半导体器件及其形成方法技术

一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括：基底；栅极结构，位于所述基底上，包括第一区和第二区，所述第一区的栅极结构长度大于所述第二区的栅极结构长度；分割段，位于所述第一区的栅极结构内，所述分割段的顶部表面高于所述栅极结构的顶部表面；用在栅极结构内形成分割段，分割段的顶部表面高于栅极结构的顶部表面，这样后续在栅极结构上形成金属层作为互连层时，金属层与栅极结构之间的短接问题得到解决，使得形成的半导体器件的质量得到提高。提高。提高。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]电子工业不断地朝着更小和更快的电子器件需求发展，更小和更快的电子器件能够同时支持更多数量且越来越复杂的尖端功能。因此，半导体工业的持续趋势是制造低成本、高性能和低功率的集成电路(IC)。到目前为止，已经通过按比例缩小半导体IC尺寸(例如，最小特征尺寸(CD))从而提高生产效率以及降低相关成本，在很大程度上实现了这些目标。然而，这种按比例缩小也使半导体制造工艺的复杂度增加。因此，半导体IC和器件的持续进步需要半导体制造工艺和技术的同步进步。
[0003]栅极结构作为器件的一部分，其材料极大地影响了器件的性能。传统的多晶硅栅极工艺由于存在“多晶硅耗尽”效应，影响器件导通，所以引入了金属栅极，引入金属栅极之后，需要在金属栅极上形成互连金属层与外界形成电连接。
[0004]然而，现有技术中互连金属层与金属栅极之间的容易产生短接等问题，形成的半导体器件的质量有待进一步提高。
专利技术内容
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底；栅极结构，位于所述基底上，包括第一区和第二区，所述第一区的栅极结构长度大于所述第二区的栅极结构长度；分割段，位于所述第一区的栅极结构内，所述分割段的顶部表面高于所述栅极结构的顶部表面。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述分割段的顶部表面比所述栅极结构的顶部表面高10纳米至50纳米。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述分割段的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的若干鳍部，所述鳍部包括稀疏区和密集区。5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构位于所述衬底上且横跨所述鳍部，所述第一区的栅极结构位于所述稀疏区的鳍部之间，所述第二区的栅极结构位于所述密集区的鳍部之间。6.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括：隔离层，所述隔离层位于所述衬底上且覆盖所述鳍部的部分侧壁。7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：介质层，所述介质层位于所述栅极结构的顶部表面且位于所述分割段高于所述栅极结构的侧壁上和顶部表面上。8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，还包括：硬掩膜层，所述硬掩膜层位于所述栅极结构的顶部表面，所述介质层位于所述硬掩膜层的顶部表面且位于所述分割段高于所述硬掩膜层的侧壁上和顶部表面上。9.如权利要求7或8所述的半导体器件，其特征在于，还包括：金属层，所述金属层位于所述介质层内，所述金属层的底部表面与所述分割段一侧处的所述栅极结构的顶部表面接触。10.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成栅极结构，所述栅极结构包括第一区和第二区，所述第一区的栅极结构长度大于所述第二区的栅极结构长度；在所述栅极结构上形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层以及所述牺牲层底部的所述第一区的栅极结构暴露出所述基底表面，在所述第一区的栅极结构以及所述牺牲层内形成第一开口；在所述第一开口内形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：王楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：