毫米波开关芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种毫米波开关芯片，SiC衬底的上表面形成有AlN缓冲层，所述AlN缓冲层的上表面形成有第一GaN层，通过背栅槽使得部分第一GaN层的下表面露出，所述第一GaN层的下表面的裸露部分形成有背栅；所述第一GaN层上表面的左侧形成有源极欧姆接触层，所述第一GaN层上表面的右侧形成有漏极欧姆接触层，所述源极欧姆接触层与所述漏极欧姆接触层之间的第一GaN层的上表面从下到上形成有第一AlGaN层、第二GaN层以及第二AlGaN层，所述源极欧姆接触层的上表面形成有源极，所述漏极欧姆接触层的上表面形成有漏极，所述第二AlGaN层的上表面形成有顶栅。所述芯片具有开关频率速度高等优点。点。点。

【技术实现步骤摘要】
毫米波开关芯片


[0001]本专利技术涉及毫米波开关器件
，尤其涉及一种开关频率速度高的毫米波开关芯片。

技术介绍

[0002]毫米波是指频率在 30GHz
‑
300GHz范围内的电磁波，在毫米波频段，毫米波开关起到毫米波信号传输的开启和断开的作用。目前毫米波频段的开关有的是基于PIN结来制作的，但是基于该类技术的毫米波开关芯片很难用于空间传输。在毫米波频段，GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）由于其存在二维电子气，电子迁移率高，速度快，可有效工作在毫米波频段。基于GaN的HEMT结构，有望实现毫米波在横向传输和在纵向空间传输的开关芯片。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是如何提供一种开关频率速度高的毫米波开关芯片。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是：一种毫米波开关芯片，其特征在于：包括SiC衬底，所述SiC衬底的上表面形成有AlN缓冲层，所述AlN缓冲层的上表面形成有第一GaN层，所述芯片的底部形成有背栅槽，通过背栅槽使得部分第一GaN层的下表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种毫米波开关芯片，其特征在于：包括SiC衬底（1），所述SiC衬底（1）的上表面形成有AlN缓冲层（2），所述AlN缓冲层（2）的上表面形成有第一GaN层（3），所述芯片的底部形成有背栅槽，通过背栅槽使得部分第一GaN层（3）的下表面露出，所述第一GaN层（3）的下表面的裸露部分形成有背栅（4）；所述第一GaN层（3）上表面的左侧形成有源极欧姆接触层（5），所述第一GaN层（3）上表面的右侧形成有漏极欧姆接触层（6），所述源极欧姆接触层（5）与所述漏极欧姆接触层（6）之间的第一GaN层（3）的上表面从下到上形成有第一AlGaN层（7）、第二GaN层（8）以及第二AlGaN层（9），所述源极欧姆接触层（5）的上表面形成有源极（10），所述漏极欧姆接触层（6）的上表面形成有漏极（11），所述第二AlGaN层（9）的上表面形成有顶栅（12）。2.如权利要求1所述的毫米波开关芯片，其特征在于：所述背栅（4）不与SiC衬底（1）以及AlN缓冲层（2）接触。3.如权利要求1所述的毫米波开关芯片，其特征在于：所述源极欧姆接触层（5）、漏极欧姆接触层（6）以及第二AlGaN层（9）的上表面在同一水平面上。4.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊龙，陈海森，
申请(专利权)人：深圳市电科智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：