一种半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本发明专利技术的半导体器件，包括衬底，以及设置于衬底上的半导体层，半导体层包括有源区和位于有源区外围的无源区；有源区包括:源极、栅极、漏极，无源区设置有栅极焊盘、漏极焊盘和温度监控焊盘，栅极与栅极焊盘连接，漏极与漏极焊盘连接，还包括设置在温度监控焊盘和源极之间的温度传感器，温度监控焊盘用于连接温度监控电路。本发明专利技术提供的半导体器件及其制备方法，能够使得温度传感器的温度变化与半导体器件结温同步，实现准确的温度监控。温度监控。温度监控。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体而言，涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]GaN高电子迁移率晶体管是5G通信系统的核心元件，是通信基站功放核心元器件，在整个通信系统发挥着至关重要的作用。由于功率放大器的直流功耗比较大，导致RF晶体管、功放电路、乃至基站射频模块温升严重。温度升高后，功放的线性度下降，导致通信质量下降。为了应对该问题，通常在功放电路板上设计温补电路，温度监控元器件位于离功放管最近的位置。温补电路根据温度传感器测量温度，自动对功率放大器的栅极电压进行调节，使其静态电流维持与常温相同水准，以满足通信相同对功放线性度的要求。以GaN RF晶体管的功率放大器为例，当传感器监控的温度下降时，温补电路自动正向调节栅极电压；当传感器监控的温度上升时，温补电路自动负向调节栅极电压，维持静态偏置电路I
DS
与常温相同，以满足基站对PA线性度的要求。
[0003]现有技术中，温度传感器位于芯片之外的PCB板上，温度监控点温度受功放设计、功放管焊接情况影响，导致本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于：包括衬底，以及设置于衬底上的半导体层，所述半导体层包括有源区和位于所述有源区外围的无源区；所述有源区包括：源极、栅极、漏极，所述无源区包括：温度监控焊盘、栅极焊盘和漏极焊盘，所述栅极与所述栅极焊盘连接，所述漏极与漏极焊盘连接，还包括设置在所述温度监控焊盘和所述源极之间的温度传感器，所述温度监控焊盘用于连接温度监控电路。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极焊盘和所述温度监控焊盘位于所述有源区的一侧，所述漏极焊盘位于有源区的另一侧。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述源极包括N个，所述栅极包括2(N
‑
1)个，所述漏极包括N
‑
1个，所述N为大于1的正整数，其中，所述源极和所述漏极沿所述有源区的第一方向交替排布，所述栅极插设于相邻的所述漏极和所述源极之间，所述第一方向垂直于所述栅极焊盘和漏极焊盘的连线，在所述栅极的控制下，所述源极与所述漏极之间有电流的流通。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述温度传感器的一端通过温度连接线与所述温度监控焊盘连接，所述温度传感器的另一端与源极连接。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底与所述半导体层之间设置缓冲层。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述温度传感器位于所述无源区，所述温度传感器为热电偶或者热敏电阻。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述温度传感器位于所述有源区，所述温度传感器为欧姆电阻、材...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨天应，刘丽娟，吴文垚，
申请(专利权)人：深圳市时代速信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：