具有温度检测功能的MOSFET结构及制造方法技术

本发明专利技术公开了具有温度检测功能的MOSFET结构及其方法，其中，N+衬底包括MOSFET漏极和二极管阴极，N

【技术实现步骤摘要】
具有温度检测功能的MOSFET结构及制造方法


[0001]本专利技术涉及电力电子元器件
，尤其涉及一种具有温度检测功能的MOSFET结构及制造方法。

技术介绍

[0002]功率MOSFET是电力电子系统中非常重要的核心器件，在电源系统中起着连通弱电控制和强电运行间的桥梁作用，相比于传统的可控硅、晶闸管等电力电子器件，功率MOSFET具有功耗低、重量轻、驱动容易、控制简单、热稳定性好等优点，广泛应用于消费电子，工业电子，汽车电子等领域，因此对功率MOSFET的可靠性也提出了更高的要求。
[0003]在电力电子系统中，热损耗主要产生于功率MOSFET，特别是在大电流工作的场合，此种热损耗容易造成功率MOSFET的失效，导致整个电路系统不能工作，因此需要对整个电路系统进行温度检测。通过控制IC中的电路检测IC的温度，间接的检测整个系统的温度。但此种方法不能最直接，最精确的检测电路系统温度，IC的温度不能真实，精确的反映功率MOSFET的温度，容易造成MOSFET的热损坏。
[0004]在
技术介绍
部分中公开的上述信息仅仅用于增强对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其特征在于，其包括：N+衬底，其设有MOSFET漏极和二极管阴极；N
‑
外延层，其层叠于所述N+衬底的上表面，其中，所述N
‑
外延层内经由离子注入形成P型环，所述P型环包括MOSFET P型耐压环和二极管P型耐压环；源极N+，其在所述N
‑
外延层经由离子注入而成，在所述N
‑
外延层上依次采用离子注入工艺、热退火工艺形成P型体区，所述P型体区包括MOSFET P型体区和二极管P型体区；场氧化层，其生成于所述N
‑
外延层的上表面且经由刻蚀限定出MOSFET有源区和二极管有源区，其中，所述MOSFET有源区位于所述MOSFET漏极上方，所述二极管有源区位于所述二极管阴极上方；栅极沟槽，其设在所述MOSFET有源区所对应的N
‑
外延层中，其中，所述栅极沟槽上和所述MOSFET有源区所对应的N
‑
外延层上均设有栅氧化层，且所述栅氧化层上淀积多晶硅以在所述栅极沟槽中形成多晶硅栅极；中间介质层，其层叠于所述栅氧化层及所述多晶硅栅极上，并且，从所述中间介质层至所述MOSFET P型体区，以及，从所述中间介质层至所述二极管P型体区，均经由蚀刻形成多个接触孔，所述接触孔包括MOSFET P型体区的接触孔和二极管P型体区的接触孔；MOSFET源极，其在所述MOSFET P型体区的接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成；二极管阳极，其在所述二极管P型体区的接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成。2.根据权利要求1所述的一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其特征在于：所述MOSFET结构经由控制IC测量所述MOSFET结构中二极管的漏电流以检测所述MOSFET结构的温度以及当所述温度超过一阈值时，通过所述控制IC关断所述MOSFET结构。3.根据权利要求1所述的一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其特征在于：距离最近的MOSFET P型耐压环与二极管P型耐压环之间的距离，等于每两个相邻的MOSFET P型耐压环之间的距离。4.一种用于制造权利要求1
‑
3中任一项所述具有温度检测功能的MOSFET结构的方法，其特征在于，其包括以下步骤：S100、提供N+衬底，并在所述N+衬底上层叠N
‑
外延层以及，对N+衬底进行减薄并蒸镀金属形成MOSFET漏极和二极管阴极；S200、在所述N
‑
外延层上光刻形...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐永年，杨世红，
申请(专利权)人：陕西亚成微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：