【技术实现步骤摘要】
金属氧化物晶体管、显示面板及显示装置
[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种金属氧化物晶体管、显示面板及显示装置。
技术介绍
[0002]晶体管通常包括低温多晶硅晶体管和金属氧化物晶体管，相较于低温多晶硅晶体管，金属氧化物晶体管具有低漏流和低功耗等特点，被广泛应用在各种驱动电路中。
[0003]然而，基于现有的金属氧化物晶体管的结构，难以对其器件性能进行进一步的优化。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种金属氧化物晶体管、显示面板及显示装置，使金属氧化物晶体管兼具低关态漏流和高电导率的特性，优化了器件性能。
[0005]一方面，本专利技术实施例提供了一种金属氧化物晶体管，包括层叠设置的第一栅极、有源层、第二栅极和源漏极，所述源漏极包括源极和漏极；
[0006]其中，所述有源层包括多个子有源层，所述子有源层包括金属氧化物，且所述子有源层包括半导体区；
[0007]多个所述子有源层包括第一子有源层、第二子有源层和第三子有源层，所述...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物晶体管，其特征在于，包括层叠设置的第一栅极、有源层、第二栅极和源漏极，所述源漏极包括源极和漏极；其中，所述有源层包括多个子有源层，所述子有源层包括金属氧化物，且所述子有源层包括半导体区；多个所述子有源层包括第一子有源层、第二子有源层和第三子有源层，所述第一子有源层位于所述第二子有源层与所述第一栅极之间，所述第三子有源层位于所述第二子有源层与所述第二栅极之间；所述第一子有源层中所述半导体区的氧离子掺杂浓度为C
O_1
，所述第二子有源层中所述半导体区的氧离子掺杂浓度为C
O_2
，所述第三子有源层中所述半导体区的氧离子掺杂浓度为C
O_3
，C
O_1
＜C
O_2
，C
O_3
＜C
O_2
。2.根据权利要求1所述的金属氧化物晶体管，其特征在于，所述第一子有源层、所述第二子有源层和所述第三子有源层均包括同一种金属氧化物。3.根据权利要求1所述的金属氧化物晶体管，其特征在于，所述第一子有源层、所述第二子有源层和所述第三子有源层均包括铟镓锌氧化物；所述第一子有源层中所述半导体区的铟离子掺杂浓度为C
In_1
，所述第二子有源层中所述半导体区的铟离子掺杂浓度为C
In_2
，所述第三子有源层中所述半导体区的铟离子掺杂浓度为C
In_3
，C
In_1
＞C
In_2
，C
In_3
＞C
In_2
；和/或，所述第一子有源层中所述半导体区的镓离子掺杂浓度为C
Ga_1
，所述第二子有源层中所述半导体区的镓离子掺杂浓度为C
Ga_2
，所述第三子有源层中所述半导体区的镓离子掺杂浓度为C
Ga_3
，C
Ga_1
＜C
Ga_2
，C
Ga_3
＜C
Ga_2
。4.根据权利要求1所述的金属氧化物晶体管，其特征在于，C
O_1
＝C
O_3
。5.根据权利要求1所述的金属氧化物晶体管，其特征在于，所述半导体区包括第一半导体区、第二半导体区、以及位于所述第一半导体区和所述第二半导体区之间的第三半导体区；所述第一半导体区中氧离子掺杂浓度小于所述第三半导体区中的氧离子掺杂浓度，或者，所述第二半导体区中氧离子掺杂浓度小于所述第三半导体区中的氧离子掺杂浓度。6.根据权利要求1所述的金属氧化物晶体管，其特征在于，所述第一栅极、所述有源层、所述第二栅极和所述源漏极层叠的方向为第一方向；所述第一子有源层在所述第一方向上的膜厚为d1，所述第二子有源层在所述第一方向上的膜厚为d2，所述第三子有源层在所述第一方向上的膜厚为d3，d2＞d1，d2＞d3。7.根据权利要求1所述的金属氧化物晶体管，其特征在于，所述金属氧化物晶体管还包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一子有源层与所述第一栅极之间，所述第二绝缘层位于所述第三子有源层与所述第二栅极之间；多个子有源层还包括第四子有源层和/或第五子有源层，其中，所述第四子有源层位于所述第一子有源层与所述第一绝缘层之间，所述第四子有源层与所述第一子有源层包括同一种金属氧化物，且所述第四子有源层中所述半导体区的氧离
子掺杂浓度为C
O_4
，C
O_4
＞C
O_1
；所述第五子有源层位于所述第三子有源层与所述第二绝缘层之间，所述第五子有源层与所述第三子有源层包括同一种金属氧化物，所述第五子有源层...
【专利技术属性】
技术研发人员：张秦源，
申请(专利权)人：武汉天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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