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本发明提供一种CMOS图像传感器的形成方法，通过对光电二极管区域的半导体衬底表面进行氮元素掺杂，掺杂的氮元素会在光电二极管区域的半导体衬底表面形成硅氮键，可以有效减少后续工艺带来的等离子体诱发损伤，减少暗电流和白色像素的产生，提高CIS的信...
该专利属于格科微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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