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本发明公开了一种毫米波开关芯片，SiC衬底的上表面形成有AlN缓冲层，所述AlN缓冲层的上表面形成有第一GaN层，通过背栅槽使得部分第一GaN层的下表面露出，所述第一GaN层的下表面的裸露部分形成有背栅；所述第一GaN层上表面的左侧形成有源...
该专利属于深圳市电科智能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市电科智能科技有限公司授权不得商用。

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