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本发明提供一种GaN基HEMT器件、器件外延结构及其制备方法。外延结构自下向上依次包括形成于衬底上的：C掺杂c
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该专利属于聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司授权不得商用。

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