埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管及其制法制造技术

本发明专利技术公开一种埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管及其制法，其中该埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管，包含一介电层、一栅极以及一埋入式栅极通道区。介电层位于一基底上，其中介电层具有一凹槽。栅极设置于凹槽中，其中栅极包含一第一金属功函数层，其中第一金属功函数层具有一「一」字型剖面结构，且第一金属功函数层的各侧壁与凹槽的最接近的侧壁的一最小距离大于零。埋入式栅极通道区位于栅极正下方的基底中。通道区位于栅极正下方的基底中。通道区位于栅极正下方的基底中。

【技术实现步骤摘要】
埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管及其制法


[0001]本专利技术涉及一种金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法，且特别是涉及一种埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法。

技术介绍

[0002]在集成电路的制造过程中，场效晶体管(field effect transistor)是一种极重要的电子元件。现有的晶体管制作工艺是在基底上形成栅极结构之后，再在栅极结构相对两侧的基底中形成轻掺杂源/漏极结构(lightly doped drain,LDD)。接着，在栅极结构侧边形成间隙壁(spacer)，并以此栅极结构及间隙壁作为掩模，进行离子注入步骤，以于栅极结构及间隙壁侧边的基底中形成源极区以及漏极区。再者，如为埋入式通道的场效晶体管，会再另外掺杂通道区于栅极下方，以使载流子在源极区及漏极区流通时远离基底表面。

技术实现思路

[0003]本专利技术提出一种埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法，其在埋入式栅极通道正上方对应的部分栅极的区域形成金属功函数层，以降低漏电流并提升晶体管的可靠度。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，包含：介电层，位于基底上，其中该介电层具有凹槽；栅极，设置于该凹槽中，其中该栅极包含第一金属功函数层，其中该第一金属功函数层具有「一」字型剖面结构，且该第一金属功函数层的各侧壁与该凹槽的最接近的侧壁的最小距离大于零；以及埋入式栅极通道区，位于该栅极正下方的该基底中。2.如权利要求1所述的埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管，还包含：源极区以及漏极区，设置于该栅极侧边的该基底中。3.如权利要求2所述的埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管，其中该第一金属功函数层设置于该源极区以及该漏极区之间，其中该第一金属功函数层没有垂直重叠该源极区以及该漏极区。4.如权利要求1所述的埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管，还包含：轻掺杂源极区以及轻掺杂漏极区，设置于该栅极侧边的该基底中。5.如权利要求4所述的埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管，其中该第一金属功函数层设置于该轻掺杂源极区以及该轻掺杂漏极区之间，其中该第一金属功函数层垂直重叠该轻掺杂源极区以及该轻掺杂漏极区的部分。6.如权利要求5所述的埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管，其中该第一金属功函数层垂直重叠该轻掺杂漏极区的一宽度为该最小距离的0～4倍。7.如权利要求1所述的埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管，其中该第一金属功函数层完全垂直重叠该埋入式栅极通道区。8.如权利要求7所述的埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管，其中该第一金属功函数层的两端突出该埋入式栅极通道区。9.如权利要求1所述的埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管，其中该第一金属功函数层的一厚度为50～100埃。10.如权利要求1所述的埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管，还包含：第二金属功函数层，顺应覆盖该第一金属功函数层以及该凹槽的侧壁。11.如权利要求10所述的埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管，其中该第二金属功函数层的部分位于该第一金属功函数层以及该凹槽的该些侧壁之间。12.如权利要求10所述的埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管，其中该第二金属功函数层的一厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊昌铂，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：