一种GaNHEMT器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种GaN HEMT器件，器件包括：GaN HEMT，所述GaNHEMT包括源极、栅极及漏极，在源极和源极之间设置有栅保护结构，栅保护结构在栅极与源极间的正向电压大于允许的最大正向电压时或反向电压大于允许的最大反向电压时击穿并导通。集成栅极保护结构的GaN HEMT器件，利用在芯片上集成栅的保护结构，当器件的栅极电压超过最大允许电压时，栅保护结构击穿导通，栅源电压维持在设置的最大电压，实现了对栅介质的保护，提高器件应用的可靠性。可靠性。可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种GaN HEMT器件


[0001]本技术属于半导体
，更具体地，本技术涉及一种GaNHEMT器件。

技术介绍

[0002]氮化镓(GaN)是宽禁带半导体材料，禁带宽度达3.4eV。与传统的半导体材料硅(Si)、砷化镓(GaAs)相比，具有更高的临界电场、电子饱和漂移速度、以及良好的化学稳定性等特点。基于GaN材料的AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)结构具有更高的电子迁移率(高于1800cm2V
‑1s
‑1)和二维电子气(2DEG)面密度(约10
13
cm
‑2)，使得基于GaN材料的器件在射频领域和电力电子领域都具有非常明显的优势。
[0003]GaN HEMT器件有各种不同的结构，如MES HEMT、MOS沟道HEMT、 MIS HEMT、p
‑
GaN HEMT等多种，根据阈值电压的不同，又可以分为增强型和耗尽型。以p
‑
GaN HEMT器件结构为例，器件的截面示意图，如图1所示。材料由衬底，如蓝宝石、Si晶圆、SiC晶圆等，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaN HEMT器件，其特征在于，所述器件包括：GaN HEMT，所述GaN HEMT包括源极、栅极及漏极，在栅极和源极之间设置有在栅极与源极间的正向电压大于允许的最大正向电压时导通或反向电压绝对值大于允许的最大反向电压绝对值时导通的栅保护结构。2.如权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于，所述栅保护结构由设于栅极与源极之间的一对或多对反向串联的多晶硅pn二极管组成。3.如权利要求1或2所述的GaN HEMT器件，其特征在于，所述GaN HEMT为p
‑
GaN HEMT。4.如权利要求3所述的GaN HEMT器件，其特征在于，p
‑
GaN HEMT从下至上依次包括：衬底、缓冲层、GaN层、势垒层、p...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪炜江，
申请(专利权)人：安徽芯塔电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：