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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本发明的半导体器件，包括衬底，以及设置于衬底上的半导体层，半导体层包括有源区和位于有源区外围的无源区；有源区包括:源极、栅极、漏极，无源区设置有栅极焊盘、漏极焊盘和温度监控焊盘...
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