一种抑制短沟道效应的p-GaNHEMT器件制造技术

本发明专利技术属于半导体器件及集成电路技术领域，具体的说是涉及一种抑制短沟道效应的p

【技术实现步骤摘要】
一种抑制短沟道效应的p
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GaN HEMT器件


[0001]本专利技术属于半导体器件及集成电路
，具体涉及一种抑制短沟道效应的p
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GaNHEMT器件。

技术介绍

[0002]氮化镓(GaN)是第三代宽禁带半导体材料代表，受到各国研究人员的广泛关注。GaN 材料具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、介电常数小及良好的化学稳定性等特点，因此， GaN基HEMT器件与Si基器件相比，具有较低的导通电阻、较小寄生电容、较高的击穿 电压等优良性能，可以满足下一代系统对半导体器件更大功率、更小体积、更高频率的应用 需求。
[0003]然而，传统的基于AlGaN/GaN异质结器件由于存在自发极化和压电极化效应形成天然的 二维电子气导电沟道，为耗尽型器件。但是由于耗尽型器件会增大应用时驱动电路设计的复 杂性和可靠性，因此需要增强型的GaN器件来满足应用需求。目前几种常用的增强型技术中， p
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GaN增强型器件已经实现商业化。p
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GaN HEMT器件的实现方法为在栅极区域外延本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抑制短沟道效应的p
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GaN HEMT器件，包括从下层至上依次层叠设置的衬底层(1)、缓冲层(2)、GaN沟道层(3)、Al(In)GaN层势垒层(4)、p
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GaN层(5)、钝化层(7)；所述GaN层(3)和Al(In)GaN层(4)形成异质结；所述Al(In)GaN层(4)上层的一端具有第一金属电极(10)，另一端具有第二金属电极(9)，第一金属电极(10)和第二金属电极(9)与Al(In)GaN层(4)之间均是欧姆接触；所述p
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GaN层(5)呈中部凸起的凸起结构，将p
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GaN层(5)中部凸起结构两侧的部分靠近第一金属电极(10)的一侧定义为源极侧p
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GaN层(12)，靠近第二金属电极(9)的一侧定义为漏极侧p
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GaN层(11)；所述p
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GaN层(5)的上表面覆盖有第三金属电极(6)，第三金属电极(6)与p
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GaN层(5)之间是肖特基接触或欧姆接触；所述第三金属电极(6)作为器件的栅极；在Al(In)GaN层势垒层(4)与第三金属电极(6)上表面覆盖有钝化层(7)；所述第一金属电极(10...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑崇芝，信亚杰，段力冬，王方洲，孙瑞泽，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：