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一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括：基底；栅极结构，位于所述基底上，包括第一区和第二区，所述第一区的栅极结构长度大于所述第二区的栅极结构长度；分割段，位于所述第一区的栅极结构内，所述分割段的顶部表面高于所述栅极结构的顶部表面；用...
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