少等离子体诱发损伤。

【技术实现步骤摘要】
CMOS图像传感器的形成方法


[0001]本专利技术涉及一种CMOS图像传感器的形成方法。

技术介绍

[0002]CMOS图像传感器（CMOSImageSensor，CIS）作为将光信号转化为数字电信号的器件单元，广泛应用于智能手机、平板电脑、汽车、医疗等各类新兴领域。通过像素阵列将入射光子转换成电子，当一个积分周期完成，收集的电子通过模拟电路和数字电路转换成数字信号，传输到传感器的输出终端。
[0003]如图1所示，目前的CMOS图像传感器制造工艺中，先在半导体衬底100中形成光电二极管101，再在形成转移晶体管、复位晶体管等结构之后，通过在半导体衬底表面形成氧化层106，通常是富硅氧化物（Silicon Rich Oxide, SRO），作为自对准硅化物阻挡层（Salicide Block，SAB），用于保护后续工艺中不该形成自对准硅化物的区域不被刻蚀打开。
[0004]然而，自对准硅化物阻挡层的形成过程中，或者后续工艺中，常常要引入等离子体，带来等离子体诱发损伤（PlasmaInduced Damage, PID），造成硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成光电二极管；在所述半导体衬底表面形成氧化层，作为自对准硅化物阻挡层；在形成氧化层之前、之后或同时，对所述光电二极管区域的半导体衬底表面进行氮元素掺杂，以减少后续工艺的等离子体诱发损伤；进行后续工艺以形成CMOS图像传感器。2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成氧化层之前或之后，采用去耦合等离子体注氮进行氮元素掺杂。3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成氧化层同时，调整反应气体的比例和通量，进行氮元素掺杂，所述反应气体包括SiH4和选自NH3、NO、N2O、N2中的至少一种。4.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：在氮元素掺杂之后，对所述光电二极管区域的半导体衬底表面进行氟元素掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐涛，付文，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：