有源矩阵基板及其制造方法技术

提供具备特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备第1TFT和第2TFT，第1TFT具有第1氧化物半导体层和隔着第1栅极绝缘层配置在第1氧化物半导体层的一部分上的第1栅极电极，第1栅极绝缘层具有包含第1绝缘膜和配置在第1绝缘膜上的第2绝缘膜的层叠结构，第2TFT具有第2氧化物半导体层和第2栅极电极，第2氧化物半导体层具有比第1氧化物半导体层高的迁移率，第2栅极电极隔着第2栅极绝缘层配置在第2氧化物半导体层的一部分上，第2栅极绝缘层包含第2绝缘膜，并且不包含第1绝缘膜，在第2氧化物半导体层与基板之间还具备包含第1绝缘膜的下部绝缘层。之间还具备包含第1绝缘膜的下部绝缘层。之间还具备包含第1绝缘膜的下部绝缘层。

【技术实现步骤摘要】
有源矩阵基板及其制造方法


[0001]本专利技术涉及有源矩阵基板及其制造方法。

技术介绍

[0002]液晶显示装置、有机电致发光(EL)显示装置等所使用的有源矩阵基板具有：显示区域，其具有多个像素；以及显示区域以外的区域(非显示区域或边框区域)。在显示区域中，按每一像素具备薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下称为“TFT”)等开关元件。作为这种开关元件，以往以来，广泛使用以非晶硅膜为活性层的TFT(以下称为“非晶硅TFT”)、以多晶硅膜为活性层的TFT(以下称为“多晶硅TFT”)。
[0003]作为TFT的活性层的材料，已提出使用氧化物半导体来代替非晶硅、多晶硅。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT能以比非晶硅TFT高的速度动作。
[0004]TFT的结构大体分为底栅结构和顶栅结构。当前，氧化物半导体TFT多采用底栅结构，但也提出了使用顶栅结构(例如专利文献1)。在顶栅结构中，能够使栅极绝缘层变薄，因此能得到高的电流供应性能。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有源矩阵基板，具备：基板；以及多个氧化物半导体TFT，其支撑于上述基板，包含第1TFT和第2TFT，上述有源矩阵基板的特征在于，上述第1TFT具有：第1氧化物半导体层；第1栅极电极，其隔着第1栅极绝缘层配置在上述第1氧化物半导体层的一部分上；以及第1源极电极及第1漏极电极，其电连接到上述第1氧化物半导体层，上述第1栅极绝缘层具有包含第1绝缘膜和配置在上述第1绝缘膜上的第2绝缘膜的层叠结构，上述第2TFT具有：第2氧化物半导体层，其具有比上述第1氧化物半导体层高的迁移率；第2栅极电极，其隔着第2栅极绝缘层配置在上述第2氧化物半导体层的一部分上；以及第2源极电极及第2漏极电极，其电连接到上述第2氧化物半导体层，上述第2栅极绝缘层包含上述第2绝缘膜，并且不包含上述第1绝缘膜，上述有源矩阵基板还具备下部绝缘层，上述下部绝缘层配置在上述第2氧化物半导体层与上述基板之间，包含上述第1绝缘膜。2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其中，上述第2氧化物半导体层的侧面与上述下部绝缘层的侧面是对齐的。3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其中，上述第1栅极绝缘层的侧面与上述第1栅极电极的侧面是对齐的，上述第2栅极绝缘层的侧面与上述第2栅极电极的侧面是对齐的。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜均是氧化硅膜。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，上述第1TFT还具备隔着第3绝缘膜配置在上述第1氧化物半导体层的上述基板侧的第1导电层，当从上述基板的法线方向观看时，上述第1导电层是与上述第1氧化物半导体层至少部分地重叠的，上述第2TFT还具备隔着上述第3绝缘膜配置在上述下部绝缘层的上述基板侧的第2导电层，当从上述基板的法线方向观看时，上述第2导电层是与上述第2氧化物半导体层至少部分地重叠的。6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，上述有源矩阵基板具有包含多个像素区域的显示区域和设置于上述显示区域的周边的非显示区域，还具备：像素TFT，其配置在上述多个像素区域中的每一像素区域；以及周边电路，其配置在上述非显示区域，上述像素TFT是上述第1TFT，上述周边电路包含上述第2TFT。7.根据权利要求1至5中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，上述有源矩阵基板具有包含多个像素区域的显示区域和设置于上述显示区域的周边
的非显示区域，还具备配置在上述非显示区域的、栅极驱动电路和SSD电路，上述栅极驱动电路包含上述第1TFT，上述SSD电路包含上述第2TFT。8.根据权利要求1至5中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，上述有源矩阵基板具有包含多个像素区域的显示区域和设置于上述显示区域的周边的非显示区域，上述多个像素区域中的每一像素区域具有包含选择用TFT、驱动用TFT以及电容元件的像素电路，上述驱动用TFT是上述第1TFT，上述选择用TFT是上述第2TFT。9.根据权利要求1至5中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，上述有源矩阵基板具有包含多个像素区域的显示区域和设置于上述显示区域的周边的非显示区域，还具备：像素电路，其配置在上述多个像素区域中的每一像素区域，并且包含选择用TFT、驱动用TFT以及电容元件；以及栅极驱动电路，其配置在上述非显示区域，上述驱动用TFT是上述第1TFT，上述栅极驱动电路包含上述第2TFT。10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，还具有层间绝缘层，上述层间绝缘层覆盖上述第1氧化物半导体层、上述第1栅极电极、上述第2氧化物半导体层以及上述第2栅极电极，上述第1源极电极、上述第1漏极电极、上述第2源极电极以及上述第2漏极电极配置在上述层间绝缘层上。11.根据权利要求1至9中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，还具有层间绝缘层，上述层间绝缘层覆盖上述第1氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：今井元，大东彻，上田辉幸，原义仁，前田昌纪，川崎达也，平田义晴，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：