GaN基HEMT器件、器件外延结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种GaN基HEMT器件、器件外延结构及其制备方法。外延结构自下向上依次包括形成于衬底上的：C掺杂c

【技术实现步骤摘要】
GaN基HEMT器件、器件外延结构及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体制造
，特别是涉及一种GaN基HEMT器件、器件外延结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]以氮化镓(GaN)为代表的III族氮化物宽禁带半导体以禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、临界击穿电场高、热导率高、稳定性好、耐腐蚀和抗辐射等优异的物理特性，继第一代半导体硅(Si)、锗(Ge)和第二代半导体砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)之后，成为第三代半导体的主要材料体系，特别是GaN异质结构具有高密度和高迁移率的二维电子气，被誉为是研制微波功率器件的理想材料。氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(High electron mobility transistor，HEMT)是一种异质结场效应晶体管，被认为是下一代半导体器件，被广泛应用在军事、航空航天、通信技术、汽车电子和开关电源等领域，尤其在高功率和高频应用领域正受到广泛关注。
[0003]在功率器件领域，良好的电学隔离性能可以减小截止漏电流，形成良好的沟道夹断性能和高击穿电压。因此，半绝缘的GaN材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaN基HEMT器件外延结构，其特征在于，所述外延结构自下向上依次包括形成于衬底上的：C掺杂c
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GaN高阻层、扩散阻挡层、本征u
‑
GaN沟道层及AlGaN势垒层；所述扩散阻挡层为由至少一层Si3N4层、至少一层AlN层及至少一层GaN层构成的群组中的至少两层形成的叠层结构，且该叠层结构包括至少一层所述Si3N4层，同时包括至少一层所述AlN层或所述GaN层；或所述扩散阻挡层为由所述叠层结构周期性交替组成的超晶格结构。2.根据权利要求1所述的GaN基HEMT器件外延结构，其特征在于：所述衬底与所述C掺杂c
‑
GaN高阻层之间形成有缓冲层。3.根据权利要求1所述的GaN基HEMT器件外延结构，其特征在于：所述超晶格结构中所述叠层结构的周期数介于2个～100个之间。4.根据权利要求1所述的GaN基HEMT器件外延结构，其特征在于：所述C掺杂c
‑
GaN高阻层的掺杂浓度介于1E+18cm
‑3～3E+19cm
‑3之间。5.根据权利要求1所述的GaN基HEMT器件外延结构，其特征在于：所述Si3N4层的厚度介于0.1nm～30nm之间，所述AlN层的厚度介于0.1nm～100nm之间，所述GaN层的厚度介于0.1nm～4000nm之间。6.根据权利要求1所述的GaN基HEMT器件外延结...

【专利技术属性】
技术研发人员：马旺，陈龙，程静云，陈祖尧，王洪朝，袁理，
申请(专利权)人：聚能晶源青岛半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：