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本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种NOR闪存的制作方法、电路以及其应用，所述方法包括以制备有闪存单元和三层金属层的Nor闪存电路的晶圆为基础，在第三金属层上覆盖制备与其连通的第四金属层，本发明兼容现有工艺,可以满足具有更复杂的功能的N...
该专利属于恒烁半导体（合肥）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恒烁半导体（合肥）股份有限公司授权不得商用。

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