一种半导体测试结构及其形成方法技术

本申请提供一种半导体测试结构及其形成方法，所述半导体测试结构包括衬底，所述衬底上包括：第一接触结构；第一层内互连结构和第一层内辅助连接结构，所述第一层内互连结构和所述第一接触结构电连接，且所述第一层内辅助连接结构不与所述第一层内互连结构以及第一接触结构电连接；第二层内互连结构和第二层内辅助连接结构，所述第一层内互连结构与所述第二层内辅助连接结构电连接，所述第一层内辅助连接结构与所述第二层内互连结构电连接；第三层内互连结构，所述第三层内互连结构与所述第二层内互连结构和第二层内辅助连接结构电连接。可以同时实现半导体正面和背面的测试，并且芯片面积利用率较高。且芯片面积利用率较高。且芯片面积利用率较高。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体测试结构及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体测试结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]对于3D封装的存储器以及背面入射的成像芯片而言，晶圆键合和硅通孔互连工艺是必不可少的。为了监测器件的电学特性是否因为键合等工艺而产生影响，我们通常需要对测试单元的正面和背面分别进行电学测量。
[0003]然而，目前能同时实现正面和背面测试的测试单元存在需要更大的芯片面积等问题，因此，有必要提供一种更有效、更可靠的技术方案。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种半导体测试结构及其形成方法，可以同时实现半导体正面和背面的测试，并且芯片面积利用率较高。
[0005]本申请的一个方面提供一种半导体测试结构，包括衬底，所述衬底包括第一表面，所述第一表面上包括：第一接触结构；第一层内互连结构和第一层内辅助连接结构，所述第一层内互连结构和所述第一接触结构电连接，且所述第一层内辅助连接结构不与所述第一层内互连结构以及第一接触结构电连接；第二层内互连结构和第二层内辅助连接结构，所述第一层内互连结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括衬底，所述衬底包括第一表面，所述第一表面上包括：第一接触结构；第一层内互连结构和第一层内辅助连接结构，所述第一层内互连结构和所述第一接触结构电连接，且所述第一层内辅助连接结构不与所述第一层内互连结构以及第一接触结构电连接；第二层内互连结构和第二层内辅助连接结构，所述第一层内互连结构与所述第二层内辅助连接结构电连接，所述第一层内辅助连接结构与所述第二层内互连结构电连接；第三层内互连结构，所述第三层内互连结构与所述第二层内互连结构和第二层内辅助连接结构电连接。2.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一层内互连结构与所述第二层内辅助连接结构通过第一层间连接结构电连接，所述第一层内辅助连接结构与所述第二层内互连结构通过第一层间连接结构电连接。3.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第三层内互连结构与所述第二层内互连结构通过第二层间连接结构电连接，所述第三层内互连结构与所述第二层内辅助连接结构通过第二层间连接结构电连接。4.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述衬底包括第二表面，所述第二表面上包括焊垫，所述焊垫与所述第一接触结构电连接。5.如权利要求4所述的半导体测试结构，其特征在于，所述焊垫通过第二接触结构与所述第一接触结构电连接，所述第二接触结构贯穿所述衬底。6.如权利要求1所述的半导体测试...

【专利技术属性】
技术研发人员：张斯日古楞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：