一种NOR闪存的制作方法、电路以及其应用技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，公开了一种NOR闪存的制作方法、电路以及其应用，所述方法包括以制备有闪存单元和三层金属层的Nor闪存电路的晶圆为基础，在第三金属层上覆盖制备与其连通的第四金属层，本发明专利技术兼容现有工艺,可以满足具有更复杂的功能的Nor闪存芯片的金属布线需要,为布置更多铝垫来满足先进封装压焊的需求提供了可行性的前提条件，具有切实意义上的实用价值。义上的实用价值。义上的实用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种NOR闪存的制作方法、电路以及其应用


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种NOR闪存的制作方法、电路以及其应用。

技术介绍

[0002]Nor闪存的特点是芯片内执行，这样应用程序可以直接在闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR闪存的传输效率很高，在1～16MB的小容量时具有很高的成本效益。
[0003]传统的Nor闪存工艺只有三层金属层可供使用，随着工艺的发展,同等容量的芯片的面积越来越小，而芯片所能提供的功能反而有所增加，同时先进封装的要求下,封装压焊需要的铝垫(Al Pad)数量也在增加，因此传统的Nor闪存三层金属层工艺不能满足复杂电路和更多铝垫布线的需求。
[0004]而目前业界封装厂有提供一种晶圆级的封装工艺(WLP),在晶圆工艺完成之后通过增加工艺步骤在晶圆表面重新布置更多的铝垫来满足不同的封装要求，但该种方案对具有复杂的功能电路设计的金属布线需求无法满足,且制作成本高、周期长、灵活度较差,仅能满足布置更多的铝垫的需求。

技术实现思路

[0005]针对现有技术的不足本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NOR闪存的制作方法，包括：在硅晶圆基底上制备闪存单元，在闪存单元上覆盖制备内层绝缘层，在内层绝缘层外侧自下向上依次覆盖制备第一金属层、第二金属层和第三金属层，其特征在于，还包括在第三金属层上覆盖制备与其连通的第四金属层，其中，所述第四金属层的覆盖制备方法具体包括：在第三金属层上按顺序依次沉积生成氮化硅层、氟硅玻璃层和氮氧化硅层；采用预制的通孔光罩执行光刻后刻蚀形成通孔直至其与所述氮化硅层表面连通；在氮氧化硅层上表面全涂布生成有机抗反射涂层，无光罩下直接刻蚀以去除氮氧化硅层表面的有机抗反射涂层并留存通孔中的有机抗反射涂层；采用预制的第四金属层光罩执行光刻后刻蚀形成金属层沟道，随即清洗去除光阻以及通孔中留存的有机抗反射涂层；无光罩下直接刻蚀去除氮氧化硅层以及通孔下方的氮化硅层直至其与所述第三金属层表面连通；向金属层沟道和通孔中填充金属，并去除附存在氟硅玻璃层表面的金属即可。2.根据权利要求1所述的一种NOR闪存的制作方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为所述氟硅玻璃层的厚度为所述氮氧化硅层的厚度为3.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：任军，徐培，吕向东，盛荣华，李政达，
申请(专利权)人：恒烁半导体合肥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：