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本申请提供一种半导体测试结构及其形成方法，所述半导体测试结构包括衬底，所述衬底上包括：第一接触结构；第一层内互连结构和第一层内辅助连接结构，所述第一层内互连结构和所述第一接触结构电连接，且所述第一层内辅助连接结构不与所述第一层内互连结构以及...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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