完全对准消去处理及来自此处理的电子装置制造方法及图纸

描述了形成连接在两个方向上延伸的两条金属线的完全对准的过孔的方法。完全对准的过孔沿着两个方向与第一金属线和第二金属线对准。在与第一金属层电接触的第二金属层的顶部上图案化第三金属层。图案化的第三金属层与第二金属层的顶部未对准。使第二金属层凹陷以暴露第二金属层的侧面并移除未对准第三金属层的侧面的部分。的侧面的部分。的侧面的部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】完全对准消去处理及来自此处理的电子装置


[0001]本公开内容的实施方式大体涉及电子装置和电子装置制造领域。更具体地，本公开内容的实施方式提供了用于使用消去处理(subtractive process)来产生具有完全对准的过孔(via)和/或触点(contact)的电子装置的方法。

技术介绍

[0002]电子装置(诸如个人电脑、工作站，计算机服务器，大型主机)及其他与计算机相关的设备(诸如打印机、扫描仪和硬盘驱动器)使用了提供大量数据存储能力同时又降低了功耗的存储装置。有两种主要类型的随机存取存储单元(动态和静态)，其非常适合在电子装置中使用。可对动态随机存取存储器(DRAM)进行编程，以存储代表两个二进制值之一的电压，但是需要定期重新编程或“刷新”，以在很短的周期内保持这个电压。静态随机存取存储器(SRAM)之所以这样称呼是因为它们不需要定期刷新。
[0003]先前已经使用“双镶嵌”制造技术来生产芯片上电互连，其中经由装置结构的各个层产生孔(aperture)，且用导电材料填充孔以在层之间及在位于各层上的装置特征之间形成互连。然而，对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成多个完全对准的过孔的方法，所述方法包括以下步骤：图案化在第二金属层的顶部上的第三金属层，所述第二金属层与第一金属层电接触，图案化的第三金属层与所述第二金属层未对准，使得暴露所述第二金属层的所述顶部的一部分；和使所述第二金属层的所述顶部凹陷以暴露与所述图案化的第三金属层对准的所述第二金属层的多个侧面并使所述第二金属层的顶部从所述第三金属层的底部凹陷一定距离。2.如权利要求1所述的方法，其中可选的金属衬垫位于所述第二金属层的所述顶部与所述第三金属层的所述底部之间，且使所述第二金属层的所述顶部凹陷在所述第二金属层的所述顶部和所述可选的金属衬垫的底部之间产生一距离。3.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在所述第二金属层的凹陷的顶部和所述第三金属层上沉积介电层。4.如权利要求3所述的方法，其中所述介电层包括高k介电材料。5.如权利要求3所述的方法，其中所述介电层覆盖在所述第三金属层上的第四金属层的顶部。6.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中在所述第二金属层与所述第三金属层之间的接触具有小于或等于约20μΩ
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cm的有效电阻率。7.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中在所述第二金属层与所述第三金属层之间的接触具有小于或等于约20nm的电子平均自由路径。8.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中图案化的第四金属层和图案化的第四蚀刻终止层用作用于图案化所述第三金属层的掩模。9.一种形成多个完全对准的过孔的方法，所述方法包括以下步骤：在第二金属层上的图案化的金属衬垫的顶部上形成图案化的第三金属层，所述第二金属层与第一金属层电接触，所述图案化的第三金属层和所述图案化的金属衬垫与所述第二金属层未对准，使得所述第二金属层的顶部的一部分经由在所述图案化的第三金属层和所述图案化的金属衬垫中的所述开口暴露；和使所述第二金属层穿过所述图案化的第三金属层和所述图案化的金属衬垫中的所述开口而凹陷，...

【专利技术属性】
技术研发人员：任河，姜浩，梅裕尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：