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本实用新型公开了一种GaN HEMT器件，器件包括：GaN HEMT，所述GaNHEMT包括源极、栅极及漏极，在源极和源极之间设置有栅保护结构，栅保护结构在栅极与源极间的正向电压大于允许的最大正向电压时或反向电压大于允许的最大反向电压时击穿...
该专利属于安徽芯塔电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽芯塔电子科技有限公司授权不得商用。

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