【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关等离子显示器结构的技术,尤其是关于包括总线电 极和透明电极及寻址电极的等离子显示器电极结构的技术。
技术介绍
通常而言,等离子显示器(Plasma Display Panel:以下简称PDP) 将通过在He+Xe或Ne+Xe等惰性混合气体放电时发生的147訓紫外线,使 荧光体发光,并以此显示包括文字或图表的图像。上述PDP方便进行薄 膜化及大型化处理,并借助最近研发出的技术,能够有效提高画质。尤其三电极交流表面放电型PDP在放电时,其表面将会积累壁电 荷,以防止放电时发生的溅射损坏电极,因此可进行低电压驱动,并 有效延长使用寿命。图la是有关依据现有技术的三电极交流表面放电型等离子显示器 的结构示意图。如图所示,在三电极交流表面放电型PDP100中,显示 图像的显示面板上部基板10和形成其背面的下部基板20以一定距离平 行结合。上部基板10的下方设有在一个像素中通过相互间的放电作用维持 单元发光现象的扫描电极30Y和支撑电极30X,即具备由透明的ITO物质 形成的透明电极16a和由金属材质制成的总线电极16b的扫描电极30Y 和支撑电极30X成对 ...
【技术保护点】
一种等离子显示器,其中包括设在上部基板及下部基板上的透明电极和总线电极及寻址电极,其特征在于:在设于上部基板及下部基板上的R、G、B次像素中,上述总线电极经过R次像素,并设在G和B次像素之间的横间隔壁上。
【技术特征摘要】
1、一种等离子显示器,其中包括设在上部基板及下部基板上的透明电极和总线电极及寻址电极,其特征在于在设于上部基板及下部基板上的R、G、B次像素中,上述总线电极经过R次像素,并设在G和B次像素之间的横间隔壁上。2、 如权利要求项l所述的等离子显示器,其特征在于,G和B次像 素的长度相同,而R次像素的长度是G和B次像素长度的一半以内。3、 如权利要求项l所述的等离子显示器,其特征在于,G和B次像 素的高度相同,而R次像素的高度是G和B次像素高度的两倍以上。4、 如权利要求项l所述的等离子显示器,其特征在于,G和B次像 素的高度互不相同,而G和B次像素中一个次像素的高度是R次像素高度 的一半以内。5、 如权利要求项l所述的等离子显示器,其特征在于,上部基板 还包括在R次像素中形成两个放电间隙的透明电极和分别在G和B次像 素中形成一个放电间隙的透明电极。6、 如权利要求项1或5所述的等离子显示器,其特征在于,使在R 次像素上形成两个放电间隙的第1透明电极交叉连接在第1总线电极和 第2总线电极上。7...
【专利技术属性】
技术研发人员:朴宰范,
申请(专利权)人:乐金电子南京等离子有限公司,
类型:发明
国别省市:84[中国|南京]
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