具有温度检测功能的MOSFET结构及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其中，N+衬底包括MOSFET漏极和二极管阴极，N

【技术实现步骤摘要】
具有温度检测功能的MOSFET结构及制造方法


[0001]本专利技术涉及电力电子元器件
，尤其涉及一种具有温度检测功能的MOSFET结构及制造方法。

技术介绍

[0002]功率MOSFET是电力电子系统中非常重要的核心器件，热损耗主要产生于功率MOSFET，特别是在大电流工作的场合，此种热损耗容易造成功率MOSFET的失效，导致整个电路系统不能工作，因此需要对整个电路系统进行温度检测。通过控制IC中的电路检测IC的温度，间接的检测整个系统的温度。但此种方法不能最直接，最精确的检测电路系统温度，IC的温度不能真实，精确的反映功率MOSFET的温度，容易造成MOSFET的热损坏。
[0003]在
技术介绍
部分中公开的上述信息仅仅用于增强对本专利技术背景的理解，因此可能包含不构成本领域普通技术人员公知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种具有温度检测功能的MOSFET结构及制造方法，克服现有缺陷能够直接、真实，精确的反映功率MOSFET的温度。
[0005]为了实现上述目的，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其特征在于，其包括，N+衬底，其包括MOSFET漏极和二极管阴极；N
‑
外延层，其层叠于所述N+衬底的上表面，所述N
‑
外延层的上表面设有MOSFET的栅极沟槽、多个MOSFET隔离沟槽和至少一个二极管隔离沟槽；栅氧化层，其生成于所述N
‑
外延层、栅极沟槽、MOSFET隔离沟槽和二极管隔离沟槽的表面；多晶硅栅极，其淀积于所述栅极沟槽中；MOSFET P型体区，其离子注入于所述N
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外延层；二极管的P型体区，其离子注入于所述N
‑
外延层；源极N+，其在所述N
‑
外延层离子注入而成；中间介质层，其层叠于所述栅氧化层及多晶硅栅极上，并且，从所述中间介质层到MOSFET P型体区，经由蚀刻形成MOSFET P型体区的接触孔，以及，从所述中间介质层到二极管的P型体区，经由蚀刻形成二极管P型体区的接触孔，其中，MOSFET P型体区的接触孔为多个，二极管P型体区的接触孔也为多个；MOSFET源极，其在所述MOSFET P型体区的接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成；至少一个二极管阳极，其在所述二极管P型体区的接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成，且所述至少一个二极管阳极与所述MOSFET源极的距离小于第一阈值且大于零，所述第一阈值由所述MOSFET结构的耐压等级以及二极管的耐压等级决定。2.根据权利要求1所述的一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其特征在于，所述至少一个二极管阳极围绕所述MOSFET源极分布。3.根据权利要求1所述的一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其特征在于，对于所述MOSFET结构，经由控制IC测量所述MOSFET结构中二极管的漏电流以检测所述MOSFET结构的温度以及，当所述温度超过一阈值时通过所述控制IC关断所述MOSFET结构。4.根据权利要求1所述的一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其特征在于，每两个相邻的MOSFET隔离沟槽之间的距离相同，所有MOSFET隔离沟槽的宽度相同，且至少一个二极管隔离沟槽的宽度与任一MOSFET隔离沟槽的宽度相同。5.根据权利要求4所述的一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其特征在于，每两个相邻的二极管隔离沟槽之间的距离相同，且该距离和任意两个相邻的MOSFET隔离沟槽之间的距离也相同。6.根据权利要求1所述的一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其特征在于，所述中间介质层...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐永年，杨世红，
申请(专利权)人：陕西亚成微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：